Mettre en évidence:
Modules IGBT de 1200 V à 15 A EasyPIM
, Le système d'aiguillage de l'appareil doit être équipé d'un système de freinage de l'appareil
, PIM IGBT personnalisé
Courant de collecteur: |
100A |
Tension de collecteur-émetteur: |
Pour les appareils électroniques |
Actuel: |
100A |
Charge de l'émetteur de porte: |
120nC |
Résistance de l'émetteur de la porte: |
1.5Ω |
Tension d'émetteur de porte: |
± 20 V |
Poids du module: |
200 g |
Température de fonctionnement: |
-40°C à +150°C |
Type de colis: |
EasyPIM |
Temps de rétablissement inverse: |
50ns |
Temps de tenue de court-circuit: |
10 μs |
fréquence de commutation: |
20 KHZ |
Résistance thermique: |
0.1°C/W |
Voltage: |
Pour les appareils électroniques |
Nom du produit: |
Module IGBT du pilote, module IGBT du transistor, module Igbt unique |
Modules IGBT de 1200V 15A EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 Pour les appareils électroniques à haute tension
Le système d'alimentation est équipé d'un système d'alimentation de base.
Pour les appareils électroniques 15A L'IGBT Le PIM Module
Pour les appareils électroniques 15A L'IGBT Le PIM
Caractéristiques:
D Technologie de détection de décharge de 1200 V
□ Diodes à roue libre avec récupération inverse rapide et douce
□ VCE (sat)avec un coefficient de température positif
□ Faibles pertes de commutation
□ Résistance au court-circuit
□ Les servomoteurs
□ Les convertisseurs
□ Invertisseurs
Le paquet
| Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Les valeurs |
Unité |
|
Voltage d'essai d'isolation
|
VISOL |
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min |
2.5
|
KV
|
|
Isolement interne
|
|
(classe 1, CEI 61140)
Isolement de base (classe 1, CEI 61140)
|
Je vous en prie.2Je vous en prie.3
|
|
|
Distance de ramassage
|
- C'est pas vrai. |
terminal à évier thermique |
11.5 |
mm
|
| - C'est pas vrai. |
de terminal à terminal |
6.3 |
|
Autorisation
|
Je vous en prie. |
terminal à évier thermique |
10.0 |
mm
|
| Je vous en prie. |
de terminal à terminal |
5.0 |
|
Indice de suivi comparatif
|
CTI |
|
> 200
|
|
| |
|
| Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Les valeurs |
Unité |
| Je ne sais pas. |
- Je sais. |
- Je vous en prie. |
|
Module d'inductivité errante
|
LsCE |
|
|
30
|
|
nH
|
|
Résistance au plomb du module, bornes - puce
|
RCC+EE |
|
TC= 25°C |
|
8.00 |
|
mΩ
|
| RAA+CC |
6.00 |
|
Température de stockage
|
Tstg |
|
- Quarante
|
|
125
|
°C
|
|
Force de montage par pince
|
F |
|
20
|
|
50
|
N
|
|
Le poids
|
G |
|
|
23
|
|
g
|
IGBT,/IGBT, onduleur
Nombre maximal Nommé Les valeurs
| Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Les valeurs |
Unité |
|
Voltage du collecteur-émetteur
|
VCES |
|
Tvj= 25°C |
1200
|
V
|
|
Voltage maximal de l'émetteur de la porte
|
VGES |
|
± 20
|
V
|
|
Voltage transitoire émetteur-porte
|
VGES |
tp≤ 10 μs, D=0.01 |
± 30
|
V
|
|
Courant continu du collecteur en courant continu
|
Je suis...C |
|
TC= 25°C |
20 |
Une
|
