Détails du produit
Numéro de modèle: SPS450B12G6H4
Conditions de paiement et d'expédition
Courant de collecteur: |
100A |
Tension de saturation de collecteur-émetteur: |
1.8V |
Tension de collecteur-émetteur: |
±1200V |
Actuel: |
100A |
Charge de porte: |
150 nC |
tension de seuil de Porte-émetteur: |
4V |
tension de Porte-émetteur: |
± 20 V |
Capacité d'entrée: |
1.5nF |
Capacité de sortie: |
0.5nF |
Le pouvoir: |
Unité d'alimentation |
Temps de rétablissement inverse: |
100ns |
fréquence de commutation: |
20 KHZ |
Résistance thermique: |
0.1°C/W |
Voltage: |
Pour les appareils électroniques |
Courant de collecteur: |
100A |
Tension de saturation de collecteur-émetteur: |
1.8V |
Tension de collecteur-émetteur: |
±1200V |
Actuel: |
100A |
Charge de porte: |
150 nC |
tension de seuil de Porte-émetteur: |
4V |
tension de Porte-émetteur: |
± 20 V |
Capacité d'entrée: |
1.5nF |
Capacité de sortie: |
0.5nF |
Le pouvoir: |
Unité d'alimentation |
Temps de rétablissement inverse: |
100ns |
fréquence de commutation: |
20 KHZ |
Résistance thermique: |
0.1°C/W |
Voltage: |
Pour les appareils électroniques |
Le débit de l'appareil est supérieur ou égal à la puissance de l'appareil.0
Caractéristiques:
Typique Applications:
IGBT, Invertisseur / L'IGBT, inverseur
Nombre maximal Valeur nominale/ Maximum défini值 |
|||||||
Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Valeur |
Unités |
|||
集电极- émission de tension électrique Émetteur-collecteurla tension |
VLe CES |
Tvj= 25°C |
1200 |
V |
|||
Le courant électrique continu Continuité DC le colliercourant de ctor |
Je suis...C |
TC = 80°C, Tvj Le maximum= 175°C TC = 25°C, Tvj Le maximum= 175°C |
450
550 |
Une |
|||
集电极重复 le courant de pointe Le sommet répétitionle courant du collecteur |
Je suis...Le CRM |
tp= 1 ms |
900 |
Une |
|||
Perte de puissance totale Nombre total puissance disperséLe gouvernement |
Ptout |
TC= 25°C, Tvj= 175°C |
2142 |
W |
|||
Le niveau d'émission est supérieur au niveau de l'échantillon. Portée maximaletension de l'émetteur électrique |
VGES |
±20 |
V |
||||
La température maximale Le point de jonction maximaln température |
Tvj, max |
175 |
°C |
||||
PersonnageLes valeurs/ 特征值 valeur de caractère |
|||||||
Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Je ne sais pas. Le type Max.. |
Unités |
|||
集电极- émission 极 和电压 Saturati collecteur émetteursur tension |
VPour la CE(assise) |
Je suis...C= 450 A,VGénération génétique=15V |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
2.10 |
2.50 2.90 3.00 |
3.00 |
V |
极 值 tension électrique seuil de portela tension |
VRG (ème) |
Je suis...C= 18mA, VPour la CE=VGE,Tvj= 25°C |
5.0 6.07.0 |
V |
|||
- Il y a un problème. Porte charge |
Q. Je vous en prie.G |
VGénération génétique=-15V...+15V, Tvj= 25°C |
3.3 |
uC |
|||
Résistance électrique interne Porte intérieure résistance |
RLes gîtes |
Tvj= 25°C |
1.7 |
Oh |
|||
Capacité d'entrée Plafond d'entréel'acitance |
CLes |
Le nombre d'écoulements est déterminé par la fréquence d'écoulement.vj= 25°C, VPour la CE= 25V, VGénération génétique=0V |
19.2 |
NF |
|||
Capacité de transmission inverse Transition arrièrecapacité de sphère |
Crés |
Le nombre d'écoulements est déterminé par la fréquence d'écoulement.vj= 25°C, VPour la CE= 25V, VGénération génétique=0V |
0.93 |
NF |
|||
集电极-发射极截止电流 Le flux électrique Émetteur-collecteur limite de réduction cle revenu |
