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Modules IGBT blancs composant électronique de 62 mm DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0

Name: Modules IGBT blancs composant électronique de 62 mm DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0
Brand: Modules IGBT blancs composant électronique de 62 mm DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0
SKU: SPS300B17G6R8
Rating: 4.9 (165 reviews)

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Numéro de modèle: SPS300B17G6R8

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Notation actuelle:	150A	courant de fuite de Porte-émetteur:	±100nA
tension de seuil de Porte-émetteur:	5V	Courant de collecteur maximum:	300A
Tension de collecteur-émetteur maximum:	Pour les appareils électroniques	La température de jonction maximum:	150°C
Dissipation de puissance maximum:	500 W	Mode de montage:	Je vais me faire foutre!
Plage de température de fonctionnement:	-40°C à 125°C	Type de colis:	62 mm
Type de produit:	Module de semi-conducteur de puissance	fréquence de commutation:	20 KHZ
Résistance thermique:	0.1°C/W	Rating de la tension:	600 V

Notation actuelle:	150A
courant de fuite de Porte-émetteur:	±100nA
tension de seuil de Porte-émetteur:	5V
Courant de collecteur maximum:	300A
Tension de collecteur-émetteur maximum:	Pour les appareils électroniques
La température de jonction maximum:	150°C
Dissipation de puissance maximum:	500 W
Mode de montage:	Je vais me faire foutre!
Plage de température de fonctionnement:	-40°C à 125°C
Type de colis:	62 mm
Type de produit:	Module de semi-conducteur de puissance
fréquence de commutation:	20 KHZ
Résistance thermique:	0.1°C/W
Rating de la tension:	600 V

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Le système de commande de l'appareil doit être équipé d'un système de commande de l'appareil.0

Unité de régulation 300A L'IGBT La moitié. Le pont Module

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Caractéristiques:

□ Technologie de déclenchement de 1700 V

□ Diodes à roue libre avec récupération inverse rapide et douce

□ V_{CE (sat)}avec un coefficient de température positif

□ Faibles pertes de commutation

Typique Applications:

□ Moteur/servo-entraînement

□ Convertisseurs de haute puissance

□ Télécommandes

□ Les photovoltaïques

Le paquet

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs			Unité
Voltage d'essai d'isolation	VISOL	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		4.0			KV
Matériau de la plaque de base du module				- Je vous en prie.
Isolement interne		(classe 1, CEI 61140) Isolement de base (classe 1, CEI 61140)		Je vous en prie.₂Je vous en prie.₃
Distance de ramassage	- C'est pas vrai.	terminal à évier thermique		29.0			mm
	- C'est pas vrai.	de terminal à terminal		23.0
Autorisation	Je vous en prie.	terminal à évier thermique		23.0			mm
	Je vous en prie.	de terminal à terminal		11.0
Indice de suivi comparatif	CTI			> 400

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs			Unité
				Je ne sais pas.	- Je sais.	- Je vous en prie.
Module d'inductivité errante	LsCE				20		nH
Résistance au plomb du module, bornes - puce	RCC+EE		T_C= 25°C		0.70		mΩ
Température de stockage	Tstg			- Quarante		125	°C
couple de montage pour le montage du module	M6			3.0		6.0	Nm
couple de connexion de borne	M6			2.5		5.0	Nm
Le poids	G				320		g

IGBT maximum Nommé Les valeurs

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs	Unité
Voltage du collecteur-émetteur	VCES		T_vj= 25°C	1700	V
Voltage maximal de l'émetteur de la porte	VGES			± 20	V
Voltage transitoire émetteur-porte	VGES	t_p≤ 10 μs, D=0.01		± 30	V
Courant continu du collecteur en courant continu	Je suis..._C		T_C= 25°C	500	Une
Courant continu du collecteur en courant continu	Je suis..._C		T_C= 100°C	300	Une
Courant de collecteur pulsé,tp limité par T_jmax	ICpulse			600	Une
Dissipation de puissance	Ptot			1500	W

