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IGBT discrète

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Modules IGBT automobiles personnalisés de 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0

Name: Modules IGBT automobiles personnalisés de 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0
Brand: Modules IGBT automobiles personnalisés de 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0
SKU: SPS100B17G3R8
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Numéro de modèle: SPS100B17G3R8

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La configuration:	Inverseur de 3 phases	Actuel - collecteur (IC) (maximum):	200A
Actuel - coupure de collecteur (maximum):	1 mA	Charge de porte:	100 nC
Type d'entrée:	La norme	Type de montage:	Montage du châssis
Température de fonctionnement:	-40°C à 150°C	Emballage / boîtier:	Module de 34 mm
Type de colis:	Module	Puissance maximale:	1.2 kW
Temps de récupération inverse (trr):	100ns	Énergie de changement:	1.2mJ
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):	600 V	Voltage - saturation de l'émetteur du collecteur (max):	1.8V

La configuration:	Inverseur de 3 phases
Actuel - collecteur (IC) (maximum):	200A
Actuel - coupure de collecteur (maximum):	1 mA
Charge de porte:	100 nC
Type d'entrée:	La norme
Type de montage:	Montage du châssis
Température de fonctionnement:	-40°C à 150°C
Emballage / boîtier:	Module de 34 mm
Type de colis:	Module
Puissance maximale:	1.2 kW
Temps de récupération inverse (trr):	100ns
Énergie de changement:	1.2mJ
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum):	600 V
Voltage - saturation de l'émetteur du collecteur (max):	1.8V

Modules IGBT automobiles personnalisés de 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0

Le débit de l'appareil est supérieur ou égal à la puissance de l'appareil.0

Unité de régulation 100A L'IGBT La moitié. Le pont Module

Unité de régulation 100A L'IGBT

Modules IGBT automobiles personnalisés de 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 0

Caractéristiques:

□ Technologie de déclenchement de 1700 V

□ Diodes à roue libre avec récupération inverse rapide et douce

□ V_{CE (sat)}avec un coefficient de température positif

□ Faibles pertes de commutation

Typique Applications:

□ Moteur/servo-entraînement

□ Convertisseurs de haute puissance

□ Télécommandes

□ Les photovoltaïques

Le paquet

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs			Unité
Voltage d'essai d'isolation	VISOL	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		4.0			KV
Matériau de la plaque de base du module				- Je vous en prie.
Isolement interne		(classe 1, CEI 61140) Isolement de base (classe 1, CEI 61140)		Je vous en prie.₂Je vous en prie.₃
Distance de ramassage	- C'est pas vrai.	terminal à évier thermique		17.0			mm
	- C'est pas vrai.	de terminal à terminal		20.0
Autorisation	Je vous en prie.	terminal à évier thermique		17.0			mm
	Je vous en prie.	de terminal à terminal		9.5
Indice de suivi comparatif	CTI			> 200

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs			Unité
				Je ne sais pas.	- Je sais.	- Je vous en prie.
Module d'inductivité errante	LsCE				20		nH
Résistance au plomb du module, bornes - puce	RCC+EE		T_C= 25°C		0.65		mΩ
Température de stockage	Tstg			- Quarante		125	°C
couple de montage pour le montage du module	M6			3.0		5.0	Nm
couple de connexion de borne	M5			2.5		5.0	Nm
Le poids	G				160		g

L'IGBT

Nombre maximal Nommé Les valeurs

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs	Unité
Voltage du collecteur-émetteur	VCES		T_vj= 25°C	1700	V
Voltage maximal de l'émetteur de la porte	VGES			± 20	V
Voltage transitoire émetteur-porte	VGES	t_p≤ 10 μs, D=0.01		± 30	V
Courant continu du collecteur en courant continu	Je suis..._C		T_C= 25°C	180	Une
Courant continu du collecteur en courant continu	Je suis..._C		T_C= 100°C	100	Une
Courant de collecteur pulsé,tp limité par T_jmax	ICpulse			200	Une
Dissipation de puissance	Ptot			535	W

