Détails du produit
Numéro de modèle: SPS03NM15T3PH
Conditions de paiement et d'expédition
La configuration: |
Unique |
Courant continu de drain (identification): |
30A |
tension de Drain-source (Vdss): |
60 V |
Tension de Porte-source (VGS): |
+/- 20V |
Capacité d'entrée (Ciss): |
1900pF |
Mode de montage: |
À travers le trou |
Nombre de chaînes: |
Unique |
Plage de température de fonctionnement: |
-55°C à +175°C |
Capacité de sortie (coût): |
400pF |
Type de colis: |
TO-220AB |
Dissipation de puissance (palladium): |
75W |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
8.5 mOhm @ 30A, 10V |
Capacité de transfert inverse (Crss): |
300pF |
Polarité de transistor: |
N-canal |
Nom du produit: |
Les modules à semi-conducteurs discrets, la puissance à semi-conducteurs discrets, les industries à |
La configuration: |
Unique |
Courant continu de drain (identification): |
30A |
tension de Drain-source (Vdss): |
60 V |
Tension de Porte-source (VGS): |
+/- 20V |
Capacité d'entrée (Ciss): |
1900pF |
Mode de montage: |
À travers le trou |
Nombre de chaînes: |
Unique |
Plage de température de fonctionnement: |
-55°C à +175°C |
Capacité de sortie (coût): |
400pF |
Type de colis: |
TO-220AB |
Dissipation de puissance (palladium): |
75W |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: |
8.5 mOhm @ 30A, 10V |
Capacité de transfert inverse (Crss): |
300pF |
Polarité de transistor: |
N-canal |
Nom du produit: |
Les modules à semi-conducteurs discrets, la puissance à semi-conducteurs discrets, les industries à |
Le débit de l'électricité est supérieur ou égal à la puissance de l'électricité.0
Unité de régulation 3A N-canal MOS Discrète
Caractéristiques:
Typique Applications:
Puissance de veille SMPS
Il s'agit d'un transistor à champ d'effet N-canal métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET) discrète avec une tension nominale de 1500V et un courant nominale de 3A.Les MOSFET à canal N sont des dispositifs semi-conducteurs courants utilisés dans diverses applications électroniquesLe 1500V indique la tension maximale que l'appareil peut supporter, et le 3A représente le courant maximal qu'il peut gérer.Dans des applications spécifiques, un circuit d'entraînement et une dissipation de chaleur appropriés doivent être envisagés pour assurer la fiabilité et les performances du MOSFET.
Circuit électrique le schéma titre
Le paquet les contours