Mettre en évidence:
Faibles pertes de commutation
, Module de transistors IGBT OEM
, Module de transistor IGBT à faibles pertes de commutation
Capacité de l'émetteur collecteur: |
170 pF |
La configuration: |
Unique |
Collecteur de courant continu: |
50 A |
Collecteur de courant pulsé: |
200 A |
Charge de porte: |
80 nC |
Mode de montage: |
À travers le trou |
Plage de température de fonctionnement: |
-55 à 150 degrés Celsius |
Type de colis: |
TO-247 |
Paquet/cas: |
TO-247-3 |
Temps de rétablissement inverse: |
50 ns |
Polarité de transistor: |
N-canal |
Émetteur de collecteur de tension: |
Pour les appareils électroniques |
Émetteur de collecteur de tension Saturation max.: |
2,2 V |
Émetteur de porte de tension seuil max: |
5 V |
Nom du produit: |
Modules de transistors igbt, modules sic igbt, transistors igbt |
Faibles pertes de commutation Module de transistor IGBT discret Infineon
Pour les appareils à commande numérique, la valeur de la valeur de la commande numérique est la valeur de la valeur de la commande numérique.0
Pour les appareils électroniques 40A L'IGBT Discrète
Les appareils électroniques électroniques
Généraux Définition
Ils sont conçus pour des applications telles que les UPS industriels, les chargeurs, le stockage d'énergie,Invertisseur à chaîne solaire à trois niveaux, soudage, etc.
Caractéristiques:
▪ Technologie d'arrêt du champ de tranchée de 1200 V
▪ Diodes à roue libre à base de SiC SBD
▪ Moins de pertes lors de la commutation
▪ Faible coût des portes
Typique Applications:
▪ Le système d'onduleur industriel
▪ Le chargeur
▪ Stockage de l'énergie
▪ Invertisseur
▪ Soudage
IGBT IGBT
Caractéristique de sortie IGBT Caractéristique de sortie IGBT
IC=f (VCE),Tvj=25°C IC=f (VCE), Tvj=175°C
FRD IGBT
Caractéristique de sortie FRD Voltage de saturation du collecteur-émetteur IGBT
L'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
FRD IGBT
Voltage de saturation du collecteur et de l'émetteur FRD Voltage de seuil de la porte et de l'émetteur IGBT
Le nombre de points de contact est calculé en fonction de l'échantillon.
FRD IGBT
Caractéristique de sortie FRD Collecteur de courant IGBT
Si = f ((VF) IC = f ((TC)
VGE≥15V,Tvj≤175°C
Caractéristiques de la charge de la porte Caractéristiques de la capacité
La fréquence d'écoulement de l'appareil doit être supérieure ou égale à la fréquence de l'appareil.
Pour les appareils de commande électrique, la valeur de l'éclairage doit être supérieure ou égale à:
IGBT IGBT
Temps de commutation IGBT
ts=f (IC), Tvj=25°C ts=f (IC), Tvj=175°C La température de l'eau est de
IGBT IGBT
Temps de commutation IGBT
Les émissions de dioxyde de carbone sont calculées à partir de l'échantillon de dioxyde de carbone.
La valeur de l'électricité utilisée est la valeur de l'électricité utilisée.
IGBT IGBT
Temps de commutation IGBT Perte de commutation IGBT
Le nombre de fois où les données sont utilisées est le nombre de fois où elles sont utilisées.
La puissance de compression est calculée en fonction de la puissance de compression de l'appareil.
IGBT IGBT
Perte de commutation IGBT Perte de commutation IGBT
E=f (IC) E=f (IC)
La puissance de combustion de l'électricité est calculée en fonction de l'intensité de la combustion.
IGBT IGBT
Perte de commutation IGBT Perte de commutation IGBT
E = f (RG) E = f (RG)
La valeur de l'électricité utilisée est la valeur de l'électricité utilisée pour la production de l'électricité.
IGBT IGBT
Perte de commutation IGBT Perte de commutation IGBT
E = f (VCE), Tvj = 25°C E = f (VCE), Tvj = 175°C
La valeur de l'électricité utilisée est la valeur de l'électricité utilisée.
L'IGBT
Impédance thermique transitoire IGBT
La température de l'air doit être supérieure ou égale à la température de l'air.
Il s'agit d'un transistor bipolaire à porte isolée discrète (IGBT) avec une tension nominale de 1200V et un courant nominal de 40A.Les IGBT sont couramment utilisés dans les applications électroniques de puissance pour la commutation de hautes tensions et de courantsLes spécifications indiquent que cette IGBT particulière peut supporter une tension maximale de 1200 V et un courant maximal de 40 A.les circuits d'entraînement appropriés et les considérations de dissipation de chaleur sont importants pour assurer la fiabilité et les performances de l'IGBT.
Circuit électrique le schéma titre
Le paquet les contours
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