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IGBT discrète

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Module d'alimentation IGBT OEM 1200V 300A Module à demi-pont DS-SPS300B12G6M4-S04020025

Name: Module d'alimentation IGBT OEM 1200V 300A Module à demi-pont DS-SPS300B12G6M4-S04020025
Brand: Module d'alimentation IGBT OEM 1200V 300A Module à demi-pont DS-SPS300B12G6M4-S04020025
SKU: SPS300B12G6M4
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Numéro de modèle: SPS300B12G6M4

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                                                Module d'alimentation IGBT OEM, Module d'alimentation IGBT 1200V, Module à demi-pont de 1200 V
                              

Module d'alimentation IGBT OEM 1200V 300A Module à demi-pont DS-SPS300B12G6M4-S04020025

Le système d'alimentation est équipé d'un système d'alimentation de type "A" et d'un système d'alimentation de type "B".

Pour les appareils électroniques 300A L'IGBT La moitié. Le pont Module

Module d'alimentation IGBT OEM 1200V 300A Module à demi-pont DS-SPS300B12G6M4-S04020025 0

Caractéristiques:

D Technologie de détection de décharge de 1200 V

□ Diodes à roue libre avec récupération inverse rapide et douce

□ V_{CE (sat)}avec un coefficient de température positif

□ Faibles pertes de commutation

Typique Applications:

□ Le chauffage par induction

□ Soudage

□ Application de commutation à haute fréquence

Le paquet

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs			Unité
Voltage d'essai d'isolation	VISOL	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		4.0			KV
Matériau de la plaque de base du module				- Je vous en prie.
Isolement interne		(classe 1, CEI 61140) Isolement de base (classe 1, CEI 61140)		Je vous en prie.₂Je vous en prie.₃
Distance de ramassage	- C'est pas vrai.	terminal à évier thermique		29.0			mm
	- C'est pas vrai.	de terminal à terminal		23.0
Autorisation	Je vous en prie.	terminal à évier thermique		23.0			mm
	Je vous en prie.	de terminal à terminal		11.0
Indice de suivi comparatif	CTI			> 400

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs			Unité
				Je ne sais pas.	- Je sais.	- Je vous en prie.
Module d'inductivité errante	LsCE				20		nH
Résistance au plomb du module, bornes - puce	RCC+EE		T_C= 25°C		0.70		mΩ
Température de stockage	Tstg			- Quarante		125	°C
couple de montage pour le montage du module	M6			3.0		6.0	Nm
couple de connexion de borne	M6			2.5		5.0	Nm
Le poids	G				320		g

L'IGBT

Nombre maximal Nommé Les valeurs

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs	Unité
Voltage du collecteur-émetteur	VCES		T_vj= 25°C	1200	V
Voltage maximal de l'émetteur de la porte	VGES			± 20	V
Voltage transitoire émetteur-porte	VGES	t_p≤ 10 μs, D=0.01		± 30	V
Courant continu du collecteur en courant continu	Je suis..._C		T_C= 25°C	400	Une
Courant continu du collecteur en courant continu	Je suis..._C		T_C= 100°C	300	Une
Courant de collecteur pulsé,tp limité par T_jmax	ICpulse			600	Une
Dissipation de puissance	Ptot			1500	W

