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Le module de demi-pont IGBT de 200A à 1200V 62 mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005

Détails du produit

Numéro de modèle: SPS200B12G6H4

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Module à demi-pont IGBT 200A

,

Module à demi-pont 200A

,

Module à demi-pont IGBT de 62 mm

Courant de collecteur:
100A
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
2.5V
Tension de collecteur-émetteur:
±1200V
Notation actuelle:
100A
courant de fuite de Porte-émetteur:
± 10 μA
tension de seuil de Porte-émetteur:
5V
tension de Porte-émetteur:
± 20 V
Température de fonctionnement maximale:
150°C
Type de module:
IGBT
Type de colis:
62 mm
Temps de tenue de court-circuit:
10 μs
fréquence de commutation:
20 KHZ
Résistance thermique:
0.1°C/W
Rating de la tension:
Pour les appareils électroniques
Courant de collecteur:
100A
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
2.5V
Tension de collecteur-émetteur:
±1200V
Notation actuelle:
100A
courant de fuite de Porte-émetteur:
± 10 μA
tension de seuil de Porte-émetteur:
5V
tension de Porte-émetteur:
± 20 V
Température de fonctionnement maximale:
150°C
Type de module:
IGBT
Type de colis:
62 mm
Temps de tenue de court-circuit:
10 μs
fréquence de commutation:
20 KHZ
Résistance thermique:
0.1°C/W
Rating de la tension:
Pour les appareils électroniques
Le module de demi-pont IGBT de 200A à 1200V 62 mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005

 

 

Le système d'alimentation est équipé d'un système d'alimentation de type SPS-DS200B12G6H4-S04020005.


Pour les appareils électroniques 200A L'IGBT La moitié. Le pont Module

 

Le module de demi-pont IGBT de 200A à 1200V 62 mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 0

 

Caractéristiques:

  • Technologie d'arrêt du champ plané de 1200 V
  • Diodes à roue libre avec récupération inverse rapide et douce
  • Faibles pertes de commutation
  • Capacité élevée de RBSOA

 

Typique Applications:

  • Chauffage par induction
  • Soudage
  • Application de commutation à haute fréquence

 

IGBT, Invertisseur / L'IGBT, inverseur

 

Nombre maximal Valeur nominale/ Valeur maximale

 

Nom de l'article

 

Le symbole

 

Conditions d'utilisation

 

Valeur

 

Unités

 

集电极- émission de tension électrique

Émetteur-collecteurla tension

 

VLe CES

 

Tvj= 25°C

 

1200

 

V

 

Le courant électrique continu

Continuité DC le colliercourant de ctor

 

Je suis...C

 

TC = 100°C, Tvj Le maximum= 175°C

TC = 25°C, Tvj Le maximum= 175°C

 

200

 

280

 

Une

Une

 

集电极重复 le courant de pointe

Le sommet répétitionle courant du collecteur

 

Je suis...Le CRM

 

tp= 1 ms

 

400

 

Une

 

Perte de puissance totale

Nombre total puissance disperséLe gouvernement

 

Ptout

 

TC= 25°C, Tvj= 175°C

 

1070

 

W

 

Le niveau d'émission est supérieur au niveau de l'échantillon.

Portée maximaletension de l'émetteur électrique

 

VGES

 

 

±20

 

V

 

 

 

Les valeurs caractéristiques/ 特征值 valeur de caractère

 

Nom de l'article

 

Le symbole

 

Conditions d'utilisation

 

Je ne sais pas. - Je sais. - Je vous en prie.

 

Unités

 

集电极- émission 极 和电压

Saturati collecteur émetteursur tension

 

VPour la CE(assise)

 

Je suis...C= 200A,VGénération génétique=15V

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

1.50

 

2.40

2.95

3.00

 

3.00

 

V

V

V

 

极 值 tension électrique

seuil de portela tension

 

 

VRG (ème)

 

Je suis...C= 8mA, VPour la CE=VGénération génétique, Tvj= 25°C

 

 

5.0 6.0 7.0

 

V

 

- Il y a un problème.

Porte charge

 

Q. Je vous en prie.G

 

 

VGénération génétique=-15V... +15V

 

0.8

 

Le taux de décomposition

 

Résistance électrique interne

Porte intérieure résistance

 

RLes gîtes

 

Tvj= 25°C

 

 

2.5

 

Oh

 

Capacité d'entrée

Plafond d'entréel'acitance

 

CLes

 

Le nombre d'écoulements est déterminé par la fréquence d'écoulement.vj= 25°C, VPour la CE= 25V, VGénération génétique=0V

 

8.76

 

NF

 

Capacité de transmission inverse

Transition arrièrecapacité de sphère

 

Crés

 