Je suis...Le CES |
VPour la CE=1200V, VGénération génétique=0V, Tvj=25°C |
5.00 |
- Je ne sais pas |
|||
- Je ne sais pas.-Le flux électrique de fuite Émetteur de porte fuite courant |
Je suis...GES |
VPour la CE=0V, VGénération génétique= 20V, Tvj= 25°C |
500 |
nA |
|||
开通延迟时间 Le temps est compté( charge électrique) Onction le temps de retard, inductive charge |
td( sur) |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
95 105
110 |
ns ns ns |
|||
Le temps augmente.( charge électrique) Il est l'heure de se lever. inductive charge |
tR |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
70 80
80 |
ns ns ns |
|||
关断延迟时间 Je suis désolé.( charge électrique) Retour dle temps d'écoulement, inductive charge |
td(éteint) |
Je suis...C= 450 A, VPour la CE= 600V VGénération génétique= ± 15 V RJe vais= 1Ω RJe vous en prie!= 1Ω
Inducteur Je vous en prie.d, |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C
Tvj= 150°C |
325 375
390 |
ns ns ns |
||
Il est temps de descendre.( charge électrique) À l'automne, inductive charge |
tf |
60 60
60 |
ns ns ns |
||||
开通 损耗能量 Le débit de courant(Chaque impulsion) Onction énergie les pertes par puIl est là. |
Esur |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
22.2 39.6 42.9 |
MJ MJ MJ |
|||
关断 损耗 能(Chaque impulsion) Énergie d'arrêt les pertes par le pouls |
Eéteint |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
22.4 29.5 31.0 |
MJ MJ MJ |
|||
结-外 热阻 La chaleur résistance,Le gouvernement cas |
Rle CJJ |
Pour - Je ne sais pas. Tout le monde. L'IGBT |
0.07 |
Nombre d'étoiles |
température de travail Température etle changement Les conditions |
Tvjop |
- Quarante |
150 |
°C |
||
Diode, onduleur/ Deux conduits, inverseur Nombre maximal Valeur nominale/ le maximum定值 |
||||||
Nom de l'article |
Le symboleConditions d'utilisation |
Valeur |
Unités |
|||
tension électrique de pointe inverse et répétitive Le sommet répétitif tension inversee |
VRRM Tvj= 25°C |
1200 |
V |
|||
continu flux électrique Continuité DC pourcourant de la salle |
Je suis...F |
450 |
Une |
|||
Le courant électrique de pointe Le sommet courant avant répétitif |
Je suis...MFN tp= 1 ms |
900 |
Une |
|||
PersonnageLes valeurs/ 特征值 valeur de caractère |
||||||
Nom de l'article |
Le symbole Conditions d'utilisation |
Je ne sais pas. - Je sais. |
- Je vous en prie. |
Unités |
||
Voltage électrique Voltage avant |
VF Je suis...F= 450A |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
2.30 2.50 2.50 |
2.70 |
V |
|
Flux électrique de pointe de récupération inverse
Le sommet à l'envers récupération cle revenu |
Je suis...Rm
Q. Je vous en prie.RR
ERéc |
Je suis...F= 450A - Je vous en prie.FJe vous en prie.éteint= 5300 A/μs VR = 600 V
VGénération génétique= 15V |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C |
270 285
295 |
Une |
|
Charge de récupération inverse En arrière récupération chle débat |
29.6 64.1 74.3 |
Le taux de décomposition |
||||
Perte de récupération inverse (à chaque impulsion) En arrière récupération énergie (par le pouls) |
11.4 22.0 25.7 |
MJ |
||||
结-外 热阻 La chaleur résistance,Le gouvernement cas |
Rle CJJ Par diode / Chaque个二极管 Je suis désolé. |
0.16 |
Nombre d'étoiles |
|||
température de travail Température etle changement Les conditions |
Tvjop |
- Quarante |
150 |
°C |
Module/ 模块 |
||||
Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Valeur |
