Détails du produit
Numéro de modèle: SPS75B17G3
Conditions de paiement et d'expédition
Le système de détection de la pollution est utilisé pour la détection de la pollution par le gaz.0.
Unité de régulation L'équipement doit être équipé d'un système de régulation de la fréquence. La moitié. Le pont Module
Caractéristiques:
Typique Applications:
Le système d'aiguillage doit être équipé d'un dispositif d'aiguillage de type IGBT.
Valeur nominale maximale / valeur limite maximale
Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Valeur |
Unités |
||
集电极- émission de tension électrique Émission par le collecteurR tension |
VLe CES |
Tvj= 25°C |
1700 |
V |
||
Le courant électrique continu Continuité DC le colliercourant de ctor |
Je suis...C Nom |
75 |
Une |
|||
集电极重复 le courant de pointe Le sommet répétitionle courant du collecteur |
Je suis...Le CRM |
tp= 1 ms |
150 |
Une |
||
Perte de puissance totale Nombre total puissance disperséLe gouvernement |
Ptout |
TC= 25°C,Tvjmax= 175°C |
535 |
W |
||
Le niveau d'émission est supérieur au niveau de l'échantillon. Portée maximaletension de l'émetteur électrique |
VGES |
±20 |
V |
|||
La température maximale Le point de jonction maximaln température |
Tvjmax |
175 |
°C |
|||
PersonnageLes valeurs/ spécificité |
||||||
Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Min. type. max. |
Unités |
||
集电极- émission 极 和电压 Émetteur-collecteur stension d'aturation |
VPour la CE(assise) |
Je suis...C=75,VGénération génétique=15V |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
2.24 2.51 2.56 |
2.60 |
V V V |
极 值 tension électrique seuil de portela tension |
VRG (ème) |
Je suis...C=3mA, VPour la CE=VGénération génétique, Tvj= 25°C |
4.5 5.9 6.5 |
V |
||
- Il y a un problème. Porte charge |
Q. Je vous en prie.G |
VGénération génétique=-15V... +15V |
0.47 |
uC |
||
Résistance électrique interne Porte intérieure résistance |
RLes gîtes |
Tvj= 25°C |
10.8 |
Oh |
||
Capacité d'entrée Plafond d'entréel'acitance |
CLes |
Le nombre d'écoulements est déterminé par la fréquence d'écoulement.vj= 25°C, VPour la CE= 25V, VGénération génétique=0V |
5.03 |
NF |
||
Capacité de transmission inverse Transition arrièrecapacité de sphère |
Crés |
Le nombre d'écoulements est déterminé par la fréquence d'écoulement.vj= 25°C, VPour la CE=10V, VGénération génétique=0V |
0.18 |
NF |
||
集电极-发射极截止电流 Le flux électrique Émetteur-collecteur coupe-oFF courant |
Je suis...Le CES |
VPour la CE=1700V, VGénération génétique=0V, Tvj= 25°C |
3.00 |
- Je ne sais pas |
||
- Je ne sais pas.-Le flux électrique de fuite Émetteur de porte fuite courant |
Je suis...GES |
VPour la CE=0V, VGénération génétique= 20V, Tvj= 25°C |
400 |
nA |
||
开通延迟时间 Le temps est compté( charge électrique) Onction le temps de retard, inductive charge |
td(sur) |
Je suis...C= 75A, VPour la CE=Pour l'électricité VGénération génétique= ± 15 V RJe vais= 6,6Ω RJe vous en prie!= 6,6Ω
Inducteur Je vous en prie.d, |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
174 184
188 |
ns ns ns |
|
Le temps augmente.( charge électrique) Il est l'heure de se lever. inductive charge |
tR |
80 83
81 |
ns ns ns |
|||
关断延迟时间 Je suis désolé.( charge électrique) Retour dle temps d'écoulement, inductive charge |
td(éteint) |
319 380
401 |
ns ns ns |
|||
Il est temps de descendre.( charge électrique) À l'automne, inductive charge |
tf |
310 562
596 |
ns ns ns |
|||
开通 损耗能量 Le débit de courant(Chaque impulsion) Onction énergie les pertes par puIl est là. |
Esur |
24.7 27.6 28.4 |
MJ MJ |
|||
关断 损耗 能(Chaque impulsion) Énergie d'arrêt les pertes par le pouls |
Eéteint |
10.9 16.1 17.5 |
MJ MJ |
|||
短路 数据 SC données |
Je suis...SC |
VGénération génétique≤ 15 V, VCC=1000V VCEmax=VLe CES- Je sais.SCE·di/dt, tp= 10 μs, Tvj= 150°C |
240 |
Une |
结-外 热阻 La chaleur résistance,Le gouvernement cas |
Rle CJJ |
Pour - Je ne sais pas. Tout le monde.L'IGBT |
0.28 Nombre d'étoiles |
|||
température de travail Température etle changement Les conditions |
Tvjop |
- Quarante 150 °C |
||||
Diode, onduleur/ 二极管, inverseur Nombre maximal Valeur nominale/ valeur maximale déterminée |
||||||
Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Valeur Unités |
|||
tension électrique de pointe inverse et répétitive Le sommet répétitif tension inversee |
VRRM |
Tvj= 25°C |
1700 V |
|||
continu flux électrique Continuité DC pourcourant de la salle |
Je suis...F |
