Mettre en évidence:
Module d'alimentation automobile de 750 V à 820 A
, Module IGBT à pont complet OEM
, Module électronique automobile OEM
Certifications: |
CE, FCC, RoHS |
Couleur: |
Noir |
Compatibilité: |
Compatible avec la plupart des véhicules modernes |
Connectivité: |
Avec câble |
Les dimensions: |
Elle varie en fonction du module spécifique |
Fonction: |
Contrôle et surveillance des différents systèmes d'un véhicule |
Matériel: |
Plastique et métal |
Température de fonctionnement: |
-40°C à 85°C |
Voltage de fonctionnement: |
12 V |
Le type: |
Numéro de téléphone |
Garantie: |
1 année |
Le poids: |
Elle varie en fonction du module spécifique |
750V 820A Modules d'alimentation automobile Module électronique IGBT à pont complet OEM
Le système de détection de la pollution par le gaz doit être équipé d'un système de détection de la pollution par le gaz.
Pour les appareils électroniques 820A L'IGBT Plein Le pont Module
Pour les appareils électroniques 820A L'IGBT
Caractéristiques:
D Technologie de détection de la tension de 750 V
□ Diodes à roue libre avec récupération inverse rapide et douce
□ VCE (sat)avec un coefficient de température positif
□ Faibles pertes de commutation
□ Résistance au court-circuit
□ Les moteurs
□ Véhicules électriques hybrides
□ Applications dans le secteur automobile
□ Véhicules agricoles commerciaux
Le paquet
| Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Les valeurs |
Unité |
|
Voltage d'essai d'isolation
|
VISOL |
RMS, f = 0 Hz, t = 1 s |
4.2
|
KV
|
|
Matériau de la plaque de base du module
|
|
|
- Je vous en prie.
|
|
|
Isolement interne
|
|
(classe 1, CEI 61140)
Isolement de base (classe 1, CEI 61140)
|
Je vous en prie.2Je vous en prie.3
|
|
|
Distance de ramassage
|
- C'est pas vrai. |
terminal à évier thermique |
9.0 |
mm
|
| - C'est pas vrai. |
de terminal à terminal |
9.0 |
|
Autorisation
|
Je vous en prie. |
terminal à évier thermique |
4.5 |
mm
|
| Je vous en prie. |
de terminal à terminal |
4.5 |
|
Indice de suivi comparatif
|
CTI |
|
> 200
|
|
| |
|
| Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Les valeurs |
Unité |
| Je ne sais pas. |
- Je sais. |
- Je vous en prie. |
|
Module d'inductivité errante
|
LsCE |
|
|
10
|
|
nH |
|
Résistance au plomb du module, bornes - puce
|
RCC+EE |
|
TC= 25°C |
|
0.75
|
|
mΩ
|
|
Température de stockage
|
Tstg |
|
- Quarante
|
|
125
|
°C
|
|
couple de montage pour le montage du module
|
M4 |
plaque de base pour le dissipateur thermique |
1.8
|
|
2.2
|
Nm
|
| M3 |
PCB au cadre |
0.45
|
|
0.55
|
Nm
|
|
Le poids
|
G |
|
|
725
|
|
g
|
L'IGBT
Nombre maximal Nommé Les valeurs
| Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Les valeurs |
Unité |
|
Voltage du collecteur-émetteur
|
VCES |
|
Tvj= 25°C |
750
|
V
|
|
Voltage maximal de l'émetteur de la porte
|
VGES |
|
± 20
|
V
|
|
Voltage transitoire émetteur-porte
|
VGES |
tp≤ 10 μs, D=0.01 |
± 30
|
V
|
|
Courant du collecteur mis en œuvre
|
NIC |
|
820
|
Une
|
|
Courant continu du collecteur en courant continu
|
Je suis...C |
TF= 80°C, Tvjmax= 175°C |
450
|
Une
|
|
Courant de collecteur pulsé,tp limité par Tjmax
|
ICpulse |
|
1640
|
Une
|
|
Dissipation de puissance
|
Ptot |
|
TF= 75°C |
769
|
W
|
| Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Les valeurs |
Unité |
| Je ne sais pas. |
- Je sais. |
- Je vous en prie. |
|
Voltage de saturation du collecteur-émetteur
|
VCE (sat) |
Je suis...C= 450 A, VGénération génétique=15V |
Tvj= 25°C |
|
1.20 |
1.40 |
V
|
| Tvj= 125°C |
|
1.24 |
|
| Tvj= 150°C |
|
1.27 |
|
| Je suis...C= 820A, VGénération génétique=15V |
Tvj= 25°C |
|
1.40 |
1.60 |
| Tvj= 125°C |
|
1.55 |
|
| Tvj= 150°C |
|
1.60 |
|
|
Voltage de seuil de sortie
|
VGE (ème) |
VPour la CE=VGénération génétiqueJe...C= 9,6 mA |
5.1
|
5.8
|
6.5
|
V
|
|
Courant de coupure collecteur-émetteur
|
Le CIEM |
VPour la CE=750V, VGénération génétique=0V |
Tvj= 25°C |
|
|
100 |
μA |
| Tvj= 150°C |
|
|
5 |
- Je ne sais pas |
|
Courant de fuite de l'émetteur-porte
|
IGES |
VPour la CE=0V,VGénération génétique= ± 20V, Tvj= 25°C |
- Je vous en prie.