Caractéristique Les valeurs

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs			Unité
Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Je ne sais pas.	- Je sais.	- Je vous en prie.	Unité
Voltage de saturation du collecteur-émetteur	VCE (sat)	Je suis..._C= 100A, V_{Génération génétique}=15V	T_vj= 25°C		1.65	1.95	V
			T_vj= 125°C		1.90
			T_vj= 150°C		1.92
Voltage de seuil de sortie	VGE (ème)	V_{Pour la CE}=V_{Génération génétique}Je..._C= 4 mA		5.0	5.8	6.5	V
Courant de coupure collecteur-émetteur	Le CIEM	V_{Pour la CE}=1700V, V_{Génération génétique}=0V	T_vj= 25°C			100	μA
Courant de coupure collecteur-émetteur	Le CIEM	V_{Pour la CE}=1700V, V_{Génération génétique}=0V	T_vj= 150°C			5	- Je ne sais pas
Courant de fuite de l'émetteur-porte	IGES	V_{Pour la CE}=0V,V_{Génération génétique}= ± 20V, T_vj= 25°C		- Je vous en prie.		200	nA
Charge de la porte	Q. Je vous en prie._G	V_{Pour la CE}= 900 V, I_C= 75A, V_{Génération génétique}= ± 15 V			0.6		Le taux de décomposition
Capacité d'entrée	- Je vous en prie.	V_{Pour la CE}= 25V, V_{Génération génétique}=0V, f =100kHz			9.00		NF
Capacité de sortie	Coés				0.58
Capacité de transfert inverse	Crédits				0.14
Résistance de porte interne	RGint	T_vj= 25°C			9		Oh
Temps de retard d'allumage, charge inductive	Td (en)	V_CC= 900V,I_C= 100A R_G= 5,1Ω, V_{Génération génétique}= ± 15 V	T_vj= 25°C		194		ns
			T_vj= 125°C		218		ns
			T_vj= 150°C		222		ns
Temps de montée, charge inductive	t_R		T_vj= 25°C		48		ns
			T_vj= 125°C		60		ns
			T_vj= 150°C		66		ns
Temps de retard d'arrêt, charge inductive	Td (arrêt)	V_CC= 900V,I_C= 100A R_G= 5,1Ω, V_{Génération génétique}= ± 15 V	T_vj= 25°C		322		ns
			T_vj= 125°C		494		ns
			T_vj= 150°C		518		ns
Temps de chute, charge inductive	t_f		T_vj= 25°C		500		ns
			T_vj= 125°C		676		ns
			T_vj= 150°C		740		ns
Perte d'énergie de mise en marche par impulsion	Eon	V_CC= 900V,I_C= 100A R_G= 5,1Ω, V_{Génération génétique}= ± 15 V	T_vj= 25°C		20.1		MJ
			T_vj= 125°C		33.4		MJ
			T_vj= 150°C		36.8		MJ
Désactiver Perte d' énergie par impulsion	Je vous en prie.		T_vj= 25°C		20.7		MJ
			T_vj= 125°C		30.6		MJ
			T_vj= 150°C		32.8		MJ
Données SC	CSI	V_{Génération génétique}≤ 15 V, V_CC= 900V	tp≤10 μs T_vj= 150°C			360	Une
Résistance thermique IGBT, boîtier de jonction	RthJC					0.28	Nombre d'étoiles
Température de fonctionnement	TJop			- Quarante		175	°C

Diode électrique

Nombre maximal Nommé Les valeurs

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs	Unité
Voltage inverse répétitif	VRRM		T_vj= 25°C	1700	V
Courant continu continu vers l'avant	Je suis..._F		T_C= 25°C	140	Une
Courant continu continu vers l'avant	Je suis..._F		T_C= 100°C	100
Courant pulsé de diode,tp limité par T_Jmax	Si vous avez un problème			200

