Le véhicule est équipé d'un système de contrôle de la circulation.0Module de détection de détection de détection
Le système est équipé d'un moteur de commande à commande automatique.0.
Pour les appareils électroniques 450A L'IGBT La moitié. Le pont Module
Caractéristiques:
D Technologie de détection de décharge de 1200 V
□ Diodes à roue libre avec récupération inverse rapide et douce
□ VCE (sat)avec un coefficient de température positif
□ Faibles pertes de commutation
□ Résistance au court-circuit
□ Le chauffage par induction
□ Soudage
□ Application de commutation à haute fréquence
Paquet IGBT
| Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Les valeurs |
Unité |
|
Voltage d'essai d'isolation
|
VISOL |
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min |
4.0 |
KV |
|
Matériau de la plaque de base du module
|
|
|
- Je vous en prie. |
|
|
Isolement interne
|
|
(classe 1, CEI 61140)
Isolement de base (classe 1, CEI 61140)
|
Je vous en prie.2Je vous en prie.3 |
|
|
Distance de ramassage
|
- C'est pas vrai. |
terminal à évier thermique |
29.0 |
mm |
| - C'est pas vrai. |
de terminal à terminal |
23.0 |
|
Autorisation
|
Je vous en prie. |
terminal à évier thermique |
23.0 |
mm |
| Je vous en prie. |
de terminal à terminal |
11.0 |
|
Indice de suivi comparatif
|
CTI |
|
> 400 |
|
| |
|
| Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Les valeurs |
Unité |
| Je ne sais pas. |
- Je sais. |
- Je vous en prie. |
|
Module d'inductivité errante
|
LsCE |
|
|
20 |
|
nH |
|
Résistance au plomb du module, bornes - puce
|
RCC+EE |
|
TC= 25°C |
|
0.70 |
|
mΩ |
|
Température de stockage
|
Tstg |
|
- Quarante |
|
125 |
°C |
|
couple de montage pour le montage du module
|
M5 |
|
3.0 |
|
6.0 |
Nm |
|
couple de connexion de borne
|
M6 |
|
2.5 |
|
5.0 |
Nm |
|
Le poids
|
G |
|
|
320 |
|
g |
IGBT maximum Nommé Les valeurs
| Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Les valeurs |
Unité |
|
Voltage du collecteur-émetteur
|
VCES |
|
Tvj= 25°C |
1200 |
V |
|
Voltage maximal de l'émetteur de la porte
|
VGES |
|
± 20 |
V |
|
Voltage transitoire émetteur-porte
|
VGES |
tp≤ 10 μs, D=0.01 |
± 30 |
V |
|
Courant continu du collecteur en courant continu
|
Je suis...C |
|
TC= 25°C |
675 |
Une |
| TC= 100°C |
450 |
|
Courant de collecteur pulsé,tp limité par Tjmax
|
ICpulse |
|
900 |
Une |
|
Dissipation de puissance
|
Ptot |
|
1875 |
W |
Caractéristique Les valeurs
| Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Les valeurs |
Unité |
| Je ne sais pas. |
- Je sais. |
- Je vous en prie. |
|
Voltage de saturation du collecteur-émetteur
|
VCE (sat) |
Je suis...C= 450 A, VGénération génétique=15V |
Tvj= 25°C |
|
1.50 |
1.80 |
V
|
| Tvj= 125°C |
|
1.65 |
|
| Tvj= 150°C |
|
1.70 |
|
|
Voltage de seuil de sortie
|
VGE (ème) |
VPour la CE=VGénération génétiqueJe...C= 18 mA |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
V |
|
Courant de coupure collecteur-émetteur
|
Le CIEM |
VPour la CE=1200V, VGénération génétique=0V |
Tvj= 25°C |
|
|
100 |
μA |
| Tvj= 150°C |
|
|
5 |
- Je ne sais pas |
|
Courant de fuite de l'émetteur-porte
|
IGES |
VPour la CE=0V,VGénération génétique= ± 20V, Tvj= 25°C |
- Je vous en prie. |
|
200 |
nA |
|
Charge de la porte
|