| TC= 80°C |
15 |
|
Courant de collecteur pulsé,tp limité par Tjmax
|
ICpulse |
|
30
|
Une
|
|
Dissipation de puissance
|
Ptot |
|
130
|
W
|
Caractéristique Les valeurs
| Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Les valeurs |
Unité |
| Je ne sais pas. |
- Je sais. |
- Je vous en prie. |
|
Voltage de saturation du collecteur-émetteur
|
VCE (sat) |
Je suis...C=15A, VGénération génétique=15V |
Tvj= 25°C |
|
1.95 |
2.40 |
V
|
| Tvj= 125°C |
|
2.46 |
|
| Tvj= 150°C |
|
2.54 |
|
|
Voltage de seuil de sortie
|
VGE (ème) |
VPour la CE=VGénération génétiqueJe...C= 0,48 mA |
5.1
|
5.7
|
6.3
|
V
|
|
Courant de coupure collecteur-émetteur
|
Le CIEM |
VPour la CE=1200V, VGénération génétique=0V |
Tvj= 25°C |
|
|
100 |
μA |
| Tvj= 150°C |
|
|
5 |
- Je ne sais pas |
|
Courant de fuite de l'émetteur-porte
|
IGES |
VPour la CE=0V,VGénération génétique= ± 20V, Tvj= 25°C |
- Une centaine
|
|
100
|
nA
|
|
Charge de la porte
|
Q. Je vous en prie.G |
VPour la CE= 600 V, IC= 15A, VGénération génétique= ± 15 V |
|
0.1 |
|
Le taux de décomposition |
|
Capacité d'entrée
|
- Je vous en prie. |
VPour la CE= 25V, VGénération génétique=0V, f =1MHz |
|
0.9 |
|
NF
|
|
Capacité de transfert inverse
|
Crédits |
|
0.04 |
|
|
Résistance de porte interne
|
RGint |
Tvj= 25°C |
|
0 |
|
Oh |
|
Temps de retard d'allumage, charge inductive
|
Td (en) |
VCC= 600V,IC=15A RG= 40Ω VGénération génétique= ± 15 V |
Tvj= 25°C |
|
46 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
42 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
44 |
|
ns |
|
Temps de montée, charge inductive
|
tR |
Tvj= 25°C |
|
38 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
41 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
39 |
|
ns |
|
Temps de retard d'arrêt, charge inductive
|
Td (arrêt) |
VCC= 600V,IC=15A RG= 40Ω VGénération génétique= ± 15 V |
Tvj= 25°C |
|
215 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
249 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
259 |
|
ns |
|
Temps de chute, charge inductive
|
tf |
Tvj= 25°C |
|
196 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
221 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
203 |
|
ns |
|
Perte d'énergie de mise en marche par impulsion
|
Eon |
VCC= 600V,IC=15A RG= 40Ω VGénération génétique= ± 15 V |
Tvj= 25°C |
|
1.57 |
|
MJ |
| Tvj= 125°C |
|
2.12 |
|
MJ |
| Tvj= 150°C |
|
2.25 |
|
MJ |
|
Désactiver Perte d' énergie par impulsion
|
Je vous en prie. |
Tvj= 25°C |
|
0.89 |
|
MJ |
| Tvj= 125°C |
|
1.07 |
|
MJ |
| Tvj= 150°C |
|
1.16 |
|
MJ |
|
Données SC
|
CSI |
VGénération génétique≤ 15 V, VCC= 800V |
tp≤10 μs Tvj= 150°C |
|
70
|
|
Une
|
|
Résistance thermique IGBT, boîtier de jonction
|
RthJC |
|
|
|
1.15 |
Nombre d'étoiles |
|
Température de fonctionnement
|
TJop |
|
- Quarante |
|
150 |
°C |
Diode, onduleur
Nombre maximal Nommé Les valeurs
| Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Les valeurs |
Unité |
|
Voltage inverse répétitif
|
VRRM |
|
Tvj= 25°C |