|
|
200
|
nA
|
|
Charge de la porte
|
Q. Je vous en prie.G |
VPour la CE= 400 V, IC= 450 A, VGénération génétique=-8/+15V |
|
1.6
|
|
Le taux de décomposition
|
|
Résistance de porte interne
|
RGint |
|
|
0.8
|
|
Oh
|
|
Capacité d'entrée
|
- Je vous en prie. |
VPour la CE= 25V, VGénération génétique=0V, f =100kHz |
|
42.4
|
|
NF
|
|
Capacité de sortie
|
Coés |
|
3.1
|
|
|
Capacité de transfert inverse
|
Crédits |
|
0.8
|
|
|
Temps de retard d'allumage, charge inductive
|
Td (en) |
VCC= 400 V,IC= 450 A RJe vais= 2,5Ω,
VGénération génétique=-8/+15V
|
Tvj= 25°C |
|
90 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
92 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
96 |
|
ns |
|
Temps de montée, charge inductive
|
tR |
Tvj= 25°C |
|
64 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
68 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
70 |
|
ns |
|
Temps de retard d'arrêt, charge inductive
|
Td (arrêt) |
VCC= 400 V,IC= 450 A RJe vous en prie!= 5,1Ω,
VGénération génétique=-8/+15V
|
Tvj= 25°C |
|
520 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
580 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
590 |
|
ns |
|
Temps de chute, charge inductive
|
tf |
Tvj= 25°C |
|
200 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
310 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
320 |
|
ns |
|
Perte d'énergie de mise en marche par impulsion
|
Eon |
VCC= 400 V,IC= 450 A RG= 2,5Ω,RJe vous en prie!= 5,1Ω VGénération génétique=-8/+15V |
Tvj= 25°C |
|
15.0 |
|
MJ |
| Tvj= 125°C |
|
18.0 |
|
MJ |
| Tvj= 150°C |
|
20.0 |
|
MJ |
|
Désactiver Perte d' énergie par impulsion
|
Je vous en prie. |
Tvj= 25°C |
|
33.5 |
|
MJ |
| Tvj= 125°C |
|
41.0 |
|
MJ |
| Tvj= 150°C |
|
43.0 |
|
MJ |
| Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Les valeurs |
Unité |
| Je ne sais pas. |
- Je sais. |
- Je vous en prie. |
|
Données SC
|
CSI |
VGénération génétique≤ 15 V, VCC= 400 V |
tp≤3 μs Tvj= 150°C |
|
|
5400
|
Une
|
|
Résistance thermique IGBT, fluide de refroidissement par jonction
|
RthJF |
|
|
|
0.13
|
Nombre d'étoiles
|
|
Température de fonctionnement
|
TJop |
|
- Quarante
|
|
175
|
°C
|
Diode électrique
Nombre maximal Nommé Les valeurs
| Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Les valeurs |
Unité |
|
Voltage inverse répétitif
|
VRRM |
|
Tvj= 25°C |
750
|
V
|
|
Courant vers l'avant mis en œuvre
|
NIC |
|
820
|
Une
|
|
Courant continu continu vers l'avant
|
Je suis...F |
TF= 80°C, Tvjmax= 175°C |
450
|
Une
|
|
Courant pulsé de diode,tp limité par TJmax
|
Si vous avez un problème |
|
1640
|
Caractéristique Les valeurs
| Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Les valeurs |
Unité |
| Je ne sais pas. |
- Je sais. |
- Je vous en prie. |
|
Voltage avant
|
VF |
Je suis...F= 450 A, VGénération génétique=0V |
Tvj= 25°C |
|
1.20 |
1.60 |
V
|
| Tvj= 125°C |
|
1.16 |
|
| Tvj= 150°C |
|
1.14 |
|
