Module de détection de détection de détection de détection

Le système d'alimentation est équipé d'un système d'alimentation de type "A" et d'un système d'alimentation de type "B".

Pour les appareils électroniques 100A L'IGBT La moitié. Le pont Module

Pour les appareils électroniques 100A L'IGBT 

Caractéristiques:

D Technologie de détection de décharge de 1200 V

□ Diodes à roue libre avec récupération inverse rapide et douce

□ V_{CE (sat)}avec un coefficient de température positif

□ Faibles pertes de commutation

TypiqueApplications: 

□ Soudage

Produits caractéristique (typique) Sortie caractéristique (typique)

Je suis..._C= f (V)_{Pour la CE}) Je_C= f (V)_{Pour la CE}) T_vj= 150°C

                                                                                                                   L'IGBT

Le transfert caractéristique (typique) les pertes L'IGBT(typique)

Je suis..._C= f (V)_{Génération génétique}) E = f (R_G)

V_{Pour la CE}= 20 V V_{Génération génétique}= ± 15 V, I_C= 30A, V_{Pour la CE}= 600V

RBSOA de type IGBT

 Déplacement les pertes L'IGBT(typique) À l'envers préjugés en toute sécurité fonctionnement zone (RBSOA)

E = f (I)_C) Je_C=f (V)_{Pour la CE})

V_{Génération génétique}= ±15V, R_G= 10Ω, V_{Pour la CE}= 600 V V_{Génération génétique}= ±15V, R_{le goff}= 10Ω, T_vj= 150°C

Typique capacité comme a) fonction de collecteur-émetteur porte de tension charge(typique)

C = f (V)_{Pour la CE}) V_{Génération génétique}= f (Q)_G)

f = 100 kHz, V_{Génération génétique}= 0V I_C= 100A, V_{Pour la CE}= 600V

L'IGBT

L'IGBT transitoire thermique impédance comme a) fonction de le pouls largeur Avance caractéristique de Diode électrique (typique)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V)_F)

   Déplacement les pertes Diode (typique) Commutation les pertes Diode (typique)

E_Réc= f (R_G) E_Réc= f (I_F)

Je suis..._F= 30A, V_{Pour la CE}= 600V R_G= 10Ω, V_{Pour la CE}= 600V

Diode électrique transitoire thermique impédance comme a) fonction de le poulslargeur

Zth(j-c) = f (t)