Détails du produit
Numéro de modèle: SPS200B12G6H4
Conditions de paiement et d'expédition
Courant de collecteur: |
100A |
Tension de saturation de collecteur-émetteur: |
2.5V |
Tension de collecteur-émetteur: |
±1200V |
Notation actuelle: |
100A |
courant de fuite de Porte-émetteur: |
± 10 μA |
tension de seuil de Porte-émetteur: |
5V |
tension de Porte-émetteur: |
± 20 V |
Température de fonctionnement maximale: |
150°C |
Type de module: |
IGBT |
Type de colis: |
62 mm |
Temps de tenue de court-circuit: |
10 μs |
fréquence de commutation: |
20 KHZ |
Résistance thermique: |
0.1°C/W |
Rating de la tension: |
Pour les appareils électroniques |
Courant de collecteur: |
100A |
Tension de saturation de collecteur-émetteur: |
2.5V |
Tension de collecteur-émetteur: |
±1200V |
Notation actuelle: |
100A |
courant de fuite de Porte-émetteur: |
± 10 μA |
tension de seuil de Porte-émetteur: |
5V |
tension de Porte-émetteur: |
± 20 V |
Température de fonctionnement maximale: |
150°C |
Type de module: |
IGBT |
Type de colis: |
62 mm |
Temps de tenue de court-circuit: |
10 μs |
fréquence de commutation: |
20 KHZ |
Résistance thermique: |
0.1°C/W |
Rating de la tension: |
Pour les appareils électroniques |
Le système d'alimentation est équipé d'un système d'alimentation de type SPS-DS200B12G6H4-S04020005.
Pour les appareils électroniques 200A L'IGBT La moitié. Le pont Module
Caractéristiques:
Typique Applications:
IGBT, Invertisseur / L'IGBT, inverseur
Nombre maximal Valeur nominale/ Valeur maximale |
|||||||
Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Valeur |
Unités |
|||
集电极- émission de tension électrique Émetteur-collecteurla tension |
VLe CES |
Tvj= 25°C |
1200 |
V |
|||
Le courant électrique continu Continuité DC le colliercourant de ctor |
Je suis...C |
TC = 100°C, Tvj Le maximum= 175°C TC = 25°C, Tvj Le maximum= 175°C |
200
280 |
Une Une |
|||
集电极重复 le courant de pointe Le sommet répétitionle courant du collecteur |
Je suis...Le CRM |
tp= 1 ms |
400 |
Une |
|||
Perte de puissance totale Nombre total puissance disperséLe gouvernement |
Ptout |
TC= 25°C, Tvj= 175°C |
1070 |
W |
|||
Le niveau d'émission est supérieur au niveau de l'échantillon. Portée maximaletension de l'émetteur électrique |
VGES |
±20 |
V |
||||
Les valeurs caractéristiques/ 特征值 valeur de caractère |
|||||||
Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Je ne sais pas. - Je sais. - Je vous en prie. |
Unités |
|||
集电极- émission 极 和电压 Saturati collecteur émetteursur tension |
VPour la CE(assise) |
Je suis...C= 200A,VGénération génétique=15V |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
1.50 |
2.40 2.95 3.00 |
3.00 |
V V V |
极 值 tension électrique seuil de portela tension |
VRG (ème) |
Je suis...C= 8mA, VPour la CE=VGénération génétique, Tvj= 25°C |
5.0 6.0 7.0 |
V |
|||
- Il y a un problème. Porte charge |
Q. Je vous en prie.G |
VGénération génétique=-15V... +15V |
0.8 |
Le taux de décomposition |
|||
Résistance électrique interne Porte intérieure résistance |
RLes gîtes |
Tvj= 25°C |
2.5 |
Oh |
|||
Capacité d'entrée Plafond d'entréel'acitance |
CLes |
Le nombre d'écoulements est déterminé par la fréquence d'écoulement.vj= 25°C, VPour la CE= 25V, VGénération génétique=0V |
8.76 |
NF |
|||
Capacité de transmission inverse Transition arrièrecapacité de sphère |
Crés |
Le nombre d'écoulements est déterminé par la fréquence d'écoulement.vj= 25°C, VPour la CE= 25V, VGénération génétique=0V |