Le nombre d'écoulements est déterminé par la fréquence d'écoulement.vj= 25°C, VPour la CE= 25V, VGénération génétique=0V

 

 

0.40

 

NF

 

集电极-发射极截止电流 Le flux électrique

Émetteur-collecteur limite de réduction cle revenu

 

 

Je suis...Le CES

 

VPour la CE=1200V, VGénération génétique=0V, Tvj= 25°C

 

5.00

 

 

- Je ne sais pas

 

- Je ne sais pas.-Le flux électrique de fuite

Émetteur de porte fuite courant

 

Je suis...GES

 

 

VPour la CE=0V, VGénération génétique= 20V, Tvj= 25°C

 

200

 

nA

 

开通延迟时间 Le temps est compté( charge électrique)

Onction le temps de retard, inductive charge

 

td( sur)

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

65

75

 

75

 

ns

ns

ns

 

Le temps augmente.( charge électrique)

Il est l'heure de se lever. inductive charge

 

tR

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

45

55

 

55

 

ns

ns

ns

 

关断延迟时间 Je suis désolé.( charge électrique)

Retour dle temps d'écoulement, inductive charge

 

td(éteint)

 

Je suis...C= 200A, VPour la CE= 600V

VGénération génétique= ± 15 V

RJe vais= 3,3 Ω

RJe vous en prie!= 3,3 Ω

 

Inducteur Je vous en prie.annonce

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

205

230

 

235

 

ns

ns

ns

 

Il est temps de descendre.( charge électrique)

À l'automne, inductive charge

 

 

tf

 

55

85

 

85

 

ns

ns

ns

 

开通 损耗能量 Le débit de courant(Chaque impulsion)

Onction énergie les pertes par puIl est là.

 

Esur

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

16.7

26.4

28.2

 

MJ

MJ

MJ

 

关断 损耗 能(Chaque impulsion)

Énergie d'arrêt les pertes par le pouls

 

 

Eéteint

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

4.9

8.8

9.6

 

MJ

MJ

MJ

 

短路 数据

SC données

 

Je suis...SC

 

VGénération génétique≤ 15 V, VCC= 800V

VCEmax=VLe CES- Je sais.SCE·di/dt, tp= 10 μs, Tvj= 150°C

 

 

800

 

Une

 

结-外 热阻

La chaleur résistance,Le gouvernement cas

 

Rle CJJ

 

Pour - Je ne sais pas. Tout le monde. L'IGBT

 

0.14

 

Nombre d'étoiles

 

 

température de travail

Température etle changement Les conditions

 

Tvjop

 

- Quarante

 

150

 

 

°C

 

 

Diode, onduleur/ Deux conduits, inverseur

Nombre maximal Valeur nominale/ valeur maximale déterminée

 

Nom de l'article

 

Symbole CLes conditions

 

Valeur

 

 

Unités

 

tension électrique de pointe inverse et répétitive

Le sommet répétitif tension inversee

 

VRRM Tvj= 25°C

 

1200

 

 

 

V

 

continu flux électrique

Continuité DC pourcourant de la salle

 

Je suis...F

 

200

 

 

Une

 

Le courant électrique de pointe

Le sommet courant avant répétitif

 

 

Je suis...MFN tp= 1 ms

 

400

 

 

Une

 

 

 

Les valeurs caractéristiques/ 特征值 valeur de caractère

 

Nom de l'article

 

Le symboleConditions d'utilisation

 

Je ne sais pas. - Je sais.

 

- Je vous en prie.

 

Unités

 

Voltage électrique

Voltage avant

 

VF Je suis...F= 200 A

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°CTvj= 150°C

 

1.50

 

1.80

1.80

1.80

 

2.40

 

V

V

V

 

Flux électrique de pointe de récupération inverse

 

Le sommet à l'envers récupération cle revenu

 

Je suis...RM

 

 

Q. Je vous en prie.R

 

 

 

ERéc

 

 

Je suis...F= 200 A

-di/dt = 32Pour les appareils à commande numérique VR = 600 V

 

VGénération génétique= 15V

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°CTvj= 150°CTvj= 25°C Tvj= 125°CTvj= 150°CTvj= 25°C Tvj= 125°CTvj= 150°C

 

140

140

 

140

 

 

Une

Une

Une

 

Charge de récupération inverse

Frais de recouvrement

 

14.5

22.528.0

 

 

Le taux de décomposition

Le taux de décomposition

Le taux de décomposition

 

Perte de récupération inverse (à chaque impulsion)

En arrière récupération énergie (par le pouls)

 

4.5

8.7 9.9

 

 

MJ

MJ

MJ

 

结-外 热阻

La chaleur résistance,Le gouvernement cas

 

Rle CJJ Par diode / Chaque个二极管 Je suis désolé.

