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Le module IGBT de pont H de 1700V 75A est défini comme le module DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

Détails du produit

Numéro de modèle: SPS75B17G3

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Module IGBT de pont 75A H

,

Module IGBT de pont de 1700 V H

,

Module IGBT de 1700 V

Le module IGBT de pont H de 1700V 75A est défini comme le module DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

Le système de détection de la pollution est utilisé pour la détection de la pollution par le gaz.0.

 

Unité de régulation L'équipement doit être équipé d'un système de régulation de la fréquence. La moitié. Le pont Module

Le module IGBT de pont H de 1700V 75A est défini comme le module DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 0

 

Caractéristiques:

  • Structure d'arrêt de tranchée et de champ 1700V
  • Capacité de court-circuit élevée
  • Faible perte de commutation
  • Une grande fiabilité
  • Coefficient de température positive

 

 

Typique Applications:

  • Les moteurs
  • Servo-entraînement
  • Invertisseur et alimentation électrique
  • Produits photovoltaïques

 

Le système d'aiguillage doit être équipé d'un dispositif d'aiguillage de type IGBT.

Valeur nominale maximale / valeur limite maximale

 

Nom de l'article

 

Le symbole

 

Conditions d'utilisation

 

Valeur

 

Unités

 

集电极- émission de tension électrique

Émission par le collecteurR tension

 

VLe CES

 

Tvj= 25°C

 

1700

 

V

 

Le courant électrique continu

Continuité DC le colliercourant de ctor

 

Je suis...C Nom

 

 

75

 

 

Une

 

集电极重复 le courant de pointe

Le sommet répétitionle courant du collecteur

 

Je suis...Le CRM

 

tp= 1 ms

 

150

 

Une

 

Perte de puissance totale

Nombre total puissance disperséLe gouvernement

 

Ptout

 

TC= 25°C,Tvjmax= 175°C

 

535

 

W

 

Le niveau d'émission est supérieur au niveau de l'échantillon.

Portée maximaletension de l'émetteur électrique

 

VGES

 

 

±20

 

V

 

La température maximale

Le point de jonction maximaln température

 

Tvjmax

 

 

175

 

°C

 

PersonnageLes valeurs/ spécificité

 

Nom de l'article

 

Le symbole

 

Conditions d'utilisation

 

Min. type. max.

 

Unités

 

集电极- émission 极 和电压

Émetteur-collecteur stension d'aturation

 

VPour la CE(assise)

 

Je suis...C=75,VGénération génétique=15V

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

2.24

2.51 2.56

 

2.60

 

V

V

V

 

极 值 tension électrique

seuil de portela tension

 

VRG (ème)

 

Je suis...C=3mA, VPour la CE=VGénération génétique, Tvj= 25°C

 

4.5 5.9 6.5

 

V

 

- Il y a un problème.

Porte charge

 

 

Q. Je vous en prie.G

 

VGénération génétique=-15V... +15V

 

0.47

 

uC

 

Résistance électrique interne

Porte intérieure résistance

 

RLes gîtes

 

Tvj= 25°C

 

10.8

 

Oh

 

Capacité d'entrée

Plafond d'entréel'acitance

 

 

CLes

 

 

Le nombre d'écoulements est déterminé par la fréquence d'écoulement.vj= 25°C, VPour la CE= 25V, VGénération génétique=0V

 

5.03

 

NF

 

Capacité de transmission inverse

Transition arrièrecapacité de sphère

 

Crés

 

Le nombre d'écoulements est déterminé par la fréquence d'écoulement.vj= 25°C, VPour la CE=10V, VGénération génétique=0V

 

0.18

 

 

NF

 

集电极-发射极截止电流 Le flux électrique

Émetteur-collecteur coupe-oFF courant

 

Je suis...Le CES

 

VPour la CE=1700V, VGénération génétique=0V, Tvj= 25°C

 

3.00

 

- Je ne sais pas

 

- Je ne sais pas.-Le flux électrique de fuite

Émetteur de porte fuite courant

 

Je suis...GES

 

VPour la CE=0V, VGénération génétique= 20V, Tvj= 25°C

 

400

 

 

nA

 

开通延迟时间 Le temps est compté( charge électrique)

Onction le temps de retard, inductive charge

 

 

td(sur)

 

 

 

 

 

 

 

Je suis...C= 75A, VPour la CE=Pour l'électricité

VGénération génétique= ± 15 V

RJe vais= 6,6Ω

RJe vous en prie!= 6,6Ω

 