1200
|
V
|
|
Courant continu continu vers l'avant
|
Je suis...F |
|
15
|
Une
|
|
Courant pulsé de diode,tp limité par TJmax
|
Si vous avez un problème |
|
30
|
|
Je suis...2Valeur t
|
Je suis...2t |
tp = 10 ms |
Tvj= 125°C |
136
|
Une2s |
Caractéristique Les valeurs
| Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Les valeurs |
Unité |
| Je ne sais pas. |
- Je sais. |
- Je vous en prie. |
|
Voltage avant
|
VF |
Je suis...F= 15A, VGénération génétique=0V |
Tvj= 25°C |
|
1.60 |
2.10 |
V
|
| Tvj= 125°C |
|
1.75 |
|
| Tvj= 150°C |
|
1.78 |
|
|
Courant de récupération inverse de pointe
|
MIPR |
Je suis...F=15A
LeF/dt=-250A/μs (T)vj= 150°C) VR= 600 V,
VGénération génétique= 15V
|
Tvj= 25°C |
|
13 |
|
Une
|
| Tvj= 125°C |
15 |
| Tvj= 150°C |
17 |
|
Frais de recouvrement inversés
|
RRQ |
Tvj= 25°C |
|
1.87 |
|
Le taux de décomposition
|
| Tvj= 125°C |
3.33 |
| Tvj= 150°C |
3.82 |
|
Perte d'énergie de récupération inverse par impulsion
|
Érec |
Tvj= 25°C |
|
0.70 |
|
MJ
|
| Tvj= 125°C |
1.28 |
| Tvj= 150°C |
1.45 |
|
Résistance thermique de diode, boîtier de jonction
|
RthJCD |
|
|
|
1.90
|
Nombre d'étoiles
|
|
Température de fonctionnement
|
TJop |
|
- Quarante
|
|
150
|
°C
|
Diode, rectificateur
Nombre maximal Nommé Les valeurs
| Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Les valeurs |
Unité |
|
Voltage inverse répétitif
|
VRRM |
|
Tvj= 25°C |
1600
|
V
|
| Courant avant maximal RMS par puce |
Le système de gestion de l'eau |
|
TC= 80°C |
16
|
Une
|
|
Courant RMS maximal à la sortie du redresseur
|
IRMSM |
|
TC= 80°C |
16
|
|
Courant de surtension vers l' avant
|
MFI |
tp= 10 ms |
Tvj= 25°C |
190
|
|
I2t - valeur
|
Je suis...2t |
tp= 10 ms |
Tvj= 25°C |
181
|
Une2s |
Caractéristique Les valeurs
| Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Les valeurs |
Unité |
| Je ne sais pas. |
- Je sais. |
- Je vous en prie. |
|
Voltage avant
|
VF |
Je suis...F=15A |
Tvj= 25°C |
|
0.95
|
|
V
|
|
Courant inverse
|
Je suis...R |
VR=1600V |
Tvj= 25°C |
|
|
5
|
μA
|
|
Résistance thermique de diode, boîtier de jonction
|
RthJCD |
|
|
|
1.50
|
Nombre d'étoiles
|
|
Température de fonctionnement
|
TJop |
|
- Quarante
|
|
150
|
°C
|
Le système de freinage doit être équipé d'un système de freinage de type IGBT, un système de freinage de type Brake-Chopper/IGBT.
Nombre maximal Nommé Les valeurs
| Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Les valeurs |
Unité |
|
Voltage du collecteur-émetteur
|
VCES |
|
Tvj= 25°C |
1200
|
V
|
|
Voltage maximal de l'émetteur de la porte
|
VGES |
|
± 20
|
V
|
|
Voltage transitoire émetteur-porte
|
VGES |
tp≤ 10 μs, D=0.01 |
± 30
|
V
|
|
Courant continu du collecteur en courant continu
|
Je suis...C |
|
TC= 80°C |
15
|
Une
|
|
Courant de collecteur pulsé,tp limité par Tjmax
|
ICpulse |
|
30
|
Une
|
|
Dissipation de puissance
|
Ptot |
|
130
|
W
|
Le système de freinage doit être équipé d'un système de freinage de type IGBT, un système de freinage de type Brake-Chopper/IGBT.