 

 

 

0.23

 

Nombre d'étoiles

 

température de travail

Température etle changement Les conditions

 

 

Tvjop

 

- Quarante

 

150

 

°C

 

 

 

 

Module/ 模块

 

Nom de l'article

 

Le symbole

 

Conditions d'utilisation

 

Valeur

 

Unités

 

绝缘 test tension électrique

Isolementtension d'essai

 

VL'ISOL est

 

RMS, f=50 Hz, t=1min

 

3.0

 

 

KV

 

模块基板材料 Les matériaux de base

Matériau de le module plaque de base

   

 

 

- Je vous en prie.

 

 

内部绝缘 Il y a un problème.

Le secteur privé isolation

 

 

基本绝缘(classe 1, Je suis...CE 61140)

Les produits de base isolation (classe 1, IEC 61140)

 

Je vous en prie.2Je vous en prie.3

 

 

爬电距离 est une distance

- C'est pas vrai.la danse

 

 

端子-散热片/ terminal to évier à chaleur

端子-端子/terminale à termineur

 

29.0

23.0

 

 

mm

 

电气间隙

Autorisation

 

 

端子-散热片/ terminal to évier à chaleur

端子-端子/terminale à termineur

 

23.0

11.0

 

mm

 

Indice de traces électriques

ComparatifLe suivi indice

 

 

CTI

 

 

 

> 400

 

 

 

Nom de l'article

 

Le symbole

 

Conditions d'utilisation

 

Je ne sais pas.

 

- Je sais.

 

- Je vous en prie.

 

Unités

 

杂散电感, module

Détourné inductance le module

 

LSCE

   

 

20

 

 

nH

 

模块引脚电阻, 端子- Chips

 

Module Le plomb Résistance ,Les terminaux-Cla hanche

 

RCC +EE

RAA??+CC

   

 

0.7

 

 

 

Température de stockage

 

Temps de stockagela perature

 

TSgt.

 

 

 

- Quarante

 

 

 

125

 

 

°C

 

模块安装的安装扭距

Torsion de montageque pour le module montage

 

 

M

 

M6

 

3.00

 

 

6.00

 

 

Nm

 

端子 连接 torsion distance

Connexion à la bornen couple

 

M

 

M6

 

2.50

 

 

5.00

 

Nm

 

Le poids

 

Le poids

 

G

   

 

320

 

 

g

 

Le module de demi-pont IGBT de 200A à 1200V 62 mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 1 

IGBT IGBT

Caractéristique de sortie IGBT, onduleur (typique) Caractéristique de sortie IGBT, onduleur (typique)

Je suis...C=f (V)Pour la CE) JeC=f (V)Pour la CE)

VGénération génétique=15V              Tvj = 150°C

 

 

 

Le module de demi-pont IGBT de 200A à 1200V 62 mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 2

 

IGBT IGBT

Les caractéristiques de transfert IGBT, onduleur (typique) Les caractéristiques de transfert IGBT, onduleur (typique)

IC = f (VGE) E = f (IC), Eoff = f (IC)

La valeur de l'électricité utilisée est la valeur de l'électricité utilisée pour la production de l'électricité.

 

Le module de demi-pont IGBT de 200A à 1200V 62 mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 3

IGBT IGBT

Perte de commutation IGBT, onduleur (typique) Impédance thermique transitoire IGBT, onduleur

Le nombre de fois où les données sont utilisées est le nombre de fois où les données sont utilisées.

Pour les appareils de traitement des gaz, la valeur maximale de l'électricité utilisée doit être égale ou supérieure à:

 

  Le module de demi-pont IGBT de 200A à 1200V 62 mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 4

 

L'IGBT

Zone de fonctionnement sûre de déviation inverse IGBT, onduleur (RBSOA) Caractéristique avant de la diode, onduleur (typique)

IC=f (VCE) SI=f (VF)

Pour le calcul de la température de l'air, il est nécessaire de déterminer la température de l'air à l'intérieur de l'appareil.

 

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Perte de commutation Diode, onduleur (typique) Perte de commutation Diode, onduleur (typique)

Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de la fréquence de travail.

RGon = 3,3Ω, VCE = 600V SI = 200A, VCE = 600V

 

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Résultats

FRD d'impédance thermique transitoire, onduleur

ZthJC=f (t)

 

 

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Le "module de demi-pont IGBT 1200V 200A" intègre deux IGBT dans une configuration de demi-pont pour les applications nécessitant un contrôle des niveaux de tension et de courant modéré à élevé.Un refroidissement efficace est crucial, et les spécifications détaillées sont disponibles dans la fiche du fabricant.

Le module de demi-pont IGBT de 200A à 1200V 62 mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 8

Circuit électrique le schéma titre 

 

Le module de demi-pont IGBT de 200A à 1200V 62 mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 9

 

 

Le paquet les contours

 

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