Caractéristique Les valeurs

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs			Unité
				Je ne sais pas.	- Je sais.	- Je vous en prie.
Voltage avant	V_F	Je suis..._F= 100A, V_{Génération génétique}=0V	T_vj= 25°C		2.00	2.40	V
			T_vj= 125°C		2.15
			T_vj= 150°C		2.20
Temps de récupération inverse	trr	Je suis..._F= 100A Le_F/dt=-2100A/μs (T)_vj= 150°C) V_R= 900 V, V_{Génération génétique}= 15V	T_vj= 25°C		120		ns
			T_vj= 125°C		180
			T_vj= 150°C		200
Courant de récupération inverse de pointe	MIPR		T_vj= 25°C		193		Une
			T_vj= 125°C		216
			T_vj= 150°C		218
Frais de recouvrement inversés	RRQ		T_vj= 25°C		20		Le taux de décomposition
			T_vj= 125°C		40
			T_vj= 150°C		47
Perte d'énergie de récupération inverse par impulsion	Érec		T_vj= 25°C		4.9		MJ
			T_vj= 125°C		21.2
			T_vj= 150°C		24.1
Résistance thermique de diode, boîtier de jonction	RthJCD					0.40	Nombre d'étoiles
Température de fonctionnement	TJop			- Quarante		175	°C

Produits caractéristique (typique) Sortie caractéristique (typique)

Je suis..._C= f (V)_{Pour la CE}) Je_C= f (V)_{Pour la CE}) T_vj= 150°C

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Le transfert caractéristique (typique) les pertes L'IGBT(typique)

Je suis..._C= f (V)_{Génération génétique}) E = f (R_G)

V_{Pour la CE}= 20 V V_{Génération génétique}= ± 15 V, I_C= 100A, V_{Pour la CE}= 900V

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RBSOA de type IGBT

Déplacement les pertes L'IGBT(typique) À l'envers préjugés en toute sécurité fonctionnement zone (RBSOA)

E = f (I)_C) Je_C=f (V)_{Pour la CE})

V_{Génération génétique}= ±15V, R_G= 5,1 Ω, V_{Pour la CE}= 900 V V_{Génération génétique}= ±15V, R_{le goff}= 5,1Ω, T_vj= 150°C

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Typique capacité comme a) fonction de collecteur-émetteur tension Charge de porte (typique)

C = f (V)_{Pour la CE}) V_{Génération génétique}= f (Q)_G)

f = 100 kHz, V_{Génération génétique}= 0V I_C= 100A, V_{Pour la CE}= 900V

L'IGBT

L'IGBT transitoire thermique impédance comme a) fonction de pouls largeur Avance caractéristique de Diode électrique (typique)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V)_F)

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Perte de commutationPerte de diode (typique)

E_Réc= f (R_G) E_Réc= f (I_F)

Je suis..._F= 100A, V_{Pour la CE}= 900V R_G= 5,1Ω, V_{Pour la CE}= 900V

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Diode électrique transitoire thermique impédance comme a) fonction de le pouls largeur

Zth(j-c) = f (t)

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Le "module à demi-pont IGBT de 1700 V 100 A" intègre deux IGBT dans une configuration à demi-pont, adapté aux applications nécessitant une puissance modérée.Il fournit un contrôle précis de la tension (1700V) et du courant (100A), nécessitant un refroidissement efficace pour un fonctionnement fiable.

Circuit électrique le schéma titre

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Le paquet les contours

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Dimensions en mm

Tags:

Modules IGBT 34 mm

Modules IGBT 62 mm

Modules IGBT EconoDual3

Modules IGBT EasyPIM

Modules IGBT EconoPack

Modules IGBT EconoPIM

Modules automobiles

Discrètes de SiC hybrides

Transistor MOSFET discret

IGBT discrète

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Modules IGBT automobiles sur mesure

Modules IGBT automobiles de 34 mm

Modules personnalisés 34 mm

Nombre maximal Nommé Les valeurs

Nombre maximal Nommé Les valeurs

Module de freinage pour hélicoptère,

Modules des véhicules à moteur d'IGBT,

Module d'hélicoptère IGBT

Le système de régulation de l'électricité doit être équipé d'un système de régulation de l'électricité.

Le module d'alimentation à demi-pont IGBT 1200V 75A à alimentation solide DS-SPS75B12G3H6-S04010018 V-2.0

Le module de demi-pont IGBT Mosfet est doté d'une puissance solide de 50 A et d'une tension de 1200 V.0

Le module IGBT de pont H de 1700V 75A est défini comme le module DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

Module de détection de détection de détection de détection