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IGBT discrète

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Le module IGBT à haute puissance de 150 A est un module 34 mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

Name: Le module IGBT à haute puissance de 150 A est un module 34 mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.
Brand: Le module IGBT à haute puissance de 150 A est un module 34 mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.
SKU: SPS150B12G3M4
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Numéro de modèle: SPS150B12G3M4

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                                                Module IGBT à haute puissance 34 mm, Module IGBT à haute puissance 150A, Module IGBT de 150 A de 34 mm
                              

Le module IGBT à haute puissance de 150 A est un module 34 mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

Le système est équipé d'un moteur de commande à commande numérique.0.

Pour les appareils électroniques 150A L'IGBT La moitié. Le pont Module

Pour les appareils électroniques 150A L'IGBT

Caractéristiques:

D Technologie de détection de décharge de 1200 V

□ Diodes à roue libre avec récupération inverse rapide et douce

□ V_{CE (sat)}avec un coefficient de température positif

□ Faibles pertes de commutation

Typique Applications:

□ Moteur/servo-entraînement

□ Convertisseurs de haute puissance

□ Télécommandes

□ Les photovoltaïques

Le paquet

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs			Unité
Voltage d'essai d'isolation	VISOL	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		4.0			KV
Matériau de la plaque de base du module				- Je vous en prie.
Isolement interne		(classe 1, CEI 61140) Isolement de base (classe 1, CEI 61140)		Je vous en prie.₂Je vous en prie.₃
Distance de ramassage	- C'est pas vrai.	terminal à évier thermique		17.0			mm
	- C'est pas vrai.	de terminal à terminal		20.0
Autorisation	Je vous en prie.	terminal à évier thermique		17.0			mm
	Je vous en prie.	de terminal à terminal		9.5
Indice de suivi comparatif	CTI			> 200

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs			Unité
				Je ne sais pas.	- Je sais.	- Je vous en prie.
Module d'inductivité errante	LsCE				20		nH
Résistance au plomb du module, bornes - puce	RCC+EE		T_C= 25°C		0.65		mΩ
Température de stockage	Tstg			- Quarante		125	°C
couple de montage pour le montage du module	M6			3.0		5.0	Nm
couple de connexion de borne	M5			2.5		5.0	Nm
Le poids	G				160		g

L'IGBT

Nombre maximal Nommé Les valeurs

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs	Unité
Voltage du collecteur-émetteur	VCES		T_vj= 25°C	1200	V
Voltage maximal de l'émetteur de la porte	VGES			± 20	V
Voltage transitoire émetteur-porte	VGES	t_p≤ 10 μs, D=0.01		± 30	V
Courant continu du collecteur en courant continu	Je suis..._C		T_C= 25°C	200	Une
Courant continu du collecteur en courant continu	Je suis..._C		T_C= 100°C	150	Une
Courant de collecteur pulsé,tp limité par T_jmax	ICpulse			300	Une
Dissipation de puissance	Ptot			600	W

Caractéristique Les valeurs

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs			Unité
Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Je ne sais pas.	- Je sais.	- Je vous en prie.	Unité
Voltage de saturation du collecteur-émetteur	VCE (sat)	Je suis..._C= 150A, V_{Génération génétique}=15V	T_vj= 25°C		1.50	1.80	V
			T_vj= 125°C		1.65
			T_vj= 150°C		1.70
Voltage de seuil de sortie	VGE (ème)	V_{Pour la CE}=V_{Génération génétique}Je..._C= 6 mA		5.0	5.8	6.5	V
Courant de coupure collecteur-émetteur	Le CIEM	V_{Pour la CE}=1200V, V_{Génération génétique}=0V	T_vj= 25°C			100	μA
Courant de coupure collecteur-émetteur	Le CIEM	V_{Pour la CE}=1200V, V_{Génération génétique}=0V	T_vj= 150°C			5	- Je ne sais pas
Courant de fuite de l'émetteur-porte	IGES	V_{Pour la CE}=0V,V_{Génération génétique}= ± 20V, T_vj= 25°C		- Je vous en prie.		200	nA
Charge de la porte	Q. Je vous en prie._G	V_{Pour la CE}= 600 V, I_C= 150A, V_{Génération génétique}= ± 15 V			1.8		Le taux de décomposition
Capacité d'entrée	- Je vous en prie.	V_{Pour la CE}= 25V, V_{Génération génétique}=0V, f =100kHz			30.0		NF
Capacité de sortie	Coés				0.95
Capacité de transfert inverse	Crédits				0.27
Résistance de porte interne	RGint	T_vj= 25°C			2		Oh
Temps de retard d'allumage, charge inductive	Td (en)	V_CC= 600V,I_C= 150A R_G= 3,3Ω, V_{Génération génétique}= ± 15 V	T_vj= 25°C		128		ns
			T_vj= 125°C		140		ns
			T_vj= 150°C		140		ns
Temps de montée, charge inductive	t_R		T_vj= 25°C		48		ns
			T_vj= 125°C		52		ns
			T_vj= 150°C		52		ns
Temps de retard d'arrêt, charge inductive	Td (arrêt)	V_CC= 600V,I_C= 150A R_G= 3,3Ω, V_{Génération génétique}= ± 15 V	T_vj= 25°C		396		ns
			T_vj= 125°C		448		ns
			T_vj= 150°C		460		ns
Temps de chute, charge inductive	t_f		T_vj= 25°C		284		ns
			T_vj= 125°C		396		ns
			T_vj= 150°C		424		ns
Perte d'énergie de mise en marche par impulsion	Eon	V_CC= 600V,I_C= 150A R_G= 3,3Ω, V_{Génération génétique}= ± 15 V	T_vj= 25°C		4.9		MJ
			T_vj= 125°C		7.6		MJ
			T_vj= 150°C		8.3		MJ
Désactiver Perte d' énergie par impulsion	Je vous en prie.		T_vj= 25°C		16.1		MJ
			T_vj= 125°C		21.7		MJ
			T_vj= 150°C		22.5		MJ
Données SC	CSI	V_{Génération génétique}≤ 15 V, V_CC= 800V	tp≤10 μs T_vj= 150°C			650	Une
Résistance thermique IGBT, boîtier de jonction	RthJC					0.25	Nombre d'étoiles
Température de fonctionnement	TJop			- Quarante		150	°C

