Mettre en évidence:
IGBT à pont complet de 1200 V
, Module IGBT à pont complet
, 200A IGBT à pont complet
Courant de collecteur: |
50A |
Tension de collecteur-émetteur: |
600 V |
Notation actuelle: |
50A |
Charge de porte: |
50 nC |
tension de Porte-émetteur: |
± 20 V |
Voltage d'isolation: |
2500V |
Température de fonctionnement maximale: |
150°C |
Type de colis: |
EconoPACK |
Temps de rétablissement inverse: |
100ns |
Conforme à la norme Rohs: |
Je suis désolé. |
Temps de tenue de court-circuit: |
10 μs |
fréquence de commutation: |
20 KHZ |
Résistance thermique: |
1.5°C/W |
Rating de la tension: |
600 V |
Le module IGBT à pont complet de 1200 V à 200 A est équipé d'une alimentation solide DS-SPS200F12K3-S040300130
Le système de commande de l'appareil doit être équipé d'un système de commande de l'appareil.0
Pour les appareils électroniques 200A L'IGBT Plein Le pont Module
Caractéristiques:
D Technologie de détection de décharge de 1200 V
□ Diodes à roue libre avec récupération inverse rapide et douce
□ VCE (sat)avec un coefficient de température positif
□ Faibles pertes de commutation
□ Résistance au court-circuit
□ Je conduis à moteur
□ Les servomoteurs
□ Inverteurs auxiliaires
Le paquet
| Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Les valeurs |
Unité |
|
Voltage d'essai d'isolation
|
VISOL |
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min |
2.5 |
KV |
|
Matériau de la plaque de base du module
|
|
|
- Je vous en prie. |
|
|
Isolement interne
|
|
(classe 1, CEI 61140)
Isolement de base (classe 1, CEI 61140)
|
Je vous en prie.2Je vous en prie.3 |
|
|
Distance de ramassage
|
- C'est pas vrai. |
terminal à évier thermique |
10.0 |
mm |
|
Autorisation
|
Je vous en prie. |
terminal à évier thermique |
7.5 |
mm |
|
Indice de suivi comparatif
|
CTI |
|
> 200 |
|
| |
|
| Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Les valeurs |
Unité |
| Je ne sais pas. |
- Je sais. |
- Je vous en prie. |
|
Module d'inductivité errante
|
LsCE |
|
|
21 |
|
nH |
|
Résistance au plomb du module, bornes - puce
|
RCC+EE |
|
TC= 25°C |
|
1.80 |
|
mΩ |
|
Température de stockage
|
Tstg |
|
- Quarante |
|
125 |
°C |
|
couple de montage pour le montage du module
|
M5 |
|
3 |
|
6 |
Nm |
|
Le poids
|
G |
|
|
300 |
|
g |
L'IGBT
Nombre maximal Nommé Les valeurs
| Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Les valeurs |
Unité |
|
Voltage du collecteur-émetteur
|
VCES |
|
Tvj= 25°C |
1200 |
V |
|
Voltage maximal de l'émetteur de la porte
|
VGES |
|
± 20 |
V |
|
Voltage transitoire émetteur-porte
|
VGES |
tp≤ 10 μs, D=0.01 |
± 30 |
V |
|
Courant continu du collecteur en courant continu
|
Je suis...C |
|
TC= 60°C |
200 |
Une |
|
Courant de collecteur pulsé,tp limité par Tjmax
|
ICpulse |
|
400 |
Une |
|
Dissipation de puissance
|
Ptot |
|
750 |
W |
Caractéristique Les valeurs
| Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Les valeurs |
Unité |
| Je ne sais pas. |
- Je sais. |
- Je vous en prie. |
|
Voltage de saturation du collecteur-émetteur
|
VCE (sat) |