75 Une |
||||
Le courant électrique de pointe Le sommet courant avant répétitif |
Je suis...MFN |
tp= 1 ms |
150 A |
|||
PersonnageLes valeurs/ spécificité |
||||||
Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Je ne sais pas. Unités de type max. |
|||
Voltage électrique Voltage avant |
VF |
Je suis...F= 75A |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
1.59 1.72 1.71 |
2.25 |
V V V |
Flux électrique de pointe de récupération inverse
Le sommet à l'envers récupération cle revenu |
Je suis...RM |
Je suis...F= 75A - Je vous en prie.FJe vous en prie.éteint=1100A/μs VR = 900 V
VGénération génétique= 15V |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
85 101
108 |
Une Une Une |
|
恢复电荷 (réservation de charge) Frais de recouvrement |
Q. Je vous en prie.R |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
23.5 32.9 36.2 |
uC uC uC |
||
Perte de récupération inverse (à chaque impulsion) En arrière récupération énergie (par le pouls) |
ERéc |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
11.8 17.8 19.6 |
MJ MJ MJ |
||
结-外 热阻 La chaleur résistance,Le gouvernement cas |
Rle CJJ |
Par diode/ Chaque coup de foudre |
0.48 Nombre d'étoiles |
|||
température de travail Température etle changement Les conditions |
Tvjop |
- Quarante 150 °C |
Module / 模块
Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Valeur |
Unité s |
绝缘 test tension électrique Isolementtension d'essai |
VL'ISOL est |
RMS, f=50 Hz, t=1min |
4.0 |
KV |
模块基板材料 Les matériaux de base Matériau de le module plaque de base |
- Je vous en prie. |
|||
内部绝缘 Il y a un problème. Le secteur privé isolation |
基本绝缘(classe 1, Je suis...CE 61140) Les produits de base isolation (classe 1, IEC 61140) |
Je vous en prie.2Je vous en prie.3 |
||
爬电距离 est une distance - C'est pas vrai.la danse |
端子-散热片/ terminal to évier à chaleur 端子-端子/terminale à termineur |
17
20 |
mm |
|
电气间隙 Autorisation |
端子-散热片/ terminal to évier à chaleur 端子-端子/terminale à termineur |
17 9.5 |
mm |
|
Indice de traces électriques Suivi comparatif indice |
CTI |
> 200 |
Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
- Je vous en prie. |
Unités |
杂散电感, module Détourné inductance le module |
LSCE |
30 |
nH |
|||
模块引脚电阻, 端子 Je vous en prie.- Chips
Module Le plomb Résistance ,Les terminaux-Cla hanche |
RCC+EE RAA+CC |
0.65 |
mΩ |
|||
Température de stockage
Temps de stockagela perature |
TSgt. |
- Quarante |
125 |
°C |
||
模块安装的安装扭距 Torsion de montageque pour le module montage |
M |
M6 |
3.00 |
5.00 |
Nm |
|
端子 连接 torsion distance Connexion à la bornen couple |
M |
M5 |
3.00 |
5.00 |
Nm |
|
Le poids
Le poids |
G |
160 |
g |
IGBT IGBT
Caractéristique de sortie IGBT, onduleur (typique) Caractéristique de sortie IGBT, onduleur (typique)
IC=f (VCE) IC=f ((VCE)
VGE = 15V Tvj = 150°C
IGBT IGBT
Caractéristique de transfert IGBT, onduleur (typique) Perte de commutation IGBT, onduleur (typique)
IC=f ((VGE) E=f ((IC)
Pour les appareils de commande électronique, la puissance de commande électronique doit être supérieure ou égale à:
IGBT IGBT
Perte de commutation IGBT, onduleur (typique) Perte de commutation IGBT, onduleur (typique)
E=f (RG) E=f ((IC)
La puissance de compression est calculée en fonction de la puissance de compression de l'appareil.
IGBT IGBT
Perte de commutation IGBT, onduleur (typique) Impédance thermique transitoire IGBT, onduleur
Le nombre de fois où les données sont utilisées est le nombre de fois où les données sont utilisées.
Pour les appareils de traitement des ondes, la fréquence d'écoulement doit être supérieure ou égale à:
IGBT, RBSOA
Zone de fonctionnement sûre de déviation inverse IGBT, onduleur (RBSOA) Caractéristique avant de la diode, onduleur (typique)
Je suis...C=f(VCE)Je suis...F=f(VF)
VGénération génétique= ± 15V, RJe vous en prie!= 6,6Ω, Tvj = 150°C
Perte de commutation Diode, onduleur (typique) Perte de commutation Diode, onduleur (typique)
Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de la fréquence de travail.
RG = 6,6 Ω, VCE = 900V SI = 75A, VCE = 900V
Diode d'impédance thermique transitoire, onduleur
ZthJC=f (t)
Un "IGBT 1700V" est un transistor bipolaire à porte isolée capable de gérer une tension maximale de 1700 volts.comme les onduleurs à haute puissanceLes circuits de refroidissement et d'entraînement des portes sont essentiels pour des performances optimales.
Circuit électrique le schéma titre
Le paquet les contours