Mettre en évidence:
Modules IGBT 300A
, Modules IGBT de 62 mm
, modules de 1200V IGBT
Courant de collecteur: |
200A |
Tension de saturation de collecteur-émetteur: |
2.5V |
Tension de collecteur-émetteur: |
Pour les appareils électroniques |
Notation actuelle: |
200A |
tension de seuil de Porte-émetteur: |
5V |
tension de Porte-émetteur: |
20 V |
Capacité d'entrée: |
1.5nF |
Type de module: |
IGBT |
Plage de température de fonctionnement: |
-40°C à 150°C |
Capacité de sortie: |
0.5nF |
Type de colis: |
62 mm |
Capacité inverse de transfert: |
0.2nF |
fréquence de commutation: |
20 KHZ |
Rating de la tension: |
Pour les appareils électroniques |
Les modules IGBT de 1200 V à 300 A sont équipés de modules DS-SPS300B12G6H4-S04020027 V1.0
Le système de commande de l'appareil doit être équipé d'un système de commande de l'appareil.0
Pour les appareils électroniques 300A L'IGBT La moitié. Le pont Module
Généraux Définition
Le module d'alimentation IGBT SOLIDPOWER offre de faibles pertes de commutation ainsi qu'une grande capacité RBSOA. Ils sont conçus pour des applications telles que le chauffage par induction, le soudage et la commutation haute fréquence, etc..
Caractéristiques:
- Technologie d'arrêt du champ plané de 1200 V
- Diodes à roue libre avec récupération inverse rapide et douce
- Faibles pertes de commutation
- Capacité élevée de RBSOA
Typique Applications:
- Chauffage par induction
- Soudage
- Application de commutation à haute fréquence
|
IGBT, Invertisseur / L'IGBT, inverseur
Nombre maximal Valeur nominale/ Maximum défini值
|
|
Nom de l'article
|
Le symbole
|
Conditions d'utilisation
|
Valeur
|
Unités
|
|
集电极- émission de tension électrique
Émetteur-collecteurla tension
|
VLe CES
|
Tvj= 25°C
|
1200
|
V
|
|
Le courant électrique continu
Continuité DC le colliercourant de ctor
|
Je suis...C
|
TC= 100°C, Tvj= 175°C
TC= 25°C, Tvj= 175°C
|
300
400
|
Une
Une
|
|
集电极重复 le courant de pointe
Le sommet répétitionle courant du collecteur
|
Je suis...Le CRM
|
tp= 1 ms
|
600
|
Une
|
|
Perte de puissance totale
Nombre total puissance disperséLe gouvernement
|
Ptout
|
TC= 25°C, Tvj= 150°C
|
1500
|
W
|
|
Le niveau d'émission est supérieur au niveau de l'échantillon.
Portée maximaletension de l'émetteur électrique
|
VGES
|
|
±20
|
V
|
|
PersonnageLes valeurs/ 特征值 valeur de caractère
|
|
Nom de l'article
|
Le symbole
|
Conditions d'utilisation
|
Je ne sais pas. - Je sais. - Je vous en prie.
|
Unités
|
|
集电极- émission 极 和电压
Saturati collecteur émetteursur tension
|
VPour la CE(assise)
|
Je suis...C= 300 A,VGénération génétique=15V
|
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C
|
2.10
|
2.50
2.90
3.00
|
3.00
|
V
V
V
|
|
极 值 tension électrique
seuil de portela tension
|
VRG (ème)
|
Je suis...C= 12mA, VPour la CE=VGénération génétique, Tvj= 25°C
|
5.0 6.0 7.0
|
V
|
|
- Il y a un problème.