Je suis...C= 200A, VGénération génétique=15V |
Tvj= 25°C |
|
1.60 |
2.10 |
V
|
| Tvj= 125°C |
|
1.80 |
|
| Tvj= 150°C |
|
1.85 |
|
|
Voltage de seuil de sortie
|
VGE (ème) |
VPour la CE=VGénération génétiqueJe...C= 8mA |
5.2 |
6.0 |
6.7 |
V |
|
Courant de coupure collecteur-émetteur
|
Le CIEM |
VPour la CE=1200V, VGénération génétique=0V |
Tvj= 25°C |
|
|
100 |
μA |
| Tvj= 150°C |
|
|
5 |
- Je ne sais pas |
|
Courant de fuite de l'émetteur-porte
|
IGES |
VPour la CE=0V,VGénération génétique= ± 20V, Tvj= 25°C |
- Je vous en prie. |
|
200 |
nA |
|
Charge de la porte
|
Q. Je vous en prie.G |
VPour la CE= 600 V, IC= 200A, VGénération génétique= ± 15 V |
|
1.6 |
|
Le taux de décomposition |
|
Capacité d'entrée
|
- Je vous en prie. |
VPour la CE= 25V, VGénération génétique=0V, f =100kHz |
|
24.7 |
|
NF
|
|
Capacité de sortie
|
Coés |
|
0.9 |
|
|
Capacité de transfert inverse
|
Crédits |
|
0.2 |
|
|
Temps de retard d'allumage, charge inductive
|
Td (en) |
VCC= 600V,IC= 200A RG= 3,3Ω,
VGénération génétique=15V
|
Tvj= 25°C |
|
388 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
428 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
436 |
|
ns |
|
Temps de montée, charge inductive
|
tR |
Tvj= 25°C |
|
44 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
52 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
56 |
|
ns |
|
Temps de retard d'arrêt, charge inductive
|
Td (arrêt) |
VCC= 600V,IC= 200A RG= 3,3Ω,
VGénération génétique=15V
|
Tvj= 25°C |
|
484 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
572 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
588 |
|
ns |
|
Temps de chute, charge inductive
|
tf |
Tvj= 25°C |
|
132 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
180 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
196 |
|
ns |
|
Perte d'énergie de mise en marche par impulsion
|
Eon |
VCC= 600V,IC= 200A RG= 3,3Ω,
VGénération génétique=15V
|
Tvj= 25°C |
|
6.5 |
|
MJ |
| Tvj= 125°C |
|
9.6 |
|
MJ |
| Tvj= 150°C |
|
11.2 |
|
MJ |
|
Désactiver Perte d' énergie par impulsion
|
Je vous en prie. |
Tvj= 25°C |
|
11.8 |
|
MJ |
| Tvj= 125°C |
|
16.4 |
|
MJ |
| Tvj= 150°C |
|
17.3 |
|
MJ |
|
Données SC
|
CSI |
VGénération génétique≤ 15 V, VCC= 800V |
tp≤10 μs Tvj= 150°C |
|
|
750 |
Une |
|
Résistance thermique IGBT, boîtier de jonction
|
RthJC |
|
|
|
0.20 |
Nombre d'étoiles |
|
Température de fonctionnement
|
TJop |
|
- Quarante |
|
150 |
°C |
Diode électrique
Nombre maximal Nommé Les valeurs
| Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Les valeurs |
Unité |
|
Voltage inverse répétitif
|
VRRM |
|
Tvj= 25°C |
1200 |
V |
|
Courant continu continu vers l'avant
|
Je suis...F |
|
200 |
Une
|
|
Courant pulsé de diode,tp limité par TJmax
|
Si vous avez un problème |
|
400 |
Caractéristique Les valeurs
| Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Les valeurs |
Unité |
| Je ne sais pas. |
- Je sais. |
- Je vous en prie. |
|
Voltage avant
|
VF |
Je suis...F= 200A, VGénération génétique=0V |
Tvj= 25°C |
1.5 |
1.80 |
2.40 |
