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IGBT discrète

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Le module de demi-pont IGBT Mosfet est doté d'une puissance solide de 50 A et d'une tension de 1200 V.0

Name: Le module de demi-pont IGBT Mosfet est doté d'une puissance solide de 50 A et d'une tension de 1200 V.0
Brand: Le module de demi-pont IGBT Mosfet est doté d'une puissance solide de 50 A et d'une tension de 1200 V.0
SKU: SPS50B12G3H6
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Numéro de modèle: SPS50B12G3H6

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                                                Module à demi-pont IGBT Mosfet, Module à demi-pont de Mosfet 1200V, Module à demi-pont 50A Mosfet
                              

Le module de demi-pont IGBT Mosfet est doté d'une puissance solide de 50 A et d'une tension de 1200 V.0

La puissance de sortie de l'appareil doit être supérieure ou égale à la puissance de sortie de l'appareil0

Pour les appareils électroniques 50A L'IGBT La moitié. Le pont Module

Le module de demi-pont IGBT Mosfet est doté d'une puissance solide de 50 A et d'une tension de 1200 V.0 0

Caractéristiques:

D Technologie de détection de décharge de 1200 V

□ Diodes à roue libre avec récupération inverse rapide et douce

□ V_{CE (sat)}avec un coefficient de température positif

□ Faibles pertes de commutation

Typique Applications:

□ Soudage

Le paquet

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs			Unité
Voltage d'essai d'isolation	VISOL	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		4.0			KV
Matériau de la plaque de base du module				- Je vous en prie.
Isolement interne		(classe 1, CEI 61140) Isolement de base (classe 1, CEI 61140)		Je vous en prie.₂Je vous en prie.₃
Distance de ramassage	- C'est pas vrai.	terminal à évier thermique		17.0			mm
	- C'est pas vrai.	de terminal à terminal		20.0
Autorisation	Je vous en prie.	terminal à évier thermique		17.0			mm
	Je vous en prie.	de terminal à terminal		9.5
Indice de suivi comparatif	CTI			> 200

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs			Unité
				Je ne sais pas.	- Je sais.	- Je vous en prie.
Module d'inductivité errante	LsCE				20		nH
Résistance au plomb du module, bornes - puce	RCC+EE		T_C= 25°C		0.65		mΩ
Température de stockage	Tstg			- Quarante		125	°C
couple de montage pour le montage du module	M6			3.0		5.0	Nm
couple de connexion de borne	M5			2.5		5.0	Nm
Le poids	G				150		g

L'IGBT

Nombre maximal Nommé Les valeurs

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs	Unité
Voltage du collecteur-émetteur	VCES		T_vj= 25°C	1200	V
Voltage maximal de l'émetteur de la porte	VGES			± 20	V
Voltage transitoire émetteur-porte	VGES	t_p≤ 10 μs, D=0.01		± 30	V
Courant continu du collecteur en courant continu	Je suis..._C		T_C= 25°C	80	Une
Courant continu du collecteur en courant continu	Je suis..._C		T_C= 100°C	50	Une
Courant de collecteur pulsé,tp limité par T_jmax	ICpulse			100	Une
Dissipation de puissance	Ptot			326	W

Caractéristique Les valeurs

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs			Unité
Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Je ne sais pas.	- Je sais.	- Je vous en prie.	Unité
Voltage de saturation du collecteur-émetteur	VCE (sat)	Je suis..._C= 50A, V_{Génération génétique}=15V	T_vj= 25°C		2.07	2.55	V
			T_vj= 125°C		2.49
			T_vj= 150°C		2.61
Voltage de seuil de sortie	VGE (ème)	V_{Pour la CE}=V_{Génération génétique}Je..._C= 2 mA		5.2	5.7	6.3	V
Courant de coupure collecteur-émetteur	Le CIEM	V_{Pour la CE}=1200V, V_{Génération génétique}=0V	T_vj= 25°C			100	μA
Courant de coupure collecteur-émetteur	Le CIEM	V_{Pour la CE}=1200V, V_{Génération génétique}=0V	T_vj= 150°C			5	- Je ne sais pas
Courant de fuite de l'émetteur-porte	IGES	V_{Pour la CE}=0V,V_{Génération génétique}= ± 20V, T_vj= 25°C		- Je vous en prie.		200	nA
Charge de la porte	Q. Je vous en prie._G	V_{Pour la CE}= 600 V, I_C= 50A, V_{Génération génétique}= ± 15 V			0.25		Le taux de décomposition
Capacité d'entrée	- Je vous en prie.	V_{Pour la CE}= 25V, V_{Génération génétique}=0V, f =100kHz			3.0		NF
Capacité de transfert inverse	Crédits	V_{Pour la CE}= 25V, V_{Génération génétique}=0V, f =100kHz			0.12		NF
Résistance de porte interne	RGint	T_vj= 25°C			2.8		Oh
Temps de retard d'allumage, charge inductive	Td (en)	V_CC= 600V,I_C= 50A R_G=15Ω, V_{Génération génétique}= ± 15 V	T_vj= 25°C		52		ns
			T_vj= 125°C		49		ns
			T_vj= 150°C		49		ns
Temps de montée, charge inductive	t_R		T_vj= 25°C		27		ns
			T_vj= 125°C		30		ns
			T_vj= 150°C		31		ns
Temps de retard d'arrêt, charge inductive	Td (arrêt)	V_CC= 600V,I_C= 50A R_G=15Ω, V_{Génération génétique}= ± 15 V	T_vj= 25°C		192		ns
			T_vj= 125°C		230		ns
			T_vj= 150°C		240		ns
Temps de chute, charge inductive	t_f		T_vj= 25°C		152		ns
			T_vj= 125°C		202		ns
			T_vj= 150°C		207		ns
Perte d'énergie de mise en marche par impulsion	Eon	V_CC= 600V,I_C= 50A R_G=15Ω, V_{Génération génétique}= ± 15 V	T_vj= 25°C		3.3		MJ
			T_vj= 125°C		5.2		MJ
			T_vj= 150°C		5.9		MJ
Désactiver Perte d' énergie par impulsion	Je vous en prie.		T_vj= 25°C		2.3		MJ
			T_vj= 125°C		3.0		MJ
			T_vj= 150°C		3.2		MJ
Données SC	CSI	V_{Génération génétique}≤ 15 V, V_CC= 800V	tp≤10 μs T_vj= 150°C			260	Une
Résistance thermique IGBT, boîtier de jonction	RthJC					0.46	Nombre d'étoiles
Température de fonctionnement	TJop			- Quarante		150	°C

