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Modules IGBT personnalisés de 62 mm à faible perte de commutation DS-SPS200B17G6R8-S04020023 V1.0

Name: Modules IGBT personnalisés de 62 mm à faible perte de commutation DS-SPS200B17G6R8-S04020023 V1.0
Brand: Modules IGBT personnalisés de 62 mm à faible perte de commutation DS-SPS200B17G6R8-S04020023 V1.0
SKU: SPS200B17G6R8
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Numéro de modèle: SPS200B17G6R8

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Tension de saturation de collecteur-émetteur:	2.5V	Actuel:	100A
courant de fuite de Porte-émetteur:	±100nA	tension de seuil de Porte-émetteur:	5V
Voltage d'isolation:	2500Vrms	Courant de collecteur maximum:	200A
Dissipation maximale de la puissance du collecteur:	500 W	Tension de collecteur-émetteur maximum:	Pour les appareils électroniques
Température de fonctionnement:	-40°C à +150°C	Type de colis:	62 mm
fréquence de commutation:	20 KHZ	Plage de température:	-40°C à +150°C
Résistance thermique:	0.1°C/W	Voltage:	600 V

Tension de saturation de collecteur-émetteur:	2.5V
Actuel:	100A
courant de fuite de Porte-émetteur:	±100nA
tension de seuil de Porte-émetteur:	5V
Voltage d'isolation:	2500Vrms
Courant de collecteur maximum:	200A
Dissipation maximale de la puissance du collecteur:	500 W
Tension de collecteur-émetteur maximum:	Pour les appareils électroniques
Température de fonctionnement:	-40°C à +150°C
Type de colis:	62 mm
fréquence de commutation:	20 KHZ
Plage de température:	-40°C à +150°C
Résistance thermique:	0.1°C/W
Voltage:	600 V

Modules IGBT personnalisés de 62 mm à faible perte de commutation DS-SPS200B17G6R8-S04020023 V1.0

Les émissions de gaz à effet de serre ne sont pas de l'ordre des émissions de gaz à effet de serre.0

Unité de régulation 200A L'IGBT La moitié. Le pont Module

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Caractéristiques:

□ Technologie de déclenchement de 1700 V

□ Diodes à roue libre avec récupération inverse rapide et douce

□ V_{CE (sat)}avec un coefficient de température positif

□ Faibles pertes de commutation

Typique Applications:

□ Moteur/servo-entraînement

□ Convertisseurs de haute puissance

□ Télécommandes

□ Les photovoltaïques

Le paquet

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs			Unité
Voltage d'essai d'isolation	VISOL	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		4.0			KV
Matériau de la plaque de base du module				- Je vous en prie.
Isolement interne		(classe 1, CEI 61140) Isolement de base (classe 1, CEI 61140)		Je vous en prie.₂Je vous en prie.₃
Distance de ramassage	- C'est pas vrai.	terminal à évier thermique		29.0			mm
	- C'est pas vrai.	de terminal à terminal		23.0
Autorisation	Je vous en prie.	terminal à évier thermique		23.0			mm
	Je vous en prie.	de terminal à terminal		11.0
Indice de suivi comparatif	CTI			> 400

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs			Unité
				Je ne sais pas.	- Je sais.	- Je vous en prie.
Module d'inductivité errante	LsCE				20		nH
Résistance au plomb du module, bornes - puce	RCC+EE		T_C= 25°C		0.70		mΩ
Température de stockage	Tstg			- Quarante		125	°C
couple de montage pour le montage du module	M6			3.0		6.0	Nm
couple de connexion de borne	M6			2.5		5.0	Nm
Le poids	G				320		g

L'IGBT

Nombre maximal Nommé Les valeurs

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs	Unité
Voltage du collecteur-émetteur	VCES		T_vj= 25°C	1700	V
Voltage maximal de l'émetteur de la porte	VGES			± 20	V
Voltage transitoire émetteur-porte	VGES	t_p≤ 10 μs, D=0.01		± 30	V
Courant continu du collecteur en courant continu	Je suis..._C		T_C= 25°C	360	Une
Courant continu du collecteur en courant continu	Je suis..._C		T_C= 100°C	200	Une
Courant de collecteur pulsé,tp limité par T_jmax	ICpulse			400	Une
Dissipation de puissance	Ptot			1070	W