V
|
| Tvj= 125°C |
|
1.80 |
|
| Tvj= 150°C |
|
1.80 |
|
|
Temps de récupération inverse
|
trr |
Je suis...F= 200 A
LeF/dt=-6000A/μs (T)vj= 150°C) VR= 600 V,
VGénération génétique= 15V
|
Tvj= 25°C |
|
864 |
|
ns
|
| Tvj= 125°C |
1170 |
| Tvj= 150°C |
1280 |
|
Courant de récupération inverse de pointe
|
MIPR |
Tvj= 25°C |
|
270 |
|
Une
|
| Tvj= 125°C |
290 |
| Tvj= 150°C |
300 |
|
Frais de recouvrement inversés
|
RRQ |
Tvj= 25°C |
|
22.6 |
|
Le taux de décomposition
|
| Tvj= 125°C |
34.8 |
| Tvj= 150°C |
40.0 |
|
Perte d'énergie de récupération inverse par impulsion
|
Érec |
Tvj= 25°C |
|
4.0 |
|
MJ
|
| Tvj= 125°C |
13.7 |
| Tvj= 150°C |
16.1 |
|
Résistance thermique de diode, boîtier de jonction
|
RthJCD |
|
|
|
0.30 |
Nombre d'étoiles |
|
Température de fonctionnement
|
TJop |
|
- Quarante |
|
150 |
°C |
NTC-Thermistor
Caractéristique Les valeurs
| Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Les valeurs |
Unité |
|
Résistance nominale
|
R25 |
|
TC= 25°C |
5.00 |
KΩ |
|
Valeur B
|
R25 à 50 |
|
3375 |
Le K. |
Produits caractéristique (typique) Sortie caractéristique (typique)
Je suis...C= f (V)Pour la CE) JeC= f (V)Pour la CE) Tvj= 150°C
Le transfert caractéristique (typique) les pertes L'IGBT(typique)
Je suis...C= f (V)Génération génétique) VGénération génétique= ± 15 V, IC= 200A, VPour la CE= 600V
VPour la CE= 20 V VGénération génétique= ± 15 V, IC= 200A, VPour la CE= 600V
RBSOA de type IGBT
Déplacement les pertes L'IGBT(typique) À l'envers préjugés en toute sécurité fonctionnement zone (RBSOA)
E = f (I)C) JeC=f (V)Pour la CE)
VGénération génétique= ±15V, RG= 3,3Ω, VPour la CE= 600 V VGénération génétique= ±15V, Rle goff= 3,3Ω, Tvj= 150°C
Typique capacité comme a) fonction de collecteur-émetteur porte de tension charge(typique)
C = f (V)Pour la CE) VGénération génétique= f (Q)G)
f = 100 kHz, VGénération génétique= 0V IC= 200A, VPour la CE= 600V
L'IGBT
L'IGBT transitoire thermique impédance comme a) fonction de le pouls largeur Avance caractéristique de Diode électrique (typique)
Zth(j-c) = f (t) IF= f (V)F)
Déplacement les pertes Diode (typique) Commutation les pertes Diode (typique)
ERéc= f (RG) ERéc= f (IF)
Je suis...F= 200A, VPour la CE= 600V RG= 3,3Ω, VPour la CE= 600V
Diode électrique transitoire thermique impédance comme a) fonction de largeur d'impulsion NTC-Thermistor-température caractéristique (typique)
Zth(j-c) = f (t) R = f (T)
Il s'agit d'un module de pont complet IGBT de 1200 V et 200 A. Les configurations de pont complet sont couramment utilisées dans les applications électroniques de puissance telles que les entraînements de moteurs, les onduleurs et les alimentations.La tension nominale indique la tension maximale que le module peut supporter, tandis que le courant nominal représente le courant maximal qu'il peut supporter.et les circuits de protection sont nécessaires pour assurer un fonctionnement fiable et sûr.
Circuit électrique le schéma titre
Le paquet les contours
Votre message doit contenir entre 20 et 3 000 caractères!