Caractéristique Les valeurs

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs			Unité
Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Je ne sais pas.	- Je sais.	- Je vous en prie.	Unité
Voltage de saturation du collecteur-émetteur	VCE (sat)	Je suis..._C= 300A, V_{Génération génétique}=15V	T_vj= 25°C		1.70	2.00	V
			T_vj= 125°C		1.95
			T_vj= 150°C		2.00
Voltage de seuil de sortie	VGE (ème)	V_{Pour la CE}=V_{Génération génétique}Je..._C= 12 mA		5.1	5.9	6.6	V
Courant de coupure collecteur-émetteur	Le CIEM	V_{Pour la CE}=1700V, V_{Génération génétique}=0V	T_vj= 25°C			100	μA
Courant de coupure collecteur-émetteur	Le CIEM	V_{Pour la CE}=1700V, V_{Génération génétique}=0V	T_vj= 150°C			5	- Je ne sais pas
Courant de fuite de l'émetteur-porte	IGES	V_{Pour la CE}=0V,V_{Génération génétique}= ± 20V, T_vj= 25°C		- Je vous en prie.		200	nA
Charge de la porte	Q. Je vous en prie._G	V_{Pour la CE}= 900 V, I_C= 300A, V_{Génération génétique}= ± 15 V			1.6		Le taux de décomposition
Capacité d'entrée	- Je vous en prie.	V_{Pour la CE}= 25V, V_{Génération génétique}=0V, f =100kHz			25.0		NF
Capacité de sortie	Coés				1.4
Capacité de transfert inverse	Crédits				0.4
Résistance de porte interne	RGint	T_vj= 25°C			3.5		Oh
Temps de retard d'allumage, charge inductive	Td (en)	V_CC= 900V,I_C= 300A R_G= 3,3Ω, V_{Génération génétique}= ± 15 V	T_vj= 25°C		185		ns
			T_vj= 125°C		220		ns
			T_vj= 150°C		230		ns
Temps de montée, charge inductive	t_R		T_vj= 25°C		76		ns
			T_vj= 125°C		92		ns
			T_vj= 150°C		96		ns
Temps de retard d'arrêt, charge inductive	Td (arrêt)	V_CC= 900V,I_C= 300A R_G= 3,3Ω, V_{Génération génétique}= ± 15 V	T_vj= 25°C		550		ns
			T_vj= 125°C		665		ns
			T_vj= 150°C		695		ns
Temps de chute, charge inductive	t_f		T_vj= 25°C		390		ns
			T_vj= 125°C		610		ns
			T_vj= 150°C		675		ns
Perte d'énergie de mise en marche par impulsion	Eon	V_CC= 900V,I_C= 300A R_G= 3,3Ω, V_{Génération génétique}= ± 15 V	T_vj= 25°C		44.7		MJ
			T_vj= 125°C		73.2		MJ
			T_vj= 150°C		84.6		MJ
Désactiver Perte d' énergie par impulsion	Je vous en prie.		T_vj= 25°C		68.5		MJ
			T_vj= 125°C		94.7		MJ
			T_vj= 150°C		102.9		MJ
Données SC	CSI	V_{Génération génétique}≤ 15 V, V_CC= 900V	tp≤10 μs T_vj= 150°C			950	Une
Résistance thermique IGBT, boîtier de jonction	RthJC					0.10	Nombre d'étoiles
Température de fonctionnement	TJop			- Quarante		175	°C

Diode maximale Nommé Les valeurs

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs	Unité
Voltage inverse répétitif	VRRM		T_vj= 25°C	1700	V
Courant continu continu vers l'avant	Je suis..._F		T_C= 25°C	300	Une
Courant continu continu vers l'avant	Je suis..._F		T_C= 100°C	170
Courant pulsé de diode,tp limité par T_Jmax	Si vous avez un problème			600

Caractéristique Les valeurs

Nom de l'article	Le symbole	Conditions d'utilisation		Les valeurs			Unité
				Je ne sais pas.	- Je sais.	- Je vous en prie.
Voltage avant	V_F	Je suis..._F= 300A, V_{Génération génétique}=0V	T_vj= 25°C		2.45	2.80	V
			T_vj= 125°C		2.65
			T_vj= 150°C		2.65
Temps de récupération inverse	trr	Je suis..._F= 300A Le_F/dt=-4000A/μs (T)_vj= 150°C) V_R= 900 V, V_{Génération génétique}= 15V	T_vj= 25°C		160		ns
			T_vj= 125°C		230
			T_vj= 150°C		270
Courant de récupération inverse de pointe	MIPR		T_vj= 25°C		380		Une
			T_vj= 125°C		400
			T_vj= 150°C		415
Frais de recouvrement inversés	RRQ		T_vj= 25°C		61		Le taux de décomposition
			T_vj= 125°C		104
			T_vj= 150°C		123
Perte d'énergie de récupération inverse par impulsion	Érec		T_vj= 25°C		29.7		MJ
			T_vj= 125°C		53.6
			T_vj= 150°C		63.4
Résistance thermique de diode, boîtier de jonction	RthJCD					0.20	Nombre d'étoiles
Température de fonctionnement	TJop			- Quarante		175	°C

Produits caractéristique (typique) Sortie caractéristique (typique)

Je suis..._C= f (V)_{Pour la CE}) Je_C= f (V)_{Pour la CE})

T_vj= 150°C

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L'IGBT

Le transfert caractéristique (typique) Déplacement les pertes L'IGBT(typique)

Je suis..._C= f (V)_{Génération génétique}) E = f (R_G)

V_{Pour la CE}= 20 V V_{Génération génétique}= ± 15 V, I_C= 300A, V_{Pour la CE}= 900V

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RBSOA de type IGBT

Déplacement les pertes L'IGBT(typique) À l'envers préjugés en toute sécurité fonctionnement zone (RBSOA)

E = f (I)_C) Je_C=f (V)_{Pour la CE})

V_{Génération génétique}= ±15V, R_G= 3,3Ω, V_{Pour la CE}= 900 V V_{Génération génétique}= ±15V, R_{Je vous en prie!}= 3,3Ω, T_vj= 150°C

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Typique capacité comme a) fonction de collecteur-émetteur tension Charge de porte (typique)

C = f (V)_{Pour la CE}) V_{Génération génétique}= f (Q)_G)

f = 100 kHz, V_{Génération génétique}= 0V I_C= 300A, V_{Pour la CE}= 900V

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L'IGBT

L'IGBT transitoire thermique impédance comme a) fonction de pouls largeur Avance caractéristique de Diode électrique (typique)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V)_F)

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Perte de commutationPerte de diode (typique)

E_Réc= f (R_G) E_Réc= f (I_F)

Je suis..._F= 300A, V_{Pour la CE}= 900V R_G= 3,3Ω, V_{Pour la CE}= 900V

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Diode électrique transitoire thermique impédance comme a) fonction de le pouls largeur

Zth(j-c) = f (t)

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Le "module à demi-pont IGBT 1700V 300A" intègre deux transistors bipolaires à porte isolée (IGBT) dans une configuration à demi-pont.offrant un contrôle précis de la tension (1700V) et du courant (300A)Un refroidissement efficace est essentiel et des spécifications détaillées peuvent être trouvées dans la fiche du fabricant.

Circuit électrique le schéma titre

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Le paquet les contours

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