Le module PIM IGBT de 1200V à 150A est équipé d'un module de puissance solide DS-SPS150P12M3M4-S04030011 V1.0

IGBT, Onduleur / IGBT,逆变器

Maximum Valeurs nominales/ 最大额定值

Article

Symbole

Conditions

Valeur

Unités

集电极－发射极电压

Collecteur-émetteurtension

VCES

Tvj=25°C

1200

V

连续集电极直流电流

Continu CC collecourant de courant

jeC

TC=100°C

150

UN

集电极重复峰值电流

Culminer répéteritif courant de collecteur

jeGRC

tp=1ms

300

UN

栅极－发射极峰值电压

Ouverture maximaletension de l'émetteur électronique

VGES

±20

V

总功率损耗

Total pouvoir dissipertion

P.tot

TC=25°C, Tvj=175°C

887

W

PersonnageValeurs statistiques/ 特征值

Article

Symbole

Conditions

Min. Typ.Max.

Unités

集电极－发射极饱和电压

Saturation collecteur-émetteursur tension

VCE(assis)

jeC=150A,VGE=15V

Tvj=25°C Tvj=125°C

1,65

1,85

1,90

V

栅极阈值电压

Seuil de portetension

VGE(ème)

jeC=6mA, VCE=VGÉ,Tvj=25°C

5.6 6.37.0

V

内部栅极电阻

Portail interne résistance

R.Gint

Tvj=25°C

2.5

Ω

输入电容

Plafond d'entréeaction

Cies

f=1 MHz, Tvj=25°C, VCE=25V,VGE=0V

10.6

nF

反向传输电容

Transmission inverséecapacité de transfert

Crés

f=1 MHz, Tvj=25°C, VCE=25V,VGE=0V

0,54

nF

集电极-发射极截止电流

Collecteur-émetteur coupure cactuel

jeCES

VCE=1200 V, VGE=0V,Tvj=25°C

1h00

mA

栅极-发射极漏电流

Porte-émetteur fuite actuel

jeGES

VCE=0V, VGE=20 V, Tvj=25°C

500

n / A

开通延迟时间(电感负载)

Allumer temporisation, inductif charger

td( sur)

Tvj=25°C

Tvj=125°C

72

80

ns

上升时间(电感负载)

Temps de montée, inductif charger

tr

Tvj=25°C

Tvj=125°C

74

78

ns

关断延迟时间(电感负载)

Éteindre dtemps de retard, inductif charger

td(désactivé)

jeC=150A,VCE=600V

VGE=-15V…+15V

R.Gon=5,1 Ω

R.Goff=5,1 Ω

Inductif Loannonce

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=25°C

Tvj=125°C

413

480

ns

下降时间(电感负载)

Temps d'automne, inductif charger

tF

56

60

ns

开通损耗能量(每脉冲)

Allumer énergie perte par pulse

Esur

17.2

24,8

mJ

关断损耗能量(每脉冲)

Couper l'énergie perte par impulsion

Edésactivé

Tvj=25°C

Tvj=125°C

12.4

18.6

mJ

短路数据

CS données

jeCS

VGE=-15V…+15, VCC=600V

VCEmax=VCES-LSCÉ·di/dt, tp=10µs,Tvj=25°C

650

UN

结－外壳热阻

Thermique résistance, jufonction de cas

R.thJC

Par IGBT / 每个 IGBT

0,169

K/W

工作温度

Température eteuh, je change conditions

Tvjop

-40 150

°C

Diode, onduleur/ 二极管,逆变器

Maximum Valeurs nominales/最大额定值

Article

Symbole

Conditions

Valeur

Unités

反向重复峰值电压

Culminer répétitif tension inversee

VRMR

Tvj=25°C

1200

V

连续正向直流电流

Continu CC pourcourant de service

jeF

150

UN

正向重复峰值电流

Culminer courant direct répétitif

jeFRM

tp=1ms

300

UN

PersonnageValeurs statistiques/ 特征值

Article

Symbole

Conditions

Min. Typ.Max.