Caractéristique Les valeurs

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs			Unité
Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Je ne sais pas.	- Je sais.	- Je vous en prie.	Unité
Voltage de saturation du collecteur-émetteur	VCE (sat)	Je suis..._C= 300A, V_{Génération génétique}=15V	T_vj= 25°C		1.50	1.80	V
			T_vj= 125°C		1.65
			T_vj= 150°C		1.70
Voltage de seuil de sortie	VGE (ème)	V_{Pour la CE}=V_{Génération génétique}Je..._C= 12 mA		5.0	5.8	6.5	V
Courant de coupure collecteur-émetteur	Le CIEM	V_{Pour la CE}=1200V, V_{Génération génétique}=0V	T_vj= 25°C			100	μA
Courant de coupure collecteur-émetteur	Le CIEM	V_{Pour la CE}=1200V, V_{Génération génétique}=0V	T_vj= 150°C			5	- Je ne sais pas
Courant de fuite de l'émetteur-porte	IGES	V_{Pour la CE}=0V,V_{Génération génétique}= ± 20V, T_vj= 25°C		- Je vous en prie.		200	nA
Charge de la porte	Q. Je vous en prie._G	V_{Pour la CE}= 600 V, I_C= 300A, V_{Génération génétique}= ± 15 V			3.2		Le taux de décomposition
Capacité d'entrée	- Je vous en prie.	V_{Pour la CE}= 25V, V_{Génération génétique}=0V, f =100kHz			60.0		NF
Capacité de sortie	Coés				1.89
Capacité de transfert inverse	Crédits				0.54
Résistance de porte interne	RGint	T_vj= 25°C			1.2		Oh
Temps de retard d'allumage, charge inductive	Td (en)	V_CC= 600V,I_C= 300A R_G=1,8Ω, V_{Génération génétique}= ± 15 V	T_vj= 25°C		130		ns
			T_vj= 125°C		145		ns
			T_vj= 150°C		145		ns
Temps de montée, charge inductive	t_R		T_vj= 25°C		60		ns
			T_vj= 125°C		68		ns
			T_vj= 150°C		68		ns
Temps de retard d'arrêt, charge inductive	Td (arrêt)	V_CC= 600V,I_C= 300A R_G=1,8Ω, V_{Génération génétique}= ± 15 V	T_vj= 25°C		504		ns
			T_vj= 125°C		544		ns
			T_vj= 150°C		544		ns
Temps de chute, charge inductive	t_f		T_vj= 25°C		244		ns
			T_vj= 125°C		365		ns
			T_vj= 150°C		370		ns
Perte d'énergie de mise en marche par impulsion	Eon	V_CC= 600V,I_C= 300A R_G=1,8Ω, V_{Génération génétique}= ± 15 V	T_vj= 25°C		7.4		MJ
			T_vj= 125°C		11.1		MJ
			T_vj= 150°C		11.6		MJ
Désactiver Perte d' énergie par impulsion	Je vous en prie.		T_vj= 25°C		32.0		MJ
			T_vj= 125°C		39.5		MJ
			T_vj= 150°C		41.2		MJ
Données SC	CSI	V_{Génération génétique}≤ 15 V, V_CC= 600V	tp≤10 μs T_vj= 150°C			1350	Une
Résistance thermique IGBT, boîtier de jonction	RthJC					0.1	Nombre d'étoiles
Température de fonctionnement	TJop			- Quarante		150	°C

Diode électrique

Nombre maximal Nommé Les valeurs

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs	Unité
Voltage inverse répétitif	VRRM		T_vj= 25°C	1200	V
Courant continu continu vers l'avant	Je suis..._F			300	Une
Courant pulsé de diode,tp limité par T_Jmax	Si vous avez un problème			600	Une

Caractéristique Les valeurs

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs			Unité
				Je ne sais pas.	- Je sais.	- Je vous en prie.
Voltage avant	V_F	Je suis..._F= 300A, V_{Génération génétique}=0V	T_vj= 25°C		2.30	2.70	V
			T_vj= 125°C		2.50
			T_vj= 150°C		2.50
Temps de récupération inverse	trr	Je suis..._F= 300A Le_F/dt=-4900A/μs (T)_vj= 150°C) V_R= 600 V, V_{Génération génétique}= 15V	T_vj= 25°C		90		ns
			T_vj= 125°C		120
			T_vj= 150°C		126
Courant de récupération inverse de pointe	MIPR		T_vj= 25°C		212		Une
			T_vj= 125°C		245
			T_vj= 150°C		250
Frais de recouvrement inversés	RRQ		T_vj= 25°C		19		Le taux de décomposition
			T_vj= 125°C		27
			T_vj= 150°C		35
Perte d'énergie de récupération inverse par impulsion	Érec		T_vj= 25°C		7.7		MJ
			T_vj= 125°C		13.3
			T_vj= 150°C		14.0
Résistance thermique de diode, boîtier de jonction	RthJCD					0.23	Nombre d'étoiles
Température de fonctionnement	TJop			- Quarante		150	°C

Produits caractéristique (typique) Sortie caractéristique (typique)