Diode électrique

Nombre maximal Nommé Les valeurs

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs	Unité
Voltage inverse répétitif	VRRM		T_vj= 25°C	1200	V
Courant continu continu vers l'avant	Je suis..._F			150	Une
Courant pulsé de diode,tp limité par T_Jmax	Si vous avez un problème			300	Une

Caractéristique Les valeurs

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs			Unité
				Je ne sais pas.	- Je sais.	- Je vous en prie.
Voltage avant	V_F	Je suis..._F= 150A, V_{Génération génétique}=0V	T_vj= 25°C		2.30	2.70	V
			T_vj= 125°C		2.50
			T_vj= 150°C		2.50
Temps de récupération inverse	trr	Je suis..._F= 150A Le_F/dt=-3300A/μs (T)_vj= 150°C) V_R= 600 V, V_{Génération génétique}= 15V	T_vj= 25°C		94		ns
			T_vj= 125°C		117
			T_vj= 150°C		129
Courant de récupération inverse de pointe	MIPR		T_vj= 25°C		151		Une
			T_vj= 125°C		166
			T_vj= 150°C		170
Frais de recouvrement inversés	RRQ		T_vj= 25°C		15.6		Le taux de décomposition
			T_vj= 125°C		23.3
			T_vj= 150°C		24.9
Perte d'énergie de récupération inverse par impulsion	Érec		T_vj= 25°C		6.7		MJ
			T_vj= 125°C		10.9
			T_vj= 150°C		11.9
Résistance thermique de diode, boîtier de jonction	RthJCD					0.46	Nombre d'étoiles
Température de fonctionnement	TJop			- Quarante		150	°C

Produits caractéristique (typique) Sortie caractéristique (typique)

Je suis..._C= f (V)_{Pour la CE}) Je_C= f (V)_{Pour la CE}) T_vj= 150°C

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L'IGBT

Le transfert caractéristique (typique) les pertes L'IGBT(typique)

Je suis..._C= f (V)_{Génération génétique}) E = f (R_G)

V_{Pour la CE}= 20 V V_{Génération génétique}= ± 15 V, I_C= 150A, V_{Pour la CE}= 600V

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L'IGBT RBSOA

Déplacement les pertes L'IGBT(typique) À l'envers préjugés en toute sécurité fonctionnement zone (RBSOA)

E = f (I)_C) Je_C=f (V)_{Pour la CE})

V_{Génération génétique}= ±15V, R_G= 3,3Ω, V_{Pour la CE}= 600 V V_{Génération génétique}= ±15V, R_{le goff}= 5,1Ω, T_vj= 150°C

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Typique capacité comme a) fonction de collecteur-émetteur tension Charge de porte (typique)

C = f (V)_{Pour la CE}) V_{Génération génétique}= f (Q)_G)

f = 100 kHz, V_{Génération génétique}= 0V I_C= 150A, V_{Pour la CE}= 600V

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IGBT en avant caractéristique de Diode électrique (typique)

L'IGBT transitoire thermique impédance comme a) fonction de pouls largeurJe suis..._F= f (V)_F)

Zth(j-c) = f (t)

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Perte de commutationPerte de diode (typique)

E_Réc= f (R_G) E_Réc= f (I_F)

Je suis..._F= 150A, V_{Pour la CE}= 600V R_G= 3,3Ω, V_{Pour la CE}= 600V

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Diode électrique transitoire thermique impédance comme a) fonction de le pouls largeur

Zth(j-c) = f (t)

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Le module IGBT à demi-pont de 1200V 150A intègre deux IGBT dans une configuration à demi-pont.offrant un contrôle précis de la tension (1200V) et du courant (150A)Un refroidissement efficace est essentiel pour un fonctionnement fiable, et des spécifications détaillées peuvent être trouvées dans la fiche du fabricant.

Circuit électrique le schéma titre

Le module IGBT à haute puissance de 150 A est un module 34 mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 12

Le paquet les contours

Dimensions en mm

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Modules IGBT EconoPIM

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Discrètes de SiC hybrides

Transistor MOSFET discret

IGBT discrète

Le module IGBT à haute puissance de 150 A est un module 34 mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

Module IGBT à haute puissance 34 mm

Module IGBT à haute puissance 150A

Module IGBT de 150 A de 34 mm

Nombre maximal Nommé Les valeurs

Nombre maximal Nommé Les valeurs

Module de freinage pour hélicoptère,

Modules des véhicules à moteur d'IGBT,

Module d'hélicoptère IGBT

Le système de régulation de l'électricité doit être équipé d'un système de régulation de l'électricité.

Le module d'alimentation à demi-pont IGBT 1200V 75A à alimentation solide DS-SPS75B12G3H6-S04010018 V-2.0

Le module de demi-pont IGBT Mosfet est doté d'une puissance solide de 50 A et d'une tension de 1200 V.0

Le module IGBT de pont H de 1700V 75A est défini comme le module DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

Module de détection de détection de détection de détection

Modules IGBT automobiles personnalisés de 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0