Caractéristique Les valeurs

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs			Unité
Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Je ne sais pas.	- Je sais.	- Je vous en prie.	Unité
Voltage de saturation du collecteur-émetteur	VCE (sat)	Je suis..._C= 200A, V_{Génération génétique}=15V	T_vj= 25°C		1.65	1.95	V
			T_vj= 125°C		1.90
			T_vj= 150°C		1.92
Voltage de seuil de sortie	VGE (ème)	V_{Pour la CE}=V_{Génération génétique}Je..._C= 8mA		5.0	5.8	6.5	V
Courant de coupure collecteur-émetteur	Le CIEM	V_{Pour la CE}=1700V, V_{Génération génétique}=0V	T_vj= 25°C			100	μA
Courant de coupure collecteur-émetteur	Le CIEM	V_{Pour la CE}=1700V, V_{Génération génétique}=0V	T_vj= 150°C			5	- Je ne sais pas
Courant de fuite de l'émetteur-porte	IGES	V_{Pour la CE}=0V,V_{Génération génétique}= ± 20V, T_vj= 25°C		- Je vous en prie.		200	nA
Charge de la porte	Q. Je vous en prie._G	V_{Pour la CE}= 900 V, I_C= 200A, V_{Génération génétique}= ± 15 V			1.2		Le taux de décomposition
Capacité d'entrée	- Je vous en prie.	V_{Pour la CE}= 25V, V_{Génération génétique}=0V, f =100kHz			18.0		NF
Capacité de sortie	Coés				1.06
Capacité de transfert inverse	Crédits				0.28
Résistance de porte interne	RGint	T_vj= 25°C			4.5		Oh
Temps de retard d'allumage, charge inductive	Td (en)	V_CC= 900V,I_C= 200A R_G= 3,3Ω, V_{Génération génétique}= ± 15 V	T_vj= 25°C		188		ns
			T_vj= 125°C		228		ns
			T_vj= 150°C		232		ns
Temps de montée, charge inductive	t_R		T_vj= 25°C		56		ns
			T_vj= 125°C		68		ns
			T_vj= 150°C		72		ns
Temps de retard d'arrêt, charge inductive	Td (arrêt)	V_CC= 900V,I_C= 200A R_G= 3,3Ω, V_{Génération génétique}= ± 15 V	T_vj= 25°C		200		ns
			T_vj= 125°C		600		ns
			T_vj= 150°C		620		ns
Temps de chute, charge inductive	t_f		T_vj= 25°C		470		ns
			T_vj= 125°C		710		ns
			T_vj= 150°C		745		ns
Perte d'énergie de mise en marche par impulsion	Eon	V_CC= 900V,I_C= 200A R_G= 3,3Ω, V_{Génération génétique}= ± 15 V	T_vj= 25°C		33.2		MJ
			T_vj= 125°C		52.2		MJ
			T_vj= 150°C		59.9		MJ
Désactiver Perte d' énergie par impulsion	Je vous en prie.		T_vj= 25°C		49.1		MJ
			T_vj= 125°C		67.3		MJ
			T_vj= 150°C		70.5		MJ
Données SC	CSI	V_{Génération génétique}≤ 15 V, V_CC= 900V	tp≤10 μs T_vj= 150°C			720	Une
Résistance thermique IGBT, boîtier de jonction	RthJC					0.14	Nombre d'étoiles
Température de fonctionnement	TJop			- Quarante		175	°C

Diode électrique

Nombre maximal Nommé Les valeurs

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs	Unité
Voltage inverse répétitif	VRRM		T_vj= 25°C	1700	V
Courant continu continu vers l'avant	Je suis..._F		T_C= 25°C	280	Une
Courant continu continu vers l'avant	Je suis..._F		T_C= 100°C	200
Courant pulsé de diode,tp limité par T_Jmax	Si vous avez un problème			400