Caractéristique Les valeurs
| Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Les valeurs |
Unité |
| Je ne sais pas. |
- Je sais. |
- Je vous en prie. |
|
Voltage de saturation du collecteur-émetteur
|
VCE (sat) |
Je suis...C=15A, VGénération génétique=15V |
Tvj= 25°C |
|
2.08 |
2.50 |
V
|
| Tvj= 125°C |
|
2.37 |
|
| Tvj= 150°C |
|
2.45 |
|
|
Voltage de seuil de sortie
|
VGE (ème) |
VPour la CE=VGénération génétiqueJe...C= 0,48 mA |
5.1
|
5.7
|
6.3
|
V
|
|
Courant de coupure collecteur-émetteur
|
Le CIEM |
VPour la CE=1200V, VGénération génétique=0V |
Tvj= 25°C |
|
|
100 |
μA |
| Tvj= 150°C |
|
|
5 |
- Je ne sais pas |
|
Courant de fuite de l'émetteur-porte
|
IGES |
VPour la CE=0V,VGénération génétique= ± 20V, Tvj= 25°C |
- Une centaine
|
|
100
|
nA
|
|
Charge de la porte
|
Q. Je vous en prie.G |
VPour la CE= 600 V, IC= 15A, VGénération génétique= ± 15 V |
|
0.1 |
|
Le taux de décomposition |
|
Capacité d'entrée
|
- Je vous en prie. |
VPour la CE= 25V, VGénération génétique=0V, f =1MHz |
|
0.86 |
|
NF
|
|
Capacité de transfert inverse
|
Crédits |
|
0.02 |
|
|
Résistance de porte interne
|
RGint |
Tvj= 25°C |
|
0 |
|
Oh |
|
Temps de retard d'allumage, charge inductive
|
Td (en) |
VCC= 600V,IC=15A RG= 40Ω VGénération génétique= ± 15 V |
Tvj= 25°C |
|
51 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
47 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
40 |
|
ns |
|
Temps de montée, charge inductive
|
tR |
Tvj= 25°C |
|
44 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
48 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
56 |
|
ns |
|
Temps de retard d'arrêt, charge inductive
|
Td (arrêt) |
VCC= 600V,IC=15A RG= 40Ω VGénération génétique= ± 15 V |
Tvj= 25°C |
|
216 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
254 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
262 |
|
ns |
|
Temps de chute, charge inductive
|
tf |
Tvj= 25°C |
|
194 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
213 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
219 |
|
ns |
|
Perte d'énergie de mise en marche par impulsion
|
Eon |
VCC= 600V,IC=15A RG= 40Ω VGénération génétique= ± 15 V |
Tvj= 25°C |
|
0.92 |
|
MJ |
| Tvj= 125°C |
|
1.21 |
|
MJ |
| Tvj= 150°C |
|
1.31 |
|
MJ |
|
Désactiver Perte d' énergie par impulsion
|
Je vous en prie. |
Tvj= 25°C |
|
0.88 |
|
MJ |
| Tvj= 125°C |
|
1.11 |
|
MJ |
| Tvj= 150°C |
|
1.15 |
|
MJ |
|
Résistance thermique IGBT, boîtier de jonction
|
RthJC |
|
|
|
1.15 |
Nombre d'étoiles |
|
Température de fonctionnement
|
TJop |
|
- Quarante |
|
150 |
°C |
Une diode, une hélicoptère de freinage.