Porte charge
|
Q. Je vous en prie.G
|
VGénération génétique=-15V... +15V
|
1.5
|
Le taux de décomposition
|
|
Résistance électrique interne
Porte intérieure résistance
|
RLes gîtes
|
Tvj= 25°C
|
2.5
|
Oh
|
|
Capacité d'entrée
Plafond d'entréel'acitance
|
CLes
|
Le nombre d'écoulements est déterminé par la fréquence d'écoulement.vj= 25°C, VPour la CE= 25V, VGénération génétique=0V
|
12.8
|
NF
|
|
Capacité de transmission inverse
Transition arrièrecapacité de sphère
|
Crés
|
Le nombre d'écoulements est déterminé par la fréquence d'écoulement.vj= 25°C, VPour la CE= 25V, VGénération génétique=0V
|
0.62
|
NF
|
|
集电极-发射极截止电流 Le flux électrique
Émetteur-collecteur limite de réduction cle revenu
|
Je suis...Le CES
|
VPour la CE=1200V, VGénération génétique=0V, Tvj= 25°C
|
5.00
|
- Je ne sais pas
|
|
- Je ne sais pas.-Le flux électrique de fuite
Émetteur de porte fuite courant
|
Je suis...GES
|
VPour la CE=0V, VGénération génétique= 20V, Tvj= 25°C
|
200
|
nA
|
|
开通延迟时间 Le temps est compté( charge électrique)
Onction le temps de retard, inductive charge
|
td( sur)
|
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C
|
90
105
110
|
ns
ns
ns
|
|
Le temps augmente.( charge électrique)
Il est l'heure de se lever. inductive charge
|
tR
|
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C
|
64
66
70
|
ns
ns
ns
|
|
关断延迟时间 Je suis désolé.( charge électrique)
Retour dle temps d'écoulement, inductive charge
|
td(éteint)
|
Je suis...C= 300A, VPour la CE= 600V
VGénération génétique= ± 15 V
RJe vais= 2 Oh
RJe vous en prie!= 2 Oh
Inducteur Je vous en prie.d,
|
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C
|
285
310
330
|
ns
ns
ns
|
|
Il est temps de descendre.( charge électrique)
À l'automne, inductive charge
|
tf
|
55
65
65
|
ns
ns
ns
|
|
开通 损耗能量 Le débit de courant(Chaque impulsion)
Onction énergie les pertes par puIl est là.
|
Esur
|
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C
|
21.3
29.5
33.1
|
MJ
MJ
MJ
|
|
关断 损耗 能(Chaque impulsion)
Énergie d'arrêt les pertes par le pouls
|
Eéteint
|
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C
|
11.2
15.7
16.5
|
MJ
MJ
MJ
|
|
短路 数据
SC données
|
Je suis...SC
|
VGénération génétique≤ 15 V, VCC= 800V
VCEmax=VLe CES- Je sais.SCE·di/dt, tp= 10 μs, Tvj= 150°C
|
1200
|
Une
|
|
结-外 热阻
La chaleur résistance,Le gouvernement cas
|
Rle CJJ
|
Pour - Je ne sais pas. Tout le monde. L'IGBT
|
0.10
|
Nombre d'étoiles
|
|
température de travail
Température etle changement Les conditions
|
Tvjop
|
- Quarante
|
150
|
°C
|
|
Diode, onduleur/ Deux conduits, inverseur
Nombre maximal Valeur nominale/ le maximum定值
|
|
Nom de l'article
|
Symbole CLes conditions
|
|
Valeur
|
Unités
|
|
tension électrique de pointe inverse et répétitive
Le sommet répétitif tension inversee
|
VRRM Tvj= 25°C
|
|
1200
|
V
|
|
continu flux électrique
Continuité DC pourcourant de la salle
|
Je suis...F
|
|
300
|
Une
|
|
Le courant électrique de pointe
Le sommet courant avant répétitif
|
Je suis...MFN tp= 1 ms
|
|
600
|
Une
|
|
PersonnageLes valeurs/ 特征值 valeur de caractère
|
|
Nom de l'article
|
Le symboleConditions d'utilisation
|
Je ne sais pas.
|
- Je sais. - Je vous en prie.
|
Unités
|
|
Voltage électrique
Voltage avant
|
VF Je suis...F= 300A
|
Tvj= 25°C
Tvj= 125°C
Tvj= 150°C
|
2.30
2.50
2.50
|
2.70
|
V
V
V
|
|
Flux électrique de pointe de récupération inverse
Le sommet à l'envers récupération cle revenu
|
Je suis...RM
Q. Je vous en prie.R
ERéc
|
Je suis...F= 300A
- Je vous en prie.FJe vous en prie.éteint= 4000 A/μs
VR = 600 V
VGénération génétique= 15V
|
Tvj= 25°C
Tvj= 125°C
Tvj= 150°C
|
182
196
199
|
Une
Une
Une
|
|
Charge de récupération inverse
Frais de recouvrement
|
Tvj= 25°C
Tvj= 125°C
Tvj= 150°C
|
23.5
35.5
35.5
|
Le taux de décomposition
Le taux de décomposition
Le taux de décomposition
|
|
Perte de récupération inverse (à chaque impulsion)
En arrière récupération énergie (par le pouls)
|
Tvj= 25°C
Tvj= 125°C
Tvj= 150°C
|
7.3
12.7
14.6
|
MJ
MJ
MJ
|
|
结-外 热阻
La chaleur résistance,Le gouvernement cas
|
Rle CJJ Par diode / Chaque个二极管 Je suis désolé.