Caractéristique Les valeurs

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs			Unité
				Je ne sais pas.	- Je sais.	- Je vous en prie.
Voltage avant	V_F	Je suis..._F= 200A, V_{Génération génétique}=0V	T_vj= 25°C		2.00	2.40	V
			T_vj= 125°C		2.15
			T_vj= 150°C		2.20
Temps de récupération inverse	trr	Je suis..._F= 200 A Le_F/dt=-3500A/μs (T)_vj= 150°C) V_R= 900 V, V_{Génération génétique}= 15V	T_vj= 25°C		140		ns
			T_vj= 125°C		220
			T_vj= 150°C		275
Courant de récupération inverse de pointe	MIPR		T_vj= 25°C		307		Une
			T_vj= 125°C		317
			T_vj= 150°C		319
Frais de recouvrement inversés	RRQ		T_vj= 25°C		45		Le taux de décomposition
			T_vj= 125°C		77
			T_vj= 150°C		89
Perte d'énergie de récupération inverse par impulsion	Érec		T_vj= 25°C		20.4		MJ
			T_vj= 125°C		39.6
			T_vj= 150°C		45.2
Résistance thermique de diode, boîtier de jonction	RthJCD					0.20	Nombre d'étoiles
Température de fonctionnement	TJop			- Quarante		175	°C

Produits caractéristique (typique) Sortie caractéristique (typique)

Je suis..._C= f (V)_{Pour la CE}) Je_C= f (V)_{Pour la CE})

T_vj= 150°C

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L'IGBT

Le transfert caractéristique (typique) les pertes L'IGBT(typique)

Je suis..._C= f (V)_{Génération génétique}) E = f (R_G)

V_{Pour la CE}= 20 V V_{Génération génétique}= ± 15 V, I_C= 200A, V_{Pour la CE}= 900V

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RBSOA de type IGBT

Déplacement les pertes L'IGBT(typique) À l'envers préjugés en toute sécurité fonctionnement zone (RBSOA)

E = f (I)_C) Je_C=f (V)_{Pour la CE})

V_{Génération génétique}= ±15V, R_G= 3,3Ω, V_{Pour la CE}= 900 V V_{Génération génétique}= ±15V, R_{Je vous en prie!}= 3,3Ω, T_vj= 150°C

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Typique capacité comme a) fonction de collecteur-émetteur tension Charge de porte (typique)

C = f (V)_{Pour la CE}) V_{Génération génétique}= f (Q)_G)

f = 100 kHz, V_{Génération génétique}= 0V I_C= 200A, V_{Pour la CE}= 900V

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L'IGBT

L'IGBT transitoire thermique impédance comme a) fonction de pouls largeur Avance caractéristique de Diode électrique (typique)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V)_F)

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Perte de commutationPerte de diode (typique)

E_Réc= f (R_G) E_Réc= f (I_F)

Je suis..._F= 200A, V_{Pour la CE}= 900V R_G= 3,3Ω, V_{Pour la CE}= 900V

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Diode électrique transitoire thermique impédance comme a) fonction de le pouls largeur

Zth(j-c) = f (t)

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Le "module IGBT à demi-pont 1700V 200A" intègre deux IGBT dans une configuration à demi-pont.offrant un contrôle précis de la tension (1700V) et du courant (200A)Un refroidissement efficace est essentiel pour un fonctionnement fiable, et des spécifications détaillées peuvent être trouvées dans la fiche du fabricant.

Circuit électrique le schéma titre

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Le paquet les contours

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Faibles pertes de commutation Modules IGBT 62 mm

Modules IGBT à faible perte de commutation

Nombre maximal Nommé Les valeurs

Nombre maximal Nommé Les valeurs

Module d'alimentation IGBT,

Module IGBT de pont H,

Module de la puissance élevée IGBT

Le module de demi-pont IGBT de 200A à 1200V 62 mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005