Inducteur Je vous en prie.d,

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

174

184

 

188

 

ns

ns

ns

 

Le temps augmente.( charge électrique)

Il est l'heure de se lever. inductive charge

 

tR

 

80

83

 

81

 

ns

ns

ns

 

关断延迟时间 Je suis désolé.( charge électrique)

Retour dle temps d'écoulement, inductive charge

 

td(éteint)

 

319

380

 

401

 

ns

ns

ns

 

Il est temps de descendre.( charge électrique)

À l'automne, inductive charge

 

tf

 

310

562

 

596

 

ns

ns

ns

 

开通 损耗能量 Le débit de courant(Chaque impulsion)

Onction énergie les pertes par puIl est là.

 

 

Esur

 

24.7

27.6

28.4

 

MJ

MJ

 

关断 损耗 能(Chaque impulsion)

Énergie d'arrêt les pertes par le pouls

 

Eéteint

 

10.9

16.1

17.5

 

MJ

MJ

 

短路 数据

SC données

 

Je suis...SC

 

VGénération génétique≤ 15 V, VCC=1000V

VCEmax=VLe CES- Je sais.SCE·di/dt, tp= 10 μs, Tvj= 150°C

 

 

240

 

Une

 

结-外 热阻

La chaleur résistance,Le gouvernement cas

 

 

Rle CJJ

 

 

Pour - Je ne sais pas. Tout le monde.L'IGBT

 

 

0.28 Nombre d'étoiles

 

température de travail

Température etle changement Les conditions

 

Tvjop

 

 

- Quarante 150 °C

 

Diode, onduleur/ 二极管, inverseur

Nombre maximal Valeur nominale/ valeur maximale déterminée

 

Nom de l'article

 

Le symbole

 

Conditions d'utilisation

 

Valeur Unités

 

tension électrique de pointe inverse et répétitive

Le sommet répétitif tension inversee

 

 

VRRM

 

 

Tvj= 25°C

 

1700 V

 

continu flux électrique

Continuité DC pourcourant de la salle

 

 

Je suis...F

 

 

75 Une

 

Le courant électrique de pointe

Le sommet courant avant répétitif

 

Je suis...MFN

 

 

tp= 1 ms

 

150 A

 

PersonnageLes valeurs/ spécificité

 

Nom de l'article

 

Le symbole

 

Conditions d'utilisation

 

Je ne sais pas. Unités de type max.

 

Voltage électrique

Voltage avant

 

 

VF

 

Je suis...F= 75A

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

1.59

1.72 1.71

 

2.25

 

V

V

V

 

Flux électrique de pointe de récupération inverse

 

Le sommet à l'envers récupération cle revenu

 

Je suis...RM

 

 

Je suis...F= 75A

- Je vous en prie.FJe vous en prie.éteint=1100A/μs

VR = 900 V

 

VGénération génétique= 15V

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

85

101

 

108

 

Une

Une

Une

 

恢复电荷 (réservation de charge)

Frais de recouvrement

 

Q. Je vous en prie.R

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

23.5

32.9 36.2

 

uC

uC

uC

 

Perte de récupération inverse (à chaque impulsion)

En arrière récupération énergie (par le pouls)

 

ERéc

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

11.8

17.8 19.6

 

MJ

MJ

MJ

 

结-外 热阻

La chaleur résistance,Le gouvernement cas

 

Rle CJJ

 

Par diode/ Chaque coup de foudre

 

0.48 Nombre d'étoiles

 

température de travail

Température etle changement Les conditions

 

 

Tvjop

 

 

 

- Quarante 150 °C

 

 

Module / 模块

 

Nom de l'article

 

Le symbole

 

Conditions d'utilisation

 

Valeur

 

Unité

s

 

绝缘 test tension électrique

Isolementtension d'essai

 

VL'ISOL est

 

RMS, f=50 Hz, t=1min

 

4.0

 

 

KV

 

模块基板材料 Les matériaux de base

Matériau de le module plaque de base

   

 

- Je vous en prie.

 

 

内部绝缘 Il y a un problème.