Je suis..._C= f (V)_{Pour la CE}) Je_C= f (V)_{Pour la CE})

T_vj= 150°C

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L'IGBT

Le transfert caractéristique (typique) les pertes L'IGBT(typique)

Je suis..._C= f (V)_{Génération génétique}) E = f (R_G)

V_{Pour la CE}= 20 V V_{Génération génétique}= ± 15 V, I_C= 300A, V_{Pour la CE}= 600V

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RBSOA de type IGBT

Déplacement les pertes L'IGBT(typique) À l'envers préjugés en toute sécurité fonctionnement zone (RBSOA)

E = f (I)_C) Je_C=f (V)_{Pour la CE})

V_{Génération génétique}= ±15V, R_G= 1,8 Ω, V_{Pour la CE}= 600 V V_{Génération génétique}= ±15V, R_{Je vous en prie!}= 1,8Ω, T_vj= 150°C

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Typique capacité comme a) fonction de collecteur-émetteur tension Charge de porte (typique)

C = f (V)_{Pour la CE}) V_{Génération génétique}= f (Q)_G)

f = 100 kHz, V_{Génération génétique}= 0V I_C= 300A, V_{Pour la CE}= 600V

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L'IGBT

L'IGBT transitoire thermique impédance comme a) fonction de pouls largeur Avance caractéristique de Diode électrique (typique)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V)_F)

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Perte de commutationPerte de diode (typique)

E_Réc= f (R_G) E_Réc= f (I_F)

Je suis..._F= 300A, V_{Pour la CE}= 600V R_G= 1,8Ω, V_{Pour la CE}= 600V

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Diode électrique transitoire thermique impédance comme a) fonction de le pouls largeur

Zth(j-c) = f (t)

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Un module IGBT à demi-pont est un dispositif électronique de puissance qui combine deux transistors bipolaires à porte isolée (IGBT) disposés dans une configuration à demi-pont.Cette configuration est couramment utilisée dans diverses applications où un contrôle bidirectionnel de la puissance est nécessaireVoici quelques points clés concernant les modules à demi-pont IGBT:

1. IGBT: Les IGBT sont des dispositifs semi-conducteurs qui combinent les caractéristiques des transistors à effet de champ à porte isolée (IGFET) et des transistors à jonction bipolaire (BJT).Ils sont largement utilisés dans l'électronique de puissance pour la commutation et le contrôle de l'énergie électrique.

2. Configuration à demi-pont: La configuration à demi-pont est constituée de deux IGBT connectés en série, formant un circuit de pont.Un IGBT est responsable de la conduction pendant le demi-cycle positif de la forme d'onde d'entréeCette disposition permet un contrôle bidirectionnel du courant.

3. Nommés de tension et de courant: les modules à demi-pont IGBT sont spécifiés avec des noms de tension et de courant. Par exemple, une nomenclature commune pourrait être 1200V/300A,indiquant la tension et le courant maximaux que le module peut supporter.

4Applications: les modules à demi-pont IGBT trouvent des applications dans les entraînements de moteurs, les onduleurs, les alimentations électriques et autres systèmes nécessitant une commutation de puissance contrôlée.Ils conviennent aux applications nécessitant une régulation de la vitesse variable ou une inversion de puissance..

5. refroidissement et gestion thermique: comme pour les IGBT individuels, les modules à demi-pont IGBT génèrent de la chaleur pendant le fonctionnement.sont essentiels pour maintenir les performances et la fiabilité appropriées du dispositif.

6. Circuits d'entraînement de la porte: Un circuit d'entraînement de la porte approprié est essentiel pour contrôler efficacement la commutation des IGBT.Cela inclut de s'assurer que les signaux de la porte sont correctement chronométrés et ont des niveaux de tension suffisants.

7Fiche de données: les utilisateurs doivent consulter la fiche de données du fabricant pour obtenir les spécifications détaillées, les caractéristiques électriques,et les directives d'application spécifiques au module IGBT à demi-pont qu'ils utilisent.

IGBT half-bridge modules are widely employed in industrial and automotive applications for their capability to handle high power levels and provide efficient and controlled switching of electrical currents.

Circuit électrique le schéma titre

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Le paquet les contours

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