Unités

正向电压

Tension directe

VF

jeF=150A

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

1,85

1,80 1,80

2h00

V

反向恢复峰值电流

Culminer inverse récupération cactuel

jerm

jeF=150A

Tvj=25°C

Tvj=125°C

65

80

UN

反向恢复电荷

Inverse récupération chénorme

Qrr

-diF/dtdésactivé=1600A/µs VR. = 600 V

Tvj=25°C

Tvj=125°C

12.4

24,5

µC

反向恢复损耗(每脉冲)

Inverse récupération énergie (par impulsion)

Erec

VGE=-15V

Tvj=25°C

Tvj=125°C

3.6

7.3

mJ

结－外壳热阻

Thermique résistance, jufonction de cas

R.thJC

Par diode/ 每个二极管

0,30

K/W

工作温度

Température eteuh, je change conditions

Tvjop

-40 150

°C

IGBT, Hachoir de frein/ IGBT,

Maximum Valeurs nominales/ 最大额定值

Article

Symbole

Conditions

Valeur

Unités

集电极－发射极电压

Collecteur-émetteurtension

VCES

Tvj=25°C, jeC=1mA, VGE=0V

1200

V

连续集电极直流电流

Continu CC collecourant de courant

jeC

TC=100°C, Tvj=175°C

100

UN

集电极重复峰值电流

Culminer répéteritif courant de collecteur

jeGRC

tp=1ms

200

UN

栅极－发射极峰值电压

Ouverture maximaletension de l'émetteur électronique

VGES

±20

V

总功率损耗

Total pouvoir dissipertion

P.tot

TC=25°C, Tvj=175°C

652

W

PersonnageValeurs statistiques/ 特征值

Article

Symbole

Conditions

Min. Typ. Max.

Unités

集电极－发射极饱和电压

Saturation collecteur-émetteursur tension

VCE(assis)

jeC=100A,VGE=15V

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

1,65

1,95 2.05

2h00

V

栅极阈值电压

Seuil de portetension

VGE(ème)

jeC=3,3 mA, VCE=10 V, Tvj=25°C

5.0 5.7 6.5

V

栅极电荷

Grille charge

Qg

VGE=-15V…+15V

0,90

µC

输入电容

Plafond d'entréeaction

Cies

f=1 MHz, Tvj=25°C, VCE=25V,VGE=0V

6,80

nF

反向传输电容

Transmission inverséecapacité de transfert

Crés

f=1 MHz, Tvj=25°C, VCE=25V,VGE=0V

0,30

nF

集电极-发射极截止电流

Collecteur-émetteur coupure cactuel

jeCES

VCE=1200 V, VGE=0V,Tvj=25°C

1h00

mA

栅极-发射极漏电流

Porte-émetteur fuite actuel

jeGES

VCE=0V, VGE=20 V, Tvj=25°C

500

n / A

开通延迟时间(电感负载)

Allumer temporisation, inductif charger

td( sur)

Tvj=25°C Tvj=125°C

145

155

ns

上升时间(电感负载)

Temps de montée, inductif charger

tr

Tvj=25°C Tvj=125°C

28

40

ns

关断延迟时间(电感负载)

Éteindre dtemps de retard, inductif charger

td(désactivé)

jeC=100A,VCE=600V

VGE=-15V…+15V

R.Gon=1,6 Ω

R.Goff=1,6 Ω

Inductif Loannonce

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=25°C

Tvj=125°C

325

360

ns

下降时间(电感负载)

Temps d'automne, inductif charger

tF

110

170

ns

开通损耗能量(每脉冲)

Allumer énergie perte par pulse

Esur

4.9

7.2

mJ

关断损耗能量(每脉冲)