Le secteur privé isolation

 

 

基本绝缘(classe 1, Je suis...CE 61140)

Les produits de base isolation (classe 1, IEC 61140)

 

Je vous en prie.2Je vous en prie.3

 

 

爬电距离 est une distance

- C'est pas vrai.la danse

 

 

端子-散热片/ terminal to évier à chaleur

端子-端子/terminale à termineur

 

17

 

20

 

 

mm

 

电气间隙

Autorisation

 

 

端子-散热片/ terminal to évier à chaleur

端子-端子/terminale à termineur

 

17

9.5

 

 

mm

 

Indice de traces électriques

Suivi comparatif indice

 

CTI

 

 

> 200

 

 

 

Nom de l'article

 

Le symbole

 

Conditions d'utilisation

 

Je ne sais pas.

 

- Je sais.

 

- Je vous en prie.

 

Unités

 

杂散电感, module

Détourné inductance le module

 

LSCE

   

 

30

 

 

nH

 

模块引脚电阻, 端子 Je vous en prie.- Chips

 

Module Le plomb Résistance ,Les terminaux-Cla hanche

 

RCC+EE

RAA+CC

   

 

 

0.65

 

 

 

 

Température de stockage

 

Temps de stockagela perature

 

TSgt.

 

 

- Quarante

 

 

125

 

°C

 

模块安装的安装扭距

Torsion de montageque pour le module montage

 

 

M

 

M6

 

3.00

 

 

5.00

 

 

Nm

 

端子 连接 torsion distance

Connexion à la bornen couple

 

M

 

M5

 

3.00

 

 

5.00

 

Nm

 

Le poids

 

Le poids

 

G

   

 

160

 

 

g

 

 

IGBT IGBT

Caractéristique de sortie IGBT, onduleur (typique) Caractéristique de sortie IGBT, onduleur (typique)

IC=f (VCE) IC=f ((VCE)

VGE = 15V Tvj = 150°C

 

Le module IGBT de pont H de 1700V 75A est défini comme le module DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 1

                                                                                        

                                                                                               

IGBT IGBT

Caractéristique de transfert IGBT, onduleur (typique) Perte de commutation IGBT, onduleur (typique)

IC=f ((VGE) E=f ((IC)

Pour les appareils de commande électronique, la puissance de commande électronique doit être supérieure ou égale à:

 

Le module IGBT de pont H de 1700V 75A est défini comme le module DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 2

 

 

IGBT IGBT

Perte de commutation IGBT, onduleur (typique) Perte de commutation IGBT, onduleur (typique)

E=f (RG) E=f ((IC)

La puissance de compression est calculée en fonction de la puissance de compression de l'appareil.

 

Le module IGBT de pont H de 1700V 75A est défini comme le module DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 3

 

IGBT IGBT

Perte de commutation IGBT, onduleur (typique) Impédance thermique transitoire IGBT, onduleur

Le nombre de fois où les données sont utilisées est le nombre de fois où les données sont utilisées.

Pour les appareils de traitement des ondes, la fréquence d'écoulement doit être supérieure ou égale à:

 

Le module IGBT de pont H de 1700V 75A est défini comme le module DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 4

 

IGBT, RBSOA

Zone de fonctionnement sûre de déviation inverse IGBT, onduleur (RBSOA) Caractéristique avant de la diode, onduleur (typique)

Je suis...C=f(VCE)Je suis...F=f(VF)

VGénération génétique= ± 15V, RJe vous en prie!= 6,6Ω, Tvj = 150°C

Le module IGBT de pont H de 1700V 75A est défini comme le module DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 5

 

 

 

Perte de commutation Diode, onduleur (typique) Perte de commutation Diode, onduleur (typique)

Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de la fréquence de travail.

RG = 6,6 Ω, VCE = 900V SI = 75A, VCE = 900V

 

Le module IGBT de pont H de 1700V 75A est défini comme le module DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 6

 

 

Diode d'impédance thermique transitoire, onduleur

ZthJC=f (t)

Le module IGBT de pont H de 1700V 75A est défini comme le module DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 7

 

 

Un "IGBT 1700V" est un transistor bipolaire à porte isolée capable de gérer une tension maximale de 1700 volts.comme les onduleurs à haute puissanceLes circuits de refroidissement et d'entraînement des portes sont essentiels pour des performances optimales.

 

 

Le module IGBT de pont H de 1700V 75A est défini comme le module DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 8

Circuit électrique le schéma titre 

 

Le module IGBT de pont H de 1700V 75A est défini comme le module DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 9

 

 

 

 

 

Le paquet les contours 

 

Le module IGBT de pont H de 1700V 75A est défini comme le module DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 10