| Je suis...F= 820A, VGénération génétique=0V |
Tvj= 25°C |
|
1.42 |
1.80 |
| Tvj= 125°C |
|
1.43 |
|
| Tvj= 150°C |
|
1.44 |
|
|
Temps de récupération inverse
|
trr |
Je suis...F= 450A
LeF/dt=-6700A/μs (T)vj= 150°C) VR= 400 V,
VGénération génétique= 8V
|
Tvj= 25°C |
|
122 |
|
ns
|
| Tvj= 125°C |
160 |
| Tvj= 150°C |
172 |
|
Courant de récupération inverse de pointe
|
MIPR |
Tvj= 25°C |
|
295 |
|
Une
|
| Tvj= 125°C |
360 |
| Tvj= 150°C |
375 |
|
Frais de recouvrement inversés
|
RRQ |
Tvj= 25°C |
|
28.5 |
|
Le taux de décomposition
|
| Tvj= 125°C |
40.5 |
| Tvj= 150°C |
43.5 |
|
Perte d'énergie de récupération inverse par impulsion
|
Érec |
Tvj= 25°C |
|
6.2 |
|
MJ
|
| Tvj= 125°C |
11.7 |
| Tvj= 150°C |
13.2 |
|
Résistance thermique à la diode, fluide de refroidissement par jonction
|
RthJFD |
|
|
|
0.25
|
Nombre d'étoiles
|
|
Température de fonctionnement
|
TJop |
|
- Quarante
|
|
175
|
°C
|
NTC-Thermistor
Caractéristique Les valeurs
| Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Les valeurs |
Unité |
|
Résistance nominale
|
R25 |
|
TC= 25°C |
5.00
|
KΩ
|
|
Valeur B
|
R25 à 50 |
|
3375
|
Le K.
|
Produits caractéristique (typique) Sortie caractéristique (typique)
Je suis...C= f (V)Pour la CE) Tvj= 150°C
L'IGBT
Le transfert caractéristique (typique) Perte de commutation IGBT (typique)
Je suis...C= f (V)Génération génétique) VPour la CE= 20V E = f (R)G)
VGénération génétique= -8/+15V, IC= 450 A, VPour la CE= 400 V
L'IGBT(RBSOA)
Perte de commutation IGBT (typique) préjugés en toute sécurité fonctionnement zone (RBSOA)
E = f (I)C) JeC=f (V)Pour la CE)
VGénération génétique= -8/+15V, RJe vais= 2,5Ω,RJe vous en prie!= 5,1 Ω, VPour la CE= 400 V VGénération génétique= -8/+15V, Rle goff= 5,1Ω, Tvj= 150°C
Typique capacité en tant que fonction de collecteur-émetteur tension Charge de porte (typique)
C = f (V)Pour la CE) VGénération génétique= f (Q)G)
f = 100 kHz, VGénération génétique= 0V IC= 450 A, VPour la CE= 400 V
L'IGBT
L'IGBT transitoire thermique Impédance vers l'avant caractéristique de Diode électrique (typique)
Zth(j-c) = f (t) IF= f (V)F)
Perte de commutation Diode (typique) Perte de commutation Diode (typique)
ERéc= f (RG) ERéc= f (IF)
Je suis...F= 450 A, VPour la CE= 400V RG= 2,5Ω, VPour la CE= 400 V
Diode électrique chaleur transitoire l'impédance NTC-Thermistor-température caractéristique (typique)
Zth(j-c) = f (t) R = f (T)
Un module IGBT dans un onduleur est un ensemble compact contenant des transistors bipolaires à porte isolée (IGBT) et d'autres composants.Les IGBT jouent un rôle crucial dans le commutateur et la conversion du courant continu (CC) en courant alternatif (AC) dans des appareils tels que les moteursLe module simplifie l'intégration et un refroidissement approprié est essentiel pour l'efficacité et la fiabilité.
Circuit électrique le schéma titre
Le paquet les contours
Dimensions en mm
mm
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