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Modules IGBT à demi-pont 62 mm 1200 V 600 A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0.

Détails du produit

Numéro de modèle: SPS600B12G6

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Modules IGBT à demi-pont 62 mm

,

Module à demi-pont IGBT de 62 mm

,

Module à demi-pont IGBT 600A

Courant de collecteur:
100A
Tension de collecteur-émetteur:
Pour les appareils électroniques
Actuel:
100A
Charge de porte:
100 nC
tension de Porte-émetteur:
± 20 V
Voltage d'isolation:
2500V
Température de fonctionnement maximale:
150°C
Mode de montage:
Je vais me faire foutre!
Courant de sortie:
100A
Type de colis:
62 mm
Temps de rétablissement inverse:
100ns
fréquence de commutation:
20 KHZ
Résistance thermique:
0.2°C/W
Voltage:
Pour les appareils électroniques
Courant de collecteur:
100A
Tension de collecteur-émetteur:
Pour les appareils électroniques
Actuel:
100A
Charge de porte:
100 nC
tension de Porte-émetteur:
± 20 V
Voltage d'isolation:
2500V
Température de fonctionnement maximale:
150°C
Mode de montage:
Je vais me faire foutre!
Courant de sortie:
100A
Type de colis:
62 mm
Temps de rétablissement inverse:
100ns
fréquence de commutation:
20 KHZ
Résistance thermique:
0.2°C/W
Voltage:
Pour les appareils électroniques
Modules IGBT à demi-pont 62 mm 1200 V 600 A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0.

Les émissions de gaz à effet de serre ne sont pas de l'ordre des émissions de gaz à effet de serre.0.

Module à demi-pont IGBT de 1200 V à 600 A

Modules IGBT à demi-pont 62 mm 1200 V 600 A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0. 0

 

 

Caractéristiques:

  • Technologie d'arrêt de champ de 1200V Trench+
  • Diodes à roue libre avec récupération inverse rapide et douce
  • VCE (sat) avec coefficient de température positif
  • Faibles pertes de commutation
  • Résistance au court-circuit

Applications typiques:

  • Moteur/servo-entraînement
  • Convertisseurs pour éoliennes
  • Invertisseurs photovoltaïques
  • Convertisseurs de stockage d'énergie
  • Télécommandes

 

Le paquet

Nom de l'article Le symbole Conditions d'utilisation Les valeurs Unité

Voltage d'essai d'isolation

VISOL RMS, f = 50 Hz, t = 1 min

 

4.0

KV

Matériau de la plaque de base du module

   

 

- Je vous en prie.

 

Isolement interne

 

(classe 1, CEI 61140)

Isolement de base (classe 1, CEI 61140)

 

Al2O3

 

Distance de ramassage

- C'est pas vrai. terminal à évier thermique 29.0

mm

- C'est pas vrai. de terminal à terminal 23.0

Autorisation

Je vous en prie. terminal à évier thermique 23.0

mm

Je vous en prie. de terminal à terminal 11.0

Indice de suivi comparatif

CTI  

 

> 400

 
   
Nom de l'article Le symbole Conditions d'utilisation Les valeurs Unité
Je ne sais pas. - Je sais. - Je vous en prie.

Module d'inductivité errante

LsCE    

 

20

 

nH

Résistance au plomb du module, bornes - puce

RCC+EE   TC = 25°C  

0.70

 

Température de stockage

Tstg  

 

- Quarante

 

125

°C

couple de montage pour le montage du module

M6  

 

3.0

 

 

6.0

Nm

couple de connexion de borne

M6  

 

2.5

 

 

5.0

Nm

Le poids

G    

320

 

g

 

L'IGBT

Valeur nominale maximale / valeur limite maximale

 

Nom de l'article Le symbole Conditions d'utilisation Les valeurs Unité

Voltage du collecteur-émetteur

VCES   Tvj = 25°C

 

1200

 

V

Voltage maximal de l'émetteur de la porte

VGES  

 

± 20

 

V

Voltage transitoire émetteur-porte

VGES tp≤10 μs, D=0.01

 

± 30

 

V

Courant continu du collecteur en courant continu

C.I.   TC = 25°C 700

 

Une

TC = 80°C 550

Courant pulsé du collecteur,tp limité par Tjmax

ICpulse  

 

1200

 

Une

Dissipation de puissance

Ptot  

 

2142

 

W

 

 

Les valeurs caractéristiques / 特征值

 

Nom de l'article Le symbole Conditions d'utilisation Les valeurs Unité
Je ne sais pas. - Je sais. - Je vous en prie.

集电极- émission 极 和电压

Voltage de saturation du collecteur-émetteur

VCE (sat) Pour les appareils de commande électronique, la valeur de l'indicateur d'alimentation doit être égale ou supérieure à: Tvj = 25°C   2.00 2.40

 

V

Tvj = 125°C   2.40  
Tvj = 150°C   2.50  

极 值 tension électrique

Voltage de seuil de sortie

VGE (ème) Pour les appareils de type VCE, la valeur de l'éclairage doit être supérieure ou égale à:

 

5.5

 

6.3

 

7.0

 

V

集电极- émission 截止电流

Courant de coupure collecteur-émetteur

Le CIEM Pour les appareils de commande électronique, la valeur de la valeur de commande électronique de l'appareil doit être égale ou supérieure à: Tvj = 25°C     100 μA
Tvj = 150°C     5 - Je ne sais pas

Le flux électrique de fuite

Courant de fuite de l'émetteur-porte

IGES La température de l'air doit être comprise entre 0 V et 20 V.