0.40 |
NF |
|||
集电极-发射极截止电流 Le flux électrique Émetteur-collecteur limite de réduction cle revenu |
Je suis...Le CES |
VPour la CE=1200V, VGénération génétique=0V, Tvj= 25°C |
5.00 |
- Je ne sais pas |
|||
- Je ne sais pas.-Le flux électrique de fuite Émetteur de porte fuite courant |
Je suis...GES |
VPour la CE=0V, VGénération génétique= 20V, Tvj= 25°C |
200 |
nA |
|||
开通延迟时间 Le temps est compté( charge électrique) Onction le temps de retard, inductive charge |
td( sur) |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
65 75
75 |
ns ns ns |
|||
Le temps augmente.( charge électrique) Il est l'heure de se lever. inductive charge |
tR |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
45 55
55 |
ns ns ns |
|||
关断延迟时间 Je suis désolé.( charge électrique) Retour dle temps d'écoulement, inductive charge |
td(éteint) |
Je suis...C= 200A, VPour la CE= 600V VGénération génétique= ± 15 V RJe vais= 3,3 Ω RJe vous en prie!= 3,3 Ω
Inducteur Je vous en prie.annonce |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
205 230
235 |
ns ns ns |
||
Il est temps de descendre.( charge électrique) À l'automne, inductive charge |
tf |
55 85
85 |
ns ns ns |
||||
开通 损耗能量 Le débit de courant(Chaque impulsion) Onction énergie les pertes par puIl est là. |
Esur |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
16.7 26.4 28.2 |
MJ MJ MJ |
|||
关断 损耗 能(Chaque impulsion) Énergie d'arrêt les pertes par le pouls |
Eéteint |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
4.9 8.8 9.6 |
MJ MJ MJ |
|||
短路 数据 SC données |
Je suis...SC |
VGénération génétique≤ 15 V, VCC= 800V VCEmax=VLe CES- Je sais.SCE·di/dt, tp= 10 μs, Tvj= 150°C |
800 |
Une |
|||
结-外 热阻 La chaleur résistance,Le gouvernement cas |
Rle CJJ |
Pour - Je ne sais pas. Tout le monde. L'IGBT |
0.14 |
Nombre d'étoiles |
température de travail Température etle changement Les conditions |
Tvjop |
- Quarante |
150 |
°C |
|||
Diode, onduleur/ Deux conduits, inverseur Nombre maximal Valeur nominale/ valeur maximale déterminée |
|||||||
Nom de l'article |
Symbole CLes conditions |
Valeur |
Unités |
||||
tension électrique de pointe inverse et répétitive Le sommet répétitif tension inversee |
VRRM Tvj= 25°C |
1200 |
V |
||||
continu flux électrique Continuité DC pourcourant de la salle |
Je suis...F |
200 |
Une |
||||
Le courant électrique de pointe Le sommet courant avant répétitif |
Je suis...MFN tp= 1 ms |
400 |
Une |
||||
Les valeurs caractéristiques/ 特征值 valeur de caractère |
|||||||
Nom de l'article |
Le symboleConditions d'utilisation |
Je ne sais pas. - Je sais. |
- Je vous en prie. |
Unités |
|||
Voltage électrique Voltage avant |
VF Je suis...F= 200 A |
Tvj= 25°C Tvj= 125°CTvj= 150°C |
1.50 |
1.80 1.80 1.80 |
2.40 |
V V V |
|
Flux électrique de pointe de récupération inverse
Le sommet à l'envers récupération cle revenu |
Je suis...RM
Q. Je vous en prie.R
ERéc |
Je suis...F= 200 A -di/dt = 32Pour les appareils à commande numérique VR = 600 V
VGénération génétique= 15V |
Tvj= 25°C Tvj= 125°CTvj= 150°CTvj= 25°C Tvj= 125°CTvj= 150°CTvj= 25°C Tvj= 125°CTvj= 150°C |
140 140
140 |
Une Une Une |
||
Charge de récupération inverse Frais de recouvrement |
14.5 22.528.0 |
Le taux de décomposition Le taux de décomposition Le taux de décomposition |
|||||
Perte de récupération inverse (à chaque impulsion) En arrière récupération énergie (par le pouls) |