Q. Je vous en prie.G |
VPour la CE= 600 V, IC= 450 A, VGénération génétique= ± 15 V |
|
5.0 |
|
Le taux de décomposition |
|
Capacité d'entrée
|
- Je vous en prie. |
VPour la CE= 25V, VGénération génétique=0V, f =100kHz |
|
90.0 |
|
NF
|
|
Capacité de sortie
|
Coés |
|
2.84 |
|
|
Capacité de transfert inverse
|
Crédits |
|
0.81 |
|
|
Temps de retard d'allumage, charge inductive
|
Td (en) |
VCC= 600V,IC= 450 A RG=1,8Ω,
VGénération génétique=15V
|
Tvj= 25°C |
|
168 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
172 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
176 |
|
ns |
|
Temps de montée, charge inductive
|
tR |
Tvj= 25°C |
|
80 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
88 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
92 |
|
ns |
|
Temps de retard d'arrêt, charge inductive
|
Td (arrêt) |
VCC= 600V,IC= 450 A RG=1,8Ω,
VGénération génétique=15V
|
Tvj= 25°C |
|
624 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
668 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
672 |
|
ns |
|
Temps de chute, charge inductive
|
tf |
Tvj= 25°C |
|
216 |
|
ns |
| Tvj= 125°C |
|
348 |
|
ns |
| Tvj= 150°C |
|
356 |
|
ns |
|
Perte d'énergie de mise en marche par impulsion
|
Eon |
VCC= 600V,IC= 450 A RG=1,8Ω,
VGénération génétique=15V
|
Tvj= 25°C |
|
17.2 |
|
MJ |
| Tvj= 125°C |
|
27.1 |
|
MJ |
| Tvj= 150°C |
|
30.0 |
|
MJ |
|
Désactiver Perte d' énergie par impulsion
|
Je vous en prie. |
Tvj= 25°C |
|
52.3 |
|
MJ |
| Tvj= 125°C |
|
64.3 |
|
MJ |
| Tvj= 150°C |
|
67.1 |
|
MJ |
|
Données SC
|
CSI |
VGénération génétique≤ 15 V, VCC= 800V |
tp≤10 μs Tvj= 150°C |
|
|
2000 |
Une |
|
Résistance thermique IGBT, boîtier de jonction
|
RthJC |
|
|
|
0.08 |
Nombre d'étoiles |
|
Température de fonctionnement
|
TJop |
|
- Quarante |
|
150 |
°C |
Diode électrique Nombre maximal Nommé Les valeurs
| Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Les valeurs |
Unité |
|
Voltage inverse répétitif
|
VRRM |
|
Tvj= 25°C |
1200 |
V |
|
Courant continu continu vers l'avant
|
Je suis...F |
|
450 |
Une
|
|
Courant pulsé de diode,tp limité par TJmax
|
Si vous avez un problème |
|
900 |
Caractéristique Les valeurs
| Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Les valeurs |
Unité |
| Je ne sais pas. |
- Je sais. |
- Je vous en prie. |
|
Voltage avant
|
VF |
Je suis...F= 450 A, VGénération génétique=0V |
Tvj= 25°C |
|
2.30 |
2.70 |
V
|
| Tvj= 125°C |
|
2.50 |
|
| Tvj= 150°C |
|
2.50 |
|
|
Temps de récupération inverse
|
trr |
Je suis...F= 450A
LeF/dt=-5600A/μs (T)vj= 150°C) VR= 600 V,
VGénération génétique= 15V
|
Tvj= 25°C |
|
134 |
|
ns
|
| Tvj= 125°C |
216 |
| Tvj= 150°C |
227 |
|
Courant de récupération inverse de pointe
|
MIPR |
Tvj= 25°C |
|
317 |
|
Une
|
| Tvj= 125°C |
376 |
| Tvj= 150°C |
379 |
|
Frais de recouvrement inversés
|
RRQ |
Tvj= 25°C |
|
40.5 |
|
Le taux de décomposition
|
| Tvj= 125°C |
63.2 |
| Tvj= 150°C |
65.4 |
|
Perte d'énergie de récupération inverse par impulsion
|
Érec |
Tvj= 25°C |
|
15.9 |
|
MJ
|
| Tvj= 125°C |
27.0 |
| Tvj= 150°C |
28.1 |
|
Résistance thermique de diode, boîtier de jonction
|
RthJCD |
|
|
|
0.13 |
Nombre d'étoiles |
|
Température de fonctionnement
|
TJop |
|
- Quarante |
|
150 |
°C |