 

- Je vous en prie.

 

 

200

 

nA

- Il y a un problème.

Charge de la porte

Quartier général Pour les appareils de traitement des gaz, la valeur maximale de l'électricité utilisée doit être égale ou supérieure à:   5.0   Le taux de décomposition

Capacité d'entrée

Capacité d'entrée

- Je vous en prie. La fréquence d'écoulement de l'appareil doit être supérieure ou égale à:   80.0  

 

 

NF

Capacité de sortie

Capacité de sortie

Coés   2.85  

Capacité de transmission inverse

Capacité de transfert inverse

Crédits   1.48  

Résistance électrique interne

Résistance de porte interne

RGint Tvj = 25°C   2   Oh

开通延迟时间 (Electricité chargée)

Temps de retard d'allumage, charge inductive

Td (en) Pour les appareils de traitement des ondes électriques, la fréquence de commande doit être supérieure ou égale à: Tvj = 25°C   340   ns
Tvj = 125°C   376   ns
Tvj = 150°C   384   ns

Le temps de charge électrique

Temps de montée, charge inductive

- Je ne sais pas Tvj = 25°C   108   ns
Tvj = 125°C   124   ns
Tvj = 150°C   132   ns

关断延迟时间 (Electricité charge)

Temps de retard d'arrêt, charge inductive

Td (arrêt) Pour les appareils de traitement des ondes électriques, la fréquence de commande doit être supérieure ou égale à: Tvj = 25°C   616   ns
Tvj = 125°C   676   ns
Tvj = 150°C   682   ns

Le temps est tombé.

Temps de chute, charge inductive

Tf Tvj = 25°C   72   ns
Tvj = 125°C   76   ns
Tvj = 150°C   104   ns

开通 损耗能量 (( chaque impulsion)

Perte d'énergie de mise en marche par impulsion

Eon Pour les appareils de traitement des ondes électriques, la fréquence de commande doit être supérieure ou égale à: Tvj = 25°C   57.9   MJ
Tvj = 125°C   82.2   MJ
Tvj = 150°C   91.4   MJ

关断损耗能量 (à chaque impulsion)

Désactiver Perte d' énergie par impulsion

Je vous en prie. Tvj = 25°C   45.2   MJ
Tvj = 125°C   55.3   MJ
Tvj = 150°C   58.7   MJ

短路 数据

Données SC

CSI

VGE≤15V,

VCC = 800V

tp≤10 μs

Tvj = 150°C

   

 

2500

 

Une

Résistance à la chaleur

Résistance thermique IGBT, boîtier de jonction

RthJC       0.07 Nombre d'étoiles

température de travail

Température de fonctionnement

TJop   - Quarante   150 °C

 

Diode / 二极管

Valeur nominale maximale / valeur limite maximale

Nom de l'article Le symbole Conditions d'utilisation Les valeurs Unité

tension électrique de pointe inverse et répétitive

Voltage inverse répétitif

VRRM   Tvj = 25°C

 

1200

 

V

continu flux électrique

Courant continu continu vers l'avant

Si  

 

600

 

 

Une

le courant électrique de pointe du tuyau à deux voies

Courant pulsé de diode,tp limité par TJmax

Si vous avez un problème  

 

1200

           

 

 

Les valeurs caractéristiques / 特征值

Nom de l'article Le symbole Conditions d'utilisation Les valeurs Unité
Je ne sais pas. - Je sais. - Je vous en prie.

Voltage électrique

Voltage avant

VF Si = 600A, VGE = 0V Tvj = 25°C   1.65 2.00

 

V

Tvj = 125°C   1.80  
Tvj = 150°C   1.80  

Le temps de récupération inverse

Temps de récupération inverse

Trr

Si = 600A

dIF/dt=-4900A/μs (Tvj=150°C) VR=600V,

VGE = 15V

Tvj = 25°C   224  

 

ns

Tvj = 125°C 300
Tvj = 150°C 335

Flux électrique de pointe de récupération inverse

Courant de récupération inverse de pointe

MIPR Tvj = 25°C   624  

 

Une

Tvj = 125°C 649
Tvj = 150°C 665

Charge de récupération inverse

Frais de recouvrement inversés

RRQ Tvj = 25°C   95  

 

Le taux de décomposition

Tvj = 125°C 134.9
Tvj = 150°C 147.4

Perte de récupération inverse (à chaque impulsion)

Perte d'énergie de récupération inverse par impulsion

Érec Tvj = 25°C   35.4  

 

MJ

Tvj = 125°C 49.7
Tvj = 150°C 55.9

résistance thermique à l'extérieur

Résistance thermique de diode, boîtier de jonction

RthJCD      

 

0.13

 

Nombre d'étoiles

température de travail

Température de fonctionnement

TJop  

 

- Quarante

 

 

150

°C

 

Modules IGBT à demi-pont 62 mm 1200 V 600 A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0. 1

Modules IGBT à demi-pont 62 mm 1200 V 600 A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0. 2

Modules IGBT à demi-pont 62 mm 1200 V 600 A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0. 3Modules IGBT à demi-pont 62 mm 1200 V 600 A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0. 4Modules IGBT à demi-pont 62 mm 1200 V 600 A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0. 5Modules IGBT à demi-pont 62 mm 1200 V 600 A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0. 6Modules IGBT à demi-pont 62 mm 1200 V 600 A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0. 7Modules IGBT à demi-pont 62 mm 1200 V 600 A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0. 8Modules IGBT à demi-pont 62 mm 1200 V 600 A DS-SPS600B12G6-S0402G0037 V-1.0. 9