Diode électrique

Nombre maximal Nommé Les valeurs

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs	Unité
Voltage inverse répétitif	VRRM		T_vj= 25°C	1200	V
Courant continu continu vers l'avant	Je suis..._F			50	Une
Courant pulsé de diode,tp limité par T_Jmax	Si vous avez un problème			100	Une
Je suis...²Valeur t	Je suis...²t			490	Une²s

Caractéristique Les valeurs/特征值 valeur de caractère

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs			Unité
				Je ne sais pas.	- Je sais.	- Je vous en prie.
Voltage avant	V_F	Je suis..._F= 50A, V_{Génération génétique}=0V	T_vj= 25°C		2.11	2.60	V
			T_vj= 125°C		1.85
			T_vj= 150°C		1.75
Courant de récupération inverse de pointe	MIPR	Je suis..._F= 50A Le_F/dt=-1300A/μs (T)_vj= 150°C) V_R= 600 V, V_{Génération génétique}= 15V	T_vj= 25°C		59		Une
			T_vj= 125°C		83
			T_vj= 150°C		90
Frais de recouvrement inversés	RRQ		T_vj= 25°C		2.0		Le taux de décomposition
			T_vj= 125°C		6.5
			T_vj= 150°C		8.9
Perte d'énergie de récupération inverse par impulsion	Érec		T_vj= 25°C		0.3		MJ
			T_vj= 125°C		1.7
			T_vj= 150°C		2.7
Résistance thermique de diode, boîtier de jonction	RthJCD					0.95	Nombre d'étoiles
Température de fonctionnement	TJop			- Quarante		150	°C

Produits caractéristique (typique) Sortie caractéristique (typique)

Je suis..._C= f (V)_{Pour la CE}) Je_C= f (V)_{Pour la CE}) T_vj= 150°C

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L'IGBT

Le transfert caractéristique (typique) Déplacement les pertes L'IGBT(typique)

Je suis..._C= f (V)_{Génération génétique}) E = f (R_G)

V_{Pour la CE}= 20 V V_{Génération génétique}= ± 15 V, I_C= 50A, V_{Pour la CE}= 600V

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L'IGBT RBSOA

Déplacement les pertes L'IGBT(typique) À l'envers préjugés en toute sécurité fonctionnement zone (RBSOA)

E = f (I)_C) Je_C=f (V)_{Pour la CE})

V_{Génération génétique}= ±15V, R_G= 15Ω, V_{Pour la CE}= 600 V V_{Génération génétique}= ±15V, R_{le goff}= 15Ω, T_vj= 150°C

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Typique capacité comme a) fonction de collecteur-émetteur tension Charge de porte (typique)

C = f (V)_{Pour la CE}) V_{Génération génétique}= f (Q)_G)

f = 100 kHz, V_{Génération génétique}= 0V I_C= 50A, V_{Pour la CE}= 600V

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L'IGBT

L'IGBT transitoire thermique impédance comme a) fonction de pouls largeur Avance caractéristique de Diode électrique (typique)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V)_F)

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Perte de commutationPerte de diode (typique)

E_Réc= f (R_G) E_Réc= f (I_F)

Je suis..._F= 50A, V_{Pour la CE}= 600V R_G= 15Ω, V_{Pour la CE}= 600V

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Impédance thermique transitoire de diode en fonction de la largeur d'impulsion

Zth(j-c) = f (t)

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Un "module de demi-pont IGBT de 1200V 50A" est un dispositif électronique de puissance avec deux transistors bipolaires à porte isolée (IGBT) configurés dans une configuration de demi-pont.Il est conçu pour les applications nécessitant un contrôle bidirectionnel du courant, avec une tension maximale de 1200 volts et une capacité de courant de 50 ampères.et applications similaires où un contrôle précis de la tension et du courant est crucial. Un circuit de refroidissement et d'entraînement de porte approprié est essentiel pour une performance fiable. Des spécifications détaillées peuvent être trouvées dans la fiche de données du fabricant.

Circuit électrique le schéma titre

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Le paquet les contours

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Module à demi-pont de Mosfet 1200V

Module à demi-pont 50A Mosfet

Nombre maximal Nommé Les valeurs

Module de freinage pour hélicoptère,

Modules des véhicules à moteur d'IGBT,

Module d'hélicoptère IGBT

Le système de régulation de l'électricité doit être équipé d'un système de régulation de l'électricité.

Le module d'alimentation à demi-pont IGBT 1200V 75A à alimentation solide DS-SPS75B12G3H6-S04010018 V-2.0