4.5 8.7 9.9 |
MJ MJ MJ |
|||||
结-外 热阻 La chaleur résistance,Le gouvernement cas |
Rle CJJ Par diode / Chaque个二极管 Je suis désolé. |
0.23 |
Nombre d'étoiles |
||||
température de travail Température etle changement Les conditions |
Tvjop |
- Quarante |
150 |
°C |
Module/ 模块 |
||||
Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Valeur |
Unités |
绝缘 test tension électrique Isolementtension d'essai |
VL'ISOL est |
RMS, f=50 Hz, t=1min |
3.0 |
KV |
模块基板材料 Les matériaux de base Matériau de le module plaque de base |
- Je vous en prie. |
|||
内部绝缘 Il y a un problème. Le secteur privé isolation |
基本绝缘(classe 1, Je suis...CE 61140) Les produits de base isolation (classe 1, IEC 61140) |
Je vous en prie.2Je vous en prie.3 |
||
爬电距离 est une distance - C'est pas vrai.la danse |
端子-散热片/ terminal to évier à chaleur 端子-端子/terminale à termineur |
29.0 23.0 |
mm |
|
电气间隙 Autorisation |
端子-散热片/ terminal to évier à chaleur 端子-端子/terminale à termineur |
23.0 11.0 |
mm |
|
Indice de traces électriques ComparatifLe suivi indice |
CTI |
> 400 |
Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
- Je vous en prie. |
Unités |
杂散电感, module Détourné inductance le module |
LSCE |
20 |
nH |
|||
模块引脚电阻, 端子- Chips
Module Le plomb Résistance ,Les terminaux-Cla hanche |
RCC +EE RAA??+CC |
0.7 |
mΩ |
|||
Température de stockage
Temps de stockagela perature |
TSgt. |
- Quarante |
125 |
°C |
||
模块安装的安装扭距 Torsion de montageque pour le module montage |
M |
M6 |
3.00 |
6.00 |
Nm |
|
端子 连接 torsion distance Connexion à la bornen couple |
M |
M6 |
2.50 |
5.00 |
Nm |
|
Le poids
Le poids |
G |
320 |
g |
IGBT IGBT
Caractéristique de sortie IGBT, onduleur (typique) Caractéristique de sortie IGBT, onduleur (typique)
Je suis...C=f (V)Pour la CE) JeC=f (V)Pour la CE)
VGénération génétique=15V Tvj = 150°C
IGBT IGBT
Les caractéristiques de transfert IGBT, onduleur (typique) Les caractéristiques de transfert IGBT, onduleur (typique)
IC = f (VGE) E = f (IC), Eoff = f (IC)
La valeur de l'électricité utilisée est la valeur de l'électricité utilisée pour la production de l'électricité.
IGBT IGBT
Perte de commutation IGBT, onduleur (typique) Impédance thermique transitoire IGBT, onduleur
Le nombre de fois où les données sont utilisées est le nombre de fois où les données sont utilisées.
Pour les appareils de traitement des gaz, la valeur maximale de l'électricité utilisée doit être égale ou supérieure à:
L'IGBT
Zone de fonctionnement sûre de déviation inverse IGBT, onduleur (RBSOA) Caractéristique avant de la diode, onduleur (typique)
IC=f (VCE) SI=f (VF)
Pour le calcul de la température de l'air, il est nécessaire de déterminer la température de l'air à l'intérieur de l'appareil.
Perte de commutation Diode, onduleur (typique) Perte de commutation Diode, onduleur (typique)
Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de la fréquence de travail.
RGon = 3,3Ω, VCE = 600V SI = 200A, VCE = 600V
Résultats
FRD d'impédance thermique transitoire, onduleur
ZthJC=f (t)
Le "module de demi-pont IGBT 1200V 200A" intègre deux IGBT dans une configuration de demi-pont pour les applications nécessitant un contrôle des niveaux de tension et de courant modéré à élevé.Un refroidissement efficace est crucial, et les spécifications détaillées sont disponibles dans la fiche du fabricant.
Circuit électrique le schéma titre
Le paquet les contours