|
|
0.23
|
Nombre d'étoiles
|
|
température de travail
Température etle changement Les conditions
|
Tvjop
|
- Quarante
|
150
|
°C
|
|
Module/ 模块
|
|
Nom de l'article
|
Le symbole
|
Conditions d'utilisation
|
Valeur
|
Unités
|
|
绝缘 test tension électrique
Isolementtension d'essai
|
VL'ISOL est
|
RMS, f=50 Hz, t=1min
|
3.0
|
KV
|
|
模块基板材料 Les matériaux de base
Matériau de le module plaque de base
|
|
|
- Je vous en prie.
|
|
|
内部绝缘 Il y a un problème.
Le secteur privé isolation
|
|
基本绝缘(classe 1, Je suis...CE 61140)
Les produits de base isolation (classe 1, IEC 61140)
|
Je vous en prie.2Je vous en prie.3
|
|
|
爬电距离 est une distance
- C'est pas vrai.la danse
|
|
端子-散热片/ terminal to évier à chaleur
端子-端子/terminale à termineur
|
29.0
23.0
|
mm
|
|
电气间隙
Autorisation
|
|
端子-散热片/ terminal to évier à chaleur
端子-端子/terminale à termineur
|
23.0
11.0
|
mm
|
|
Indice de traces électriques
ComparatifLe suivi indice
|
CTI
|
|
> 400
|
|
|
Nom de l'article
|
Le symbole
|
Conditions d'utilisation
|
Je ne sais pas.
|
- Je sais.
|
- Je vous en prie.
|
Unités
|
|
杂散电感, module
Détourné inductance le module
|
LSCE
|
|
|
20
|
|
nH
|
|
模块引脚电阻, 端子- Chips
Module Le plomb Résistance ,Les terminaux-Cla hanche
|
RCC +EE
RAA??+CC
|
|
|
0.7
|
|
mΩ
|
|
Température de stockage
Temps de stockagela perature
|
TSgt.
|
|
- Quarante
|
|
125
|
°C
|
|
模块安装的安装扭距
Torsion de montageque pour le module montage
|
M
|
M6
|
3.00
|
|
6.00
|
Nm
|
|
端子 连接 torsion distance
Connexion à la bornen couple
|
M
|
M6
|
2.50
|
|
5.00
|
Nm
|
|
Le poids
Le poids
|
G
|
|
|
320
|
|
g
|
IGBT IGBT
Caractéristique de sortie IGBT, onduleur (typique) Caractéristique de sortie IGBT, onduleur (typique)
Je suis...C=f (V)Pour la CE) JeC=f (V)Pour la CE)
VGénération génétique=15V Tvj = 150°C
IGBT IGBT
Caractéristique de transfert IGBT, onduleur (typique) Perte de commutation IGBT, onduleur (typique)
Je suis...C=f (V)Génération génétique) E=f (I)C)
VPour la CE= 20 V VGénération génétique= ± 15V, RJe vais=2 Ω, RJe vous en prie!=2 Ω, VPour la CE= 600V
IGBT IGBT
Perte de commutation IGBT, onduleur (typique) Impédance thermique transitoire IGBT, onduleur
E = f (R)G) Zle CJJ=f (t)
VGénération génétique= ± 15 V, IC= 300A, VPour la CE= 600V
Le code de conduite est le code de conduite de l'équipage.
Zone de fonctionnement sûre de déviation inverse IGBT, onduleur (RBSOA) Caractéristique avant de la diode, onduleur (typique)
Je suis...C=f (V)Pour la CE) SI=f (V)F)
VGénération génétique= ± 15V, RJe vous en prie!=2 Ω, Tvj= 150°C
Perte de commutation Diode, onduleur (typique) Perte de commutation Diode, onduleur (typique)
Érec=f (I)F) Erec=f (RG)
RJe vais=2 Ω, VPour la CE= 600 V IF= 300A, VPour la CE= 600V
Résultats
FRD d'impédance thermique transitoire, onduleur
Zle CJJ=f (t)
Le module IGBT à demi-pont de 1200 V à 300 A intègre deux IGBT dans une configuration à demi-pont pour les applications à haute puissance, offrant un contrôle précis de la tension (1200 V) et du courant (300 A).Un refroidissement efficace est crucial, et les spécifications détaillées sont disponibles dans la fiche du fabricant.
Circuit électrique le schéma titre
Le paquet les contours
Votre message doit contenir entre 20 et 3 000 caractères!
