1200V 300A SiC MOSFET Module à demi-ponte semi-conducteur DS-SPS300MB12G6S-S04310004

MOSFET

Nombre maximal Valeur nominale/ Maximum défini值

Nom de l'article

Le symbole

Conditions d'utilisation

Valeur

Unités

漏极-源极 tension électrique

Voltage de la source de vidange

VDSS

Tvj= 25°C

1200

V

dégagement continu dégagement continu

Continués DC courant de drainage

Je suis...D

VGS= 20V, TC= 25°C, Tvjmax= 175°C

VGS= 20V, TC= 85°C, Tvjmax= 175°C

400

300

Une

脉冲漏极 courant électrique

Évacuation pulsée courant

Je suis...D le pouls

Largeur d'impulsion tplimité parTvjmax

1200

Une

Perte de puissance totale

Nombre total puissance disperséLe gouvernement

Ptout

TC= 25°C,Tvjmax= 175°C

1153

W

Le niveau d'énergie maximal de l'appareil

Portée maximale- tension de la source

VGSS

- 10/25

V

PersonnageLes valeurs/ 特征值 valeur de caractère

Nom de l'article

Le symbole

Conditions d'utilisation

Je ne sais pas. - Je sais. - Je vous en prie.

Unités

漏极-源极通态 résistance électrique

Source de drainage allumée résistance

RRésultats de l'enquête( sur)

Je suis...D= 300 A,VGS= 20V

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

4.0

5.4 6.0

5.6

mΩ

mΩ

mΩ

极 值 tension électrique

seuil de portela tension

VLe numéro d'immatriculation

Je suis...C= 90 mA, VPour la CE=VGénération génétique, Tvj= 25°C

Je suis...C= 90 mA, VPour la CE=VGénération génétique, Tvj= 150°C

1.9

2.4

1.6

4.0

V

跨导

Transconductivité

GFs

VRésultats de l'enquête = 20 V, Je suis...Résultats de l'enquête = 300 A, Tvj= 25°C

VRésultats de l'enquête = 20 V, Je suis...Résultats de l'enquête = 300 A, Tvj= 150°C

211

186

S

- Il y a un problème.

Porte charge

Q. Je vous en prie.G

VGénération génétique= 5 V... + 20 V

1170

nC

Résistance électrique interne

Porte intérieure résistance

RLes gîtes

Tvj= 25°C

2.0

Oh

Capacité d'entrée

Plafond d'entréel'acitance

CLes

f=1MHz,Tvj= 25°C, VRésultats de l'enquête=1000V, VAC= 25MV, VGénération génétique=0V

25.2

NF

Capacité de sortie

Produits capacité

C- Je vous en prie.

f=1MHz,Tvj= 25°C, VRésultats de l'enquête=1000V, VAC= 25MV, VGénération génétique=0V

1500

PF

Capacité de transmission inverse

Transition arrièrecapacité de sphère

Crés

f=1MHz,Tvj= 25°C, VRésultats de l'enquête=1000V, VAC= 25MV, VGénération génétique=0V

96

PF

零 电压 échappement électrique

Porte zéro vl'âge écoulement courant

Je suis...DSS

VRésultats de l'enquête=1200V, VGS=0V, Tvj= 25°C

300

μUne

- Je ne sais pas.-源极 fuite électrique

Source de la passerelle Lecourant d'akage

Je suis...GSS

VRésultats de l'enquête=0V, VGS= 20V, Tvj= 25°C

100

nA

开通延迟时间 Le temps est compté( charge électrique)

Onction le temps de retard, inductive charge

td( sur)

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

76

66

66

ns

ns

ns

Le temps augmente.( charge électrique)

Il est l'heure de se lever. inductive charge

tR

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

62

56

56

ns

ns

ns

关断延迟时间 Je suis désolé.( charge électrique)

Retour dle temps d'écoulement, inductive charge

td(éteint)

Je suis...D= 300A, VRésultats de l'enquête= 600V

VGS= 5 à 20 V

RJe vais= 2,5Ω

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

308

342

342

ns

ns

ns

Il est temps de descendre.( charge électrique)

À l'automne, inductive charge

tf

RJe vous en prie!= 2,5Ω

Lσ = 56 nH

Inducteur Je vous en prie.d,

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

94

92

92

ns

ns

ns

开通 损耗能量 Le débit de courant(Chaque impulsion)

Onction énergie les pertes par puIl est là.

Esur

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

5.55

4.35

4.35

MJ

MJ

关断 损耗 能(Chaque impulsion)

Énergie d'arrêt les pertes par le pouls

Eéteint

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

12.10

12.35

12.35

MJ

MJ

结-外 热阻

La chaleur résistance,Le gouvernement cas

Rle CJJ

Pour MOSFET / Tout le monde. MOSFET

0.12

Nombre d'étoiles

température de travail

Température etle changement Les conditions

Tvjop

- Quarante150

°C

Diode électrique/ 2 étoiles

Nombre maximal Valeur nominale/ le maximum定值

Nom de l'article

Le symbole

Conditions d'utilisation

Valeur

Unités

continu flux électrique

Diode continue pourquartier courant

Je suis...F

VGS = -5 V, TC = 25 ̊C

400

Une

PersonnageLes valeurs/ 特征值 valeur de caractère

Nom de l'article

Le symbole

Conditions d'utilisation

Je ne sais pas. - Je sais. - Je vous en prie.

Unités

Voltage électrique

Voltage avant

VSD

Je suis...F= 300A, VGS=0V

Tvj= 25°C Tvj= 150°C

1.60

2.00

1.80

V

V

结-外 热阻

La chaleur résistance,Le gouvernement cas

Rle CJJ

Par diode/ Chaque coup de foudre

0.13

Nombre d'étoiles

température de travail

Température etle changement Les conditions

Tvjop

- Quarante 150

°C

Module/ 模块

Nom de l'article

Le symbole

Conditions d'utilisation

Valeur

Unités

绝缘 test tension électrique

Isolementtension d'essai

VL'ISOL est

RMS, f=50 Hz, t=1min

2.5

KV

模块基板材料 Les matériaux de base

Matériau de le module plaque de base

- Je vous en prie.

内部绝缘 Il y a un problème.

Le secteur privé isolation

基本绝缘(classe 1, Je suis...CE 61140)

Les produits de base isolation (classe 1, IEC 61140)

Je vous en prie.2Je vous en prie.3

爬电距离 est une distance

- C'est pas vrai.la danse

端子-散热片/ terminal to évier à chaleur

端子-端子/terminale à termineur

29.0

23.0

mm

电气间隙

Autorisation

端子-散热片/ terminal to évier à chaleur

端子-端子/terminale à termineur

23.0

11.0

mm

Indice de traces électriques

Suivi comparatif indice

CTI

> 400

Nom de l'article

Le symbole

Conditions d'utilisation

Je ne sais pas.

- Je sais.

- Je vous en prie.

Unités

杂散电感, module

Détourné inductance le module

LSCE

20

nH

Résistance électrique au câble conducteur,端子- Chips

Module le plomb résistance, bornes - éclaboussure

RCC+EE

TC= 25°C

0.465

mΩ

Température de stockage

Temps de stockagela perature

TSgt.

- Quarante

125

°C

模块安装的安装扭矩 Le couple de tension du module

Torsion de montageque pour le module montage

M5

2.50

5.00

Nm

端子 连接 torsion

Connexion à la bornen couple

M6

3.00

5.00

Nm

Le poids

Le poids

G

300

g