Produits caractéristique (typique) Sortie caractéristique (typique)
Je suis...C= f (V)Pour la CE) JeC= f (V)Pour la CE) Tvj= 150°C
L'IGBT
Le transfert caractéristique (typique) les pertes L'IGBT(typique)
Je suis...C= f (V)Génération génétique) E = f (RG)
VPour la CE= 20 V VGénération génétique= ± 15 V, IC= 450 A, VPour la CE= 600V
RBSOA de type IGBT
Déplacement les pertes L'IGBT(typique) À l'envers préjugés en toute sécurité fonctionnement zone (RBSOA)
E = f (I)C) JeC=f (V)Pour la CE)
VGénération génétique= ±15V, RG= 1,8 Ω, VPour la CE= 600 V VGénération génétique= ±15V, Rle goff= 3,3Ω, Tvj= 150°C
Typique capacité comme a) fonction de collecteur-émetteur porte de tension charge(typique)
C = f (V)Pour la CE) VGénération génétique= f (Q)G)
f = 100 kHz, VGénération génétique= 0V IC= 450 A, VPour la CE= 600V
L'IGBT
L'IGBT transitoire thermique impédance comme a) fonction de le pouls largeur Avance caractéristique de Diode électrique (typique)
Zth(j-c) = f (t) IF= f (V)F)
Déplacement les pertes Diode (typique) Commutation les pertes Diode (typique)
ERéc= f (RG) ERéc= f (IF)
Je suis...F= 450 A, VPour la CE= 600V RG= 1,8Ω, VPour la CE= 600V
Diode électrique transitoire thermique impédance comme a) fonction de le poulslargeur
Zth(j-c) = f (t)
Un IGBT de 1200 V (transistor bipolaire à porte isolée) est un dispositif semi-conducteur avec une tension nominale de 1200 volts.Ce type de dispositif est couramment utilisé dans les applications haute tension telles que les onduleurs de puissance et les moteurs.
Points clés:
1. Voltage nominal (1200V): indique la tension maximale que l'IGBT peut supporter. Convient pour les applications nécessitant un contrôle haute tension,comme les moteurs à grande puissance et les sources d'alimentation ininterrompues.
2. Applications: les IGBT de 1200 V sont courants dans les domaines à haute puissance tels que les entraînements de moteurs industriels, les alimentations sans interruption (UPS), les systèmes d'énergie renouvelable, etc.,où un contrôle précis de la haute tension est nécessaire.
3Vitesse de commutation: les IGBT peuvent s'allumer et s'éteindre rapidement, ce qui les rend adaptés aux applications nécessitant une commutation à haute fréquence.Les caractéristiques de commutation spécifiques dépendent du modèle et du fabricant.
4. Exigences de refroidissement:** Comme beaucoup d'appareils électroniques de puissance, les IGBT génèrent de la chaleur pendant le fonctionnement.sont souvent nécessaires pour assurer les performances et la fiabilité du dispositif.
5. Fiche de données: Pour obtenir des informations détaillées sur un IGBT spécifique de 1200 V, il est essentiel de se référer à la fiche de données du fabricant.caractéristiques électriques, ainsi que des lignes directrices pour l'application et la gestion thermique.
Lors de l'utilisation d'un IGBT de 1200 V dans un circuit ou un système, les concepteurs doivent tenir compte de facteurs tels que les exigences en matière d'entraînement des portes, les mécanismes de protection,et des considérations thermiques pour assurer un fonctionnement correct et fiable.
Circuit électrique le schéma titre
Le paquet les contours
Dimensions en mm
mm
Votre message doit contenir entre 20 et 3 000 caractères!