Nombre maximal Nommé Les valeurs
| Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Les valeurs |
Unité |
|
Voltage inverse répétitif
|
VRRM |
|
Tvj= 25°C |
1200
|
V
|
|
Courant continu continu vers l'avant
|
Je suis...F |
|
8
|
Une
|
|
Courant pulsé de diode,tp limité par TJmax
|
Si vous avez un problème |
|
16
|
|
Je suis...2Valeur t
|
Je suis...2t |
tp = 10 ms |
Tvj= 125°C |
25
|
Une2s |
Caractéristique Les valeurs
| Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Les valeurs |
Unité |
| Je ne sais pas. |
- Je sais. |
- Je vous en prie. |
|
Voltage avant
|
VF |
Je suis...F= 8A, VGénération génétique=0V |
Tvj= 25°C |
|
1.88 |
2.40 |
V
|
| Tvj= 125°C |
|
1.96 |
|
| Tvj= 150°C |
|
1.90 |
|
|
Courant de récupération inverse de pointe
|
MIPR |
Je suis...F= 8A
LeF/dt=-200A/μs (T)vj= 150°C) VR= 600 V,
VGénération génétique= 15V
|
Tvj= 25°C |
|
6 |
|
Une
|
| Tvj= 125°C |
7 |
| Tvj= 150°C |
8 |
|
Frais de recouvrement inversés
|
RRQ |
Tvj= 25°C |
|
0.68 |
|
Le taux de décomposition
|
| Tvj= 125°C |
1.22 |
| Tvj= 150°C |
1.32 |
|
Perte d'énergie de récupération inverse par impulsion
|
Érec |
Tvj= 25°C |
|
0.27 |
|
MJ
|
| Tvj= 125°C |
0.49 |
| Tvj= 150°C |
0.53 |
|
Résistance thermique de diode, boîtier de jonction
|
RthJCD |
|
|
|
1.90
|
Nombre d'étoiles
|
|
Température de fonctionnement
|
TJop |
|
- Quarante
|
|
150
|
°C
|
NTC-Thermistor
Caractéristique Les valeurs
| Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Les valeurs |
Unité |
|
Résistance nominale
|
R25 |
|
TC= 25°C |
5.00
|
KΩ
|
|
Valeur B
|
R25 à 50 |
|
3375
|
Le K.
|
IGBT IGBT
Produits caractéristique IGBT, onduleur (typique) sortie caractéristique IGBT, onduleur (typique)
Je suis...C= f (V)Pour la CE) JeC= f (V)Pour la CE) Tvj= 150°C
IGBT IGBT
Le transfert caractéristique Commutateur IGBT, Inverter (typique) les pertes IGBT, onduleur (typique)
Je suis...C= f (V)Génération génétique) E = f (RG)
VPour la CE= 20 V VGénération génétique= ± 15 V, IC= 15A, VPour la CE= 600V
IGBT IGBTJe suis désolé.RBSOA)
Déplacement les pertes IGBT, onduleur(Typical) À l'envers préjugés en toute sécurité fonctionnement surface Le système de régulation de la fréquence est utilisé pour les systèmes de régulation de la fréquence.
E = f (I)C) JeC=f (V)Pour la CE)
VGénération génétique= ±15V, RG= 40Ω, VPour la CE= 600 V VGénération génétique= ±15V, RJe vous en prie!= 40Ω, Tvj= 150°C
L'IGBT
Temporaire thermique impédance IGBT, onduleur vers l'avant caractéristique de Diode, onduleur (typique)
Zth(j-c) = f (t) IF= f (V)F)
Déplacement les pertes Diode, onduleur (typique) les pertes Diode, onduleur (typique)
ERéc= f (RG) ERéc= f (IF)
Je suis...F= 15A, VPour la CE= 600V RG= 40Ω, VPour la CE= 600V
Temporaire thermique impédance Diode, onteur vers l'avant caractéristique de Diode, rectificateur (typique)
Zth(j-c) = f (t) IF= f (V)F)
L'IGBT
Produits caractéristique, Brake-Chopper ((typique) En avant caractéristique de Une diode, une hélicoptère de freinage. (typique)
Je suis...C= f (V)Pour la CE) JeF= f (V)F)
NTC-Thermistor-température caractéristique (typique)
R = f (T)
"IGBT 15A 1200V" désigne un transistor bipolaire à porte isolée avec un courant nominal de 15 ampères et une tension nominal de 1200 volts.Ce type d'IGBT convient aux applications nécessitant une consommation modérée, tels que les appareils ménagers, les petits moteurs et les onduleurs à faible puissance.et les spécifications techniques et les directives d'utilisation spécifiques peuvent être trouvées dans la fiche de données du fabricant basée sur les exigences spécifiques de l'application.
Circuit électrique le schéma titre
Le paquet les contours
Dimensions en mm
mm
Votre message doit contenir entre 20 et 3 000 caractères!