Unité s |
绝缘 test tension électrique Isolementtension d'essai |
VL'ISOL est |
RMS, f=50 Hz, t=1min |
3.0 |
KV |
模块基板材料 Les matériaux de base Matériau de le module plaque de base |
- Je vous en prie. |
|||
内部绝缘 Il y a un problème. Le secteur privé isolation |
基本绝缘(classe 1, Je suis...CE 61140) Les produits de base isolation (classe 1, IEC 61140) |
Je vous en prie.2Je vous en prie.3 |
||
爬电距离 est une distance Cree distance de page |
端子-散热片/ terminal à hmanger l' évier 端子-端子/terminale à termineur |
29.0 23.0 |
mm |
|
电气间隙 Autorisation |
端子-散热片/ terminal à hmanger l' évier 端子-端子/terminale à termineur |
23.0 11.0 |
mm |
|
Indice de traces électriques Suivi comparatif indice |
CTI |
> 400 |
Nom de l'article |
Le symbole |
Conditions d'utilisation |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
- Je vous en prie. |
Unités |
杂散电感, module Détourné inductance le module |
LSCE |
20 |
nH |
|||
模块引脚电阻, 端子- Chips
Module Le plomb Résistance ,Les terminaux-Cla hanche |
RCC +EE RAA??+CC |
0.70 |
mΩ |
|||
Température de stockage
Temps de stockagela perature |
TSgt. |
- Quarante |
125 |
°C |
||
模块安装的安装扭距 Torsion de montageque pour le module montage |
M |
M6 |
3.00 |
6.00 |
Nm |
|
模块安装的安装扭距 Torsion de montageque pour le module montage |
M |
M6 |
2.50 |
5.00 |
Nm |
|
Le poids
Le poids |
G |
320 |
g |
IGBT IGBT
Caractéristique de sortie IGBT, onduleur (typique) Caractéristique de sortie IGBT, onduleur (typique)
IC=f (VCE) IC=f ((VCE)
VGE = 15V Tvj = 150°C
IGBT IGBT
Caractéristique de transfert IGBT, onduleur (typique) Perte de commutation IGBT, onduleur (typique)
IC=f ((VGE) E=f ((IC)
Pour les appareils de commande électronique, la puissance de commande électronique doit être supérieure ou égale à:
IGBT IGBT
Perte de commutation IGBT, onduleur (typique) Impédance thermique transitoire IGBT, onduleur
Le nombre de fois où les données sont utilisées est le nombre de fois où les données sont utilisées.
Pour les appareils de traitement des ondes, la valeur de l'amplitude maximale de l'amplitude maximale de l'amplitude maximale de l'amplitude maximale de l'amplitude maximale maximale de l'amplitude maximale maximale de l'amplitude maximale maximale de l'amplitude maximale maximale de l'amplitude maximale maximale de l'amplitude maximale maximale maximale de l'amplitude maximale maximale maximale maximale maximale.
IGBT, RBSOA
Zone de fonctionnement sûre de déviation inverse IGBT, onduleur (RBSOA) Caractéristique avant de la diode, onduleur (typique)
IC=f (VCE) SI=f (VF)
Pour le calcul de la température de l'air, la température de l'air doit être supérieure ou égale à:
Perte de commutation Diode, onduleur (typique) Perte de commutation Diode, onduleur (typique)
Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de la fréquence de travail.
RG=3,3 Ω, VCE=600V SI=450A, VCE=600V
Diode d'impédance thermique transitoire, onduleur
ZthJC=f (t)
Le "module à demi-pont IGBT 1200V 450A" est un module d'alimentation avec deux transistors bipolaires à porte isolée (IGBT) dans une configuration à demi-pont.Il est conçu pour des applications de haute puissance comme les moteurs industriels ou les onduleurs.Un refroidissement efficace est essentiel à une performance fiable, et des spécifications détaillées peuvent être consultées dans la fiche de données du fabricant.
Circuit électrique le schéma titre
Le paquet les contours