Couper l'énergie perte par impulsion

Edésactivé

Tvj=25°C Tvj=125°C

6.5

9.7

mJ

短路数据

CS données

jeCS

VGE=-15V…+15, VCC=600V

VCEmax=VCES-LSCÉ·di/dt, tp=10µs,Tvj=25°C

450

UN

结－外壳热阻

Thermique résistance, jufonction de cas

R.thJC

Par IGBT / 每个 IGBT

0,23

K/W

工作温度

Température eteuh, je change conditions

Tvjop

-40 150

°C

Diode, Hachoir de frein/ 二极管,刹车

Maximum Valeurs nominales/最大额定值

Article

Symbole

Conditions

Valeur

Unités

反向重复峰值电压

Culminer répétitif tension inversee

VRMR

Tvj=25°C

1200

V

连续正向直流电流

Continu CC pourcourant de service

jeF

50

UN

正向重复峰值电流

Culminer courant direct répétitif

jeFRM

tp=1ms

100

UN

PersonnageValeurs statistiques/ 特征值

Article

Symbole

Conditions

Min.Typ. Max..

Unités

正向电压

Tension directe

VF

jeF=50A

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

1,85

1,80

1,80

V

反向恢复峰值电流

Culminer inverse récupération cactuel

jerr

jeF=50A

Tvj=25°C

Tvj=125°C

7h00

11.2

UN

反向恢复电荷

Inverse récupération chénorme

Qr

-diF/dtdésactivé=2300A/µs VR. = 600 V

Tvj=25°C

Tvj=125°C

80

85

µC

反向恢复损耗(每脉冲)

Inverse récupération énergie (par impulsion)

Erec

VGE=-15V

Tvj=25°C

Tvj=125°C

2.8

4.9

mJ

结－外壳热阻

Thermique résistance, jufonction de cas

R.thJC

Par diode/ 每个二极管

0,68

K/W

工作温度

Température eteuh, je change conditions

Tvjop

-40 150

°C

Diode, Redresseur/ 二极管,整流

Maximum Valeurs nominales/最大额定值

Article

Symbole

Conditions

Valeur

Unités

反向重复峰值电压

Culminer répétitif tension inversee

VRMR

Tvj=25°C

1600

V

最大正向均方根电流(每芯photo)

Maximum Courant direct RMS par ébrécher

jeFRMSM

TH = 100°C

150

UN

最大整流器输出均方根电流

Maximum Courant efficace à redresseur sortir

jeRMSM

TH = 100°C

150

UN

正向浪涌电流

Avanceractuel

jeFSM

tp=10ms,Tvj=25°C, sin180°

1600

UN

je2t-值

Valeur I²t

je2t

tp=10ms,Tvj=25°C, sin180°

13000

UN2S

PersonnageValeurs statistiques/ 特征值

Article

Symbole

Conditions

Min. Typ. Max.

Unités

正向电压

Tension directe

VF

Tvj=150°C, jeF=100A

1.0

V

反向电流

Courant inverse

jeR.

Tvj=125°C, VR.=1600V

2.0

mA

结－外壳热阻

Thermique résistance, jufonction de cas

R.thJC

Par diode/ 每个二极管

0,28

K/W

工作温度

Température eteuh, je change conditions

Tvjop

-40 150

°C

Module/ 模块

Article

Symbole

Conditions

Valeur

Unité

s

绝缘测试电压

Isolementtension d'essai

VISOL

RMS, f=50Hz, t=1min

2.5

kV

模块基板材料

Matériel de module plaque de base

Cu

内部绝缘

Interne isolement

基本绝缘(classe 1, jeCE 61140)

Basique isolation (classe 1, CEI 61140)

Al2Ô3

爬电距离

Distance de fuiteposition

dix

mm

电气间隙

Autorisation

7.5

mm

相对电痕指数

Comparatife suivi indice

CTI

> 200

Symbole de l'articleConditions Min.Typ.Max.Unités

杂散电感,模块

Errer inductance module

LSCÉ

25

nH

模块引脚电阻, 端子-photo

Module Plomb Résistance ,Bornes-Chanche

R.CC'+EE'TH=25°C,每个开关/par commutateur

1.1

mΩ

储存温度

Conditions de stockagetempérature

Tstg

-40 125

°C

模块安装的安装扭距

Tor de montageque pour module montage

M

3h00 6h00

Nm

重量